Дело в том, что кроме нагрева при отсутствии смещения подложки будет произходить миграция ионов примесей. И когда они в некоем количестве "доползут" до каналов транзисторов, то транзисторы нагреются очень очень очень сильно и уже в последний раз ..
Из микросхемы выйдет "волшебный дым" и она больше не будет работать...
Вот как то так.
Особо пытливые экспериментаторы пытали разные имс и пришли к выводу, что можно пропорционально снижать и +12v и -5v . Нормальная долговременная работа наблюдалась при уменьшении до +8v и -3v соотв.
Те же соображения справедливы и для 565ру3 и некоторых других n-MOS имс с тремя питаниями.
2 : "Максимыч" : а в чём сложность дешифрации не прямых, а инверсных адресов, которые будут выданы имс 580ир83 ?
Кроме того вполне подойдут и {533/555/530/531/1533/1530}ир22 и 74{LS/AS/S/ALS/F}373 и ещё много какие "регистры восьмиразрядные буферные с потенциальным управлением" ( - лучше конечно, 1530 ~~ AS )