Германий. Тональный баланс уходит вниз, теряется воздух.

[ибуки]

для радиокружка и приобретения навыков пайки пойдет ,для хорошего звука- отстой

[Bear2011]

Германий требует своей схемотехники, отличной от ныне принятой! Основные особенности мощных германиевых транзисторов связаны с особенностями технологии производства...

Я вот задумался - а почему во времена царства германия большинство транзисторов делали P-N-P? Нет N-P-N безусловно были, но очень редкие. Даже тот же МП37(38) был редкостью в отличии от тех же МП39-42. Мощных N-P-N так вообще не вспомню. Это что тоже связано с технологией производства? Хотя для меня это кажется абсурдным - какая разница в какой последовательности сплавлять слои с различными типами проводимости

[MiSol62]

Как и обещал.....

Большое спасибо, но нельзя-ли печатку в формате Лау5(6)? а то там ни чего не открывается.

[Bear2011]

MiSol62

Так это PCAD. Скачай PCAD Viewer и будет тебе счастье

[ibaness]

Я всегда в пикаде все делаю, потому в нем и скинул. Номиналы элементов в моём варианте отличается от оригинала. Естественно с целью улучшения параметров. По звучанию: дикой детальностью схема не отличается, имеет немного задранные верха, честные низы. В моём варианте частота получилась 20-25000Гц. Снизу небольшой завал. Предусилитель и регулятор тембра не обязательны, я без них собирал. На основе этой же схемы собирал так же ушной усь, в таком варианте я выкидывал выходной каскад, в то, что было предвыходным ставил гт402, гт404, менял сопротивления некоторые, убирал одну из ос, звучало неплохо. Вечером могу скинуть схему такого варианта и фото готового устройства.

[Bear2011]

Вот мой вариант печатки усилителя от ibaness в Sprint Layout 6

Печатку вроде проверил но если кто перепроверит буду благодарен. Вообще конструктивная критика приветствуется. Кроме одного - не люблю мельчить поэтому размеры 100*80 мм

[Bear2011]

Думаю начну делать усилитель по схеме ibaness

Возник вопрос - у него общим является плюс, а у источника звука минус. Получается их нельзя питать от одной обмотки трансформатора или одного БП?

[sergeisams]

Возник вопрос - у него общим является плюс, а у источника звука минус.

Ну, так и предварительный, тоже, на германии делать, на P-N-P транзисторах. Тогда не возникнет вопрос

их нельзя питать от одной обмотки трансформатора или одного БП?

[Bear2011]

Ну, так и предварительный, тоже, на германии делать, на P-N-P транзисторах.

А при чем тут предварительный? Я говорю про источник звука

[ibaness]

Имеешь ввиду источник звука и усь? Если так, то нельзя. Я для этого уся использовал транс фирмы транслед тп-131. Можно любой другой, способный отдать в нагрузку не менее 5 Вт. Стабилизировать питание не обязательно, хотя я стабилизировал.

[Bear2011]

Да именно. Ясно. Значит буду делать ему отдельное питание

[ибуки]

Bear2011,не трать время,если хочешь получить действительно выдающийся звук,делай класс А,например JLH1969,а лучше на лампах что то собери,а так купи TDA2050 и не заморачивайся она звучит не хуже а даже лучше при хорошей разводке платы

[MiSol62]

Bear2011,не трать время,если хочешь получить действительно выдающийся звук,делай класс А,например JLH1969,а лучше на лампах что то собери,а так купи TDA2050 и не заморачивайся она звучит не хуже а даже лучше при хорошей разводке платы

"купи TDA2050" - вот это точно. И собрать схеме Линкора ИТУН на ТДА2050 или хотябы как здесь:
http://radiokot.ru/circuit/audio/amplifier/71/

[HariusHek]

Как и обещал. Скан из книги - оригинальная схема с описанием в картинках + в архиве схема и печатка в пикаде в том варианте, как я собирал. Налаживал его по родному описанию, в своём варианте делал питание 12В, на выходе гт402 стоят. Осторожно! У схемы общий плюс! Чуть позже его в микрокапе смогу выложить. Найти только надо...
http://img.radiokot.ru/files/90863/k8cp1tulh.jpg
http://img.radiokot.ru/files/90863/k8cp2eag5.jpg

Неграмотная замена Ge на Si. При тех же номиналах резисторов будет усилитель класса "Г".

[WP_]

Почитал тему и решил добавить свои семь копеек, развеять некоторые предрассудки и предубеждения.
В последнее время идут разговоры про некие чудодейственные свойства германиевых транзисторов. Попытаюсь кратко объяснить разницу между кремниевыми и германиевыми транзисторами.
Для начала обратимся к электрофизическим и технологическим свойствам материалов.
Два самых важных параметра ПП материалов это ширина запрещенной зоны и подвижность носителей заряда. Самое важное технологическое свойство материала - существование нерастворимого в воде оксида.
У германия ширина запрещенной зоны меньше, а подвижность носителей больше чем у кремния.
К чему это приводит. Меньшая ширина запрещенной зоны приводит к тому что у германиевых приборов по сравнению с кремниевыми ниже предельная рабочая температура и ниже предельное рабочее напряжение и соответственно меньше энергетические возможности.
Более высокая подвижность носителей дает надежду на более высокое быстродействие германиевых транзисторов по сравнению с кремниевыми, но как говорит крымчанка - дочь офицера - не все так однозначно. Мы подошли к технологическим особенностям конструкции кремниевых и германиевых транзисторов. Подавляющее большинство германиевых транзисторов выполнено по сплавной технологии. Кремниевые по планарной.
К чему это приводит - к высокому уровню концентрации легирующих примесей формирующих PN переходы, низкой точности геометрии границ переходов и к малому соотношению площади к периметру у эмиттерного перехода у германиевых транзисторов. Как следствие высокий уровень концентрации примесей резко снижает подвижность носителей, низкая точность геометрии переходов приводит к тому что получается большая толщина с большим разбросом у базовой области - это приводит к низкому быстродействию и значительному разбросу параметра h21e. А малое соотношение площади к периметру у переходов приводит к большим паразитным межэлектродным емкостям и резкому падению параметра h21e с ростом тока коллектора.
Планарная технология применяемая для изготовления кремниевых транзисторов позволяет использовать низкие уровни легирования, обеспечивает высокую точность геометрии и глубины залегания переходов и обеспечивает большое соотношение площади к периметру перехода. Это приводит к меньшему падению подвижности носителей и как следствие лучшим частотным свойствам кремниевых транзисторов по сравнению с германиевыми. Высокая точность геометрии приводит малому разбросу параметров. Большое соотношение площади к периметру у у у эмиттерного перехода обеспечивает малую зависимость h21e от тока коллектора.
Широкая запрещенная зона обеспечивает более высокую предельную рабочую температуру и высокие энергетические характеристики.
Возникает вопрос - а почему же не использовать планарную технологию для германиевых транзисторов? Причина - у германия отсутствует нерастворимый окисел.
Германий перестали применять не потому что он редкий элемент, а потому что по комплексу электрофизических и технологических свойств он очень сильно уступает кремнию.

[ibaness]

Там не те же номиналы остаются, в описании сказано, какие номиналом необходимо менять в зависимости от типов применяемых транзисторов. Хотя я согласен, что при тупой замене Германия на кремний в этом усе звучать он будет гораздо более погано. Я номиналы в микрокапе сначала подгонял, потом ещё и при отладке вгонял все это хозяйство в режим. В схеме, что в пикаде я выложил, более корректные номиналы элементов указаны.

[ибуки]

если его сделать на современном импорте с большой и линейной бэттой,то параметры будут намного лучше,а резисторы не проблема пересчитать в симуляторе или на калькуляторе

[WP_]

Неграмотная замена Ge на Si. При тех же номиналах резисторов будет усилитель класса "Г".

Нормальная, вполне адекватная замена. Не просто адекватная, а с значительным улучшением поведения схемы. МП111, МП114 - кремниевые. В первом варианте, кстати все транзисторы усилителя мощности, кроме выходных, кремниевые.
В варианте схемы с кремниевыми выходными ошибка. КТ817 неправильно подключен. Если ошибку исправить, вариант с КТ816 КТ817 на выходе будет звучать гораздо лучше чем с П214.
КТ203 и КТ601 конструктивно гораздо совершеннее МП111 МП114. Линейность выше. Граничная частота выше. Зависимость H21E от тока выражена слабее. Междуэлектродные емкости меньше.

[ибуки]

а с тошибами 2sc5198\2sa1941 еще лучше

[WP_]

Тошибы в подобную структуру ставить это все равно что ядерной бомбой по тараканам. Абсолютно бессмысленная затея. Для подобных схем КТ203, КТ601, КТ816, КТ817 более чем достаточно.