Все о биполярном транзисторе.
На первой вы попытались сделать ОК, а на второй - ОЭ
Если хотите, чтобы жизнь улыбалась вам, подарите ей своё хорошее настроение
- Реклама
- Сообщения: 20
- Зарегистрирован: Чт апр 30, 2015 19:19:48
Понял. То есть "общий" означает, что он идёт на массу, на общий провод.. А не общий с чем-то...фух..вы мне сильно помогли)))
Спасибо!!
Спасибо!!
Общий в названиях схем включения означает, что этот электрод общий и для входа, и для выхода. В схеме с ОЭ входной сигнал подается на базу и на эмиттер, а снимается с коллектора и с эмиттера. Поэтому эмиттер и общий. Он необязательно должен совпадать с общим проводом в схеме.
Здравствуйте! Помогите, пожалуйста, пересчитать токоограничительный резистор R3 с учетом h21э на следующей схеме:

По схеме: драйвер канала св. ленты, используется 8-бит 2МГц ШИМ.
Я знаю, что Ik=Iб*h21э => Iб=Ik/h21э
h21э для bc817-40 находится в пределах от 250 до 600 - какую цифру брать? Это первое, что непонятно. А второе - это каков будет ток Iк. Я полагаю, что тут надо считать, какой ток будут потреблять все элементы, находящиеся до коллектора Q1. Пожалуйста, разъясните как мне грамотно все посчитать.
P.S. А не придется ли мне с изменением R3 как-то менять номинал R4?
По схеме: драйвер канала св. ленты, используется 8-бит 2МГц ШИМ.
Я знаю, что Ik=Iб*h21э => Iб=Ik/h21э
h21э для bc817-40 находится в пределах от 250 до 600 - какую цифру брать? Это первое, что непонятно. А второе - это каков будет ток Iк. Я полагаю, что тут надо считать, какой ток будут потреблять все элементы, находящиеся до коллектора Q1. Пожалуйста, разъясните как мне грамотно все посчитать.
P.S. А не придется ли мне с изменением R3 как-то менять номинал R4?
- Сообщения: 36
- Зарегистрирован: Чт авг 29, 2013 08:20:18
ток коллектора в основном определяется резистором 1 кОм, соответственно 12 мА
ток разряда затвора мизерный, заряд затвора 3 нС, период ШИМа насколько понимаю 0,1275 мс, ток средний получится 23мкА, импульсом конечно больше
необходимо создать ток в базе Ic/h21э (минимальное h21э из диапазона) соответственно порядка 0,048мА
через 2 кОм на землю мимо базы уйдет 0,7/2к=0,35 мА
ток через R1 соответственно надо задать минимум 0,35+0,048=0,398 мА
соответственно R1 = (2,9-0,7)/0,398=5,5кОм
возможно параллельно R1 потребуется форсирующую цепочку на закрывание транзистора, ибо транзистор из насыщения выходит долго
ток разряда затвора мизерный, заряд затвора 3 нС, период ШИМа насколько понимаю 0,1275 мс, ток средний получится 23мкА, импульсом конечно больше
необходимо создать ток в базе Ic/h21э (минимальное h21э из диапазона) соответственно порядка 0,048мА
через 2 кОм на землю мимо базы уйдет 0,7/2к=0,35 мА
ток через R1 соответственно надо задать минимум 0,35+0,048=0,398 мА
соответственно R1 = (2,9-0,7)/0,398=5,5кОм
возможно параллельно R1 потребуется форсирующую цепочку на закрывание транзистора, ибо транзистор из насыщения выходит долго
- Реклама
- Сообщения: 20
- Зарегистрирован: Чт апр 30, 2015 19:19:48
Доброго здоровья! Вот пришел час соорудить в нашу с ребенком машинку на РУ повороты. Хотим, чтобы когда с пульта поворачиваешь колёса - в по воротниках мигали светодиоды. Естественно, требования к совершенной схеме минимальны, так как и место в китайской игрушке. Надо что-то самое-самое примитивное, но чтоб работало.
Вот прикинул схему. Подскажите пожалуйста, три момента:
1. Правильно ли я понял принцип использования транзистора как ключа?
2. Правильно ли я зашунтировал конденсатор, или можна и проще - как показано пунктиром?
3. Работоспособна ли схемма впринципе?
Ход моей логики такова: в момент первого включения в цепь, конденсатор не заряжен, по внешней его цепи протекает ток, который открывает транзистор. Напряжение при этом возрастает, ток падает. Чтоб уменьшить величину тока на базе и сделать временную задержку заряда конденсатора - ставим резистор Р1 - 20 кОм( время заряда 0,00001*20000*3(т)=0.6с приблиз), при этом С1 - 10мФ. По мере заряда - ток приближается к нулю, светодиод при этом светится. Как только конденсатор зарядится - транзистор закроется, а конденсатору ничего не останется, как разрядиться через резистор Р3. Поскольку он не успеет разрядиться полностью, а только на постоянную т(в лучьшем случае), транзистор снова откроется, и светодиод засветится, то резистор Р3 берём с большим сопротивлением( 0,00001*200000=2с). Но мне кажется что 2с не пройдет, пройдет меньше до включения транзистора, ведь ему достаточно разности 0.6В между базой и Эммитером.
Схема примитивно проста, но Нам с сыном важная для понимания самой сути.
Пожалуйста, прокоментируйте, критика любая воспринимается только положительно.
Спасибо!
Забыл сказать -резистор Р2 для выравнивания тока светодиода 200 Ом. Или для непродолжительных вспышек его можно и не ставить?
Вот прикинул схему. Подскажите пожалуйста, три момента:
1. Правильно ли я понял принцип использования транзистора как ключа?
2. Правильно ли я зашунтировал конденсатор, или можна и проще - как показано пунктиром?
3. Работоспособна ли схемма впринципе?
Ход моей логики такова: в момент первого включения в цепь, конденсатор не заряжен, по внешней его цепи протекает ток, который открывает транзистор. Напряжение при этом возрастает, ток падает. Чтоб уменьшить величину тока на базе и сделать временную задержку заряда конденсатора - ставим резистор Р1 - 20 кОм( время заряда 0,00001*20000*3(т)=0.6с приблиз), при этом С1 - 10мФ. По мере заряда - ток приближается к нулю, светодиод при этом светится. Как только конденсатор зарядится - транзистор закроется, а конденсатору ничего не останется, как разрядиться через резистор Р3. Поскольку он не успеет разрядиться полностью, а только на постоянную т(в лучьшем случае), транзистор снова откроется, и светодиод засветится, то резистор Р3 берём с большим сопротивлением( 0,00001*200000=2с). Но мне кажется что 2с не пройдет, пройдет меньше до включения транзистора, ведь ему достаточно разности 0.6В между базой и Эммитером.
Схема примитивно проста, но Нам с сыном важная для понимания самой сути.
Пожалуйста, прокоментируйте, критика любая воспринимается только положительно.
Спасибо!
Забыл сказать -резистор Р2 для выравнивания тока светодиода 200 Ом. Или для непродолжительных вспышек его можно и не ставить?
- Вложения
-
- IMG_20150504_125231.jpg
- (140.86 КБ) 583 скачивания
Спасибо за подробный ответ! Не очень понял как вы получили
И последнее - у меня ощущение, будто пара R3-R4 образует делитель напряжения. Если взять R3 номиналом в 5кОм, то мы получим напряжение на базе Q1=U*(R4/R3+R4)=2,9*(2000/2000+5000)=0,82В, что не очень поспособствует открытию Q1. Надеюсь,я ошибаюсь
Модуль у меня тактируется 2Мгц, соответственно, как я понимаю, период ШИМ = 1/2000000= 0,0005 мспериод ШИМа насколько понимаю 0,1275 мс,
Это максимальное значение, верно? То есть в меньшую сторону я могу уйти, что бы обеспечить некоторый запас?соответственно R1 = (2,9-0,7)/0,398=5,5кОм
Где об этом можно прочесть?возможно параллельно R1 потребуется форсирующую цепочку на закрывание транзистора, ибо транзистор из насыщения выходит долго
И последнее - у меня ощущение, будто пара R3-R4 образует делитель напряжения. Если взять R3 номиналом в 5кОм, то мы получим напряжение на базе Q1=U*(R4/R3+R4)=2,9*(2000/2000+5000)=0,82В, что не очень поспособствует открытию Q1. Надеюсь,я ошибаюсь
- Сообщения: 36
- Зарегистрирован: Чт авг 29, 2013 08:20:18
2 МГц на 8-ми разрядный таймер у вас приходит? или это частота уже включения транзистора? скорей всего на таймер и тогда переключение транзистора должно быть в 256 меньше частоты тактирования.
параллельно R4 переход база эмиттер и в основном он определяет падение на R4. потому 0,7взял как падение на R4, ток протекающий через R3 частично уйдет в общую точку через R4 оставшийся в базу и будет усилен.
R3 конечно поменьше, потому как допущений при расчете куча, h21э измеряется при 25 градусах, если работать будет при минусе все может ухудшится и желателен запасец
форсирующая цепочка это просто громкое название конденсатора включенного паралельно R3 (есть конечно и посложней цепочки, а может вам сойдет и конденсатора, последний раз когда измерял задержку выключения насыщенного транзистора она была в районе 3-5 мкс)
и R6 резистор 1 Ом вроде как при идеальных элементах будет импульс тока заряда разряда затвора 12А (очень узкий конечно, но я бы ограничил допустимым для BC817 импульсным 1А)
параллельно R4 переход база эмиттер и в основном он определяет падение на R4. потому 0,7взял как падение на R4, ток протекающий через R3 частично уйдет в общую точку через R4 оставшийся в базу и будет усилен.
R3 конечно поменьше, потому как допущений при расчете куча, h21э измеряется при 25 градусах, если работать будет при минусе все может ухудшится и желателен запасец
форсирующая цепочка это просто громкое название конденсатора включенного паралельно R3 (есть конечно и посложней цепочки, а может вам сойдет и конденсатора, последний раз когда измерял задержку выключения насыщенного транзистора она была в районе 3-5 мкс)
и R6 резистор 1 Ом вроде как при идеальных элементах будет импульс тока заряда разряда затвора 12А (очень узкий конечно, но я бы ограничил допустимым для BC817 импульсным 1А)
На аппаратный ШИМ модуль. В его основе лежит таймер, поэтому можно сказать - да.2 МГц на 8-ми разрядный таймер у вас приходит? или это частота уже включения транзистора?
Я даже не знаю на каком номинале из моего диапазона теперь остановиться...R3 конечно поменьше
Плата уже сверлится в станкеа может вам сойдет и конденсатора
Разряда затвора мофета в смысле? Там могут быть такие токи? Тогда же транзистор сразу сгорит?будет импульс тока заряда разряда затвора 12А
- Сообщения: 36
- Зарегистрирован: Чт авг 29, 2013 08:20:18
Да нет, совершенно не обязательна форс цепочка, отожрет время закрытия транзистора с какого нибудь края диапазона изменения яркости пару тройку байт никто даже и не заметит (наверно).
Токов разряда затвора таких скорей всего не будет скажутся какие нибудь времена включений транзисторов диодов да и заряд затвора мизерный просто привычка у меня такая если есть предельный параметр то за него не выходить даже теоретически идеально (есть такой документ страшный карты рабочих режимов, както его оформлял на работе в результате на автомате все проверяю и если что выходит за пределы страшно очкую даже если это домашняя мормыжка гг), я бы всетаки вместо 1 Ома поставил ом 12.
Резистор можно поставить ориентируясь на источник входного сигнала сколько он может не напрягаясь выдать килоома 3 хотя-бы, кстате если источник имеет комплиментарный выход то можно и без резистора R4 обойтись прекрасно.
Токов разряда затвора таких скорей всего не будет скажутся какие нибудь времена включений транзисторов диодов да и заряд затвора мизерный просто привычка у меня такая если есть предельный параметр то за него не выходить даже теоретически идеально (есть такой документ страшный карты рабочих режимов, както его оформлял на работе в результате на автомате все проверяю и если что выходит за пределы страшно очкую даже если это домашняя мормыжка гг), я бы всетаки вместо 1 Ома поставил ом 12.
Резистор можно поставить ориентируясь на источник входного сигнала сколько он может не напрягаясь выдать килоома 3 хотя-бы, кстате если источник имеет комплиментарный выход то можно и без резистора R4 обойтись прекрасно.
- Сообщения: 20
- Зарегистрирован: Чт апр 30, 2015 19:19:48
Мучала меня моя схема всю ночь))) вобщем, я тут от обратного посчитал - здается мне оно работать не будет((( при моем включении в коллекторную цепь светодиода ему для розжига надо хотя бы 15мА. А у меня, получается, если кондер заряжается через сопротивление Р1 20кОм, то ток на базу попадёт максимум 6/20000*1000= 0,3 ма. Если коефф усиления КТ315 даже максимум 90, то через кэ потечет всего 27мА. Но вряд ли такое возможно, кстати какой курс на практике у кт 315?
Вобщем решено. Сегодня будем паять. Возьму сразу ещё один, если не получится - буду второй каскад ставить..
А по поводу шунтирования конденсатора вопрос открыт...
Вобщем решено. Сегодня будем паять. Возьму сразу ещё один, если не получится - буду второй каскад ставить..
А по поводу шунтирования конденсатора вопрос открыт...
Довольно интересно: Реверс-инжиниринг TL431, крайне распространенной микросхемы, о которой вы и не слышали
Там в том числе и то, как на кристалле сделаны транзисторы:

Там в том числе и то, как на кристалле сделаны транзисторы:

[ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ]
При включении транзистора с общей базой коэффициент усиления по току равен 0,9. Чему равен коэффициент усиления по току этого же транзистора при включении по схеме с общим эмиттером? Я знаю, что по схеме с общим эмиттером усиление будет больше, но как определить сколько?
Ну, если базовый ток составляет 10 % от коллекторного (эмиттерного?), то к-т усиления будет 10... или 9... не знаю, давно было 
[ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ]
Юзаю манул на транзистор BC546B.
На третьей странице, на сколько я понимаю, проходные характеристики:
По этой картинке сразу несколько вопросов.
1) Что означает на графике символ "@" - уже не первый раз вижу.
2) Возле двух верхних характеристик есть обозначения VBE(sat) и VBE(on), к чему их отнести? К значениям 0,6 и (примерно) 0,77 на оси ординат или к характеристикам ?
3) И самое непонятное. Почему надпись VCE(sat), то есть, напряжение насыщения коллектор-эмиттер, относится к самой нижней кривой, у которой самое маленькое проходное сопротивление. Неплохой способ улучшить проходные характеристики транзистора - уменьшить напряжение Uкэ до уровня насыщения. Вообщем, нижняя кривая выглядит для меня странно.
Заранее спасибо.
PS. Заметил закономерность: сижу, втыкаю на формулу/график минут 15 и в голову ничего не приходит. Напишу сюда - через минуту пробивает. Третий график, по ходу дела, не проходная, а выходная характеристика, причем, в области насыщения. Ось ординат ведь не относится к какой-то конкретной величине - просто задаёт масштаб напряжения.
Следовательно и по второму моему вопросу: VBE(sat) и VBE(on) означают, что кривые уже проходных характеристик измерены при напряжениях коллектора VCE(sat) и VCE = 10 В соответственно. И если всё так, то остается только первый вопрос.
На третьей странице, на сколько я понимаю, проходные характеристики:
Спойлер

1) Что означает на графике символ "@" - уже не первый раз вижу.
2) Возле двух верхних характеристик есть обозначения VBE(sat) и VBE(on), к чему их отнести? К значениям 0,6 и (примерно) 0,77 на оси ординат или к характеристикам ?
3) И самое непонятное. Почему надпись VCE(sat), то есть, напряжение насыщения коллектор-эмиттер, относится к самой нижней кривой, у которой самое маленькое проходное сопротивление. Неплохой способ улучшить проходные характеристики транзистора - уменьшить напряжение Uкэ до уровня насыщения. Вообщем, нижняя кривая выглядит для меня странно.
Заранее спасибо.
PS. Заметил закономерность: сижу, втыкаю на формулу/график минут 15 и в голову ничего не приходит. Напишу сюда - через минуту пробивает. Третий график, по ходу дела, не проходная, а выходная характеристика, причем, в области насыщения. Ось ординат ведь не относится к какой-то конкретной величине - просто задаёт масштаб напряжения.
Следовательно и по второму моему вопросу: VBE(sat) и VBE(on) означают, что кривые уже проходных характеристик измерены при напряжениях коллектора VCE(sat) и VCE = 10 В соответственно. И если всё так, то остается только первый вопрос.
Произносится на английском как "at", что по-русски означает "при".1) Что означает на графике символ "@" - уже не первый раз вижу.
Vbe(sat) при Ic/Ib=10
Нереально крутой какой-то микроскоп. У меня с помощью обычного оптического максимум так получалось только:Gudd-Head писал(а):Довольно интересно: Реверс-инжиниринг TL431, крайне распространенной микросхемы, о которой вы и не слышали
Спойлер



