Добрый день!
Столкнулся с задачей выбора транзистора для силового ключа, коммутирующего нагрузку с постоянным током до 30А от аккумулятора напряжением 3,7 – 4,1 вольта. Так же необходимо обеспечить минимальные размеры.
Первоначально выбор пал на транзистор IRFH4210D. При испытаниях на макетной плате при токе 20А и напряжении на затворе около 4,7В падение напряжения на транзисторе составило около 60мВ. При пересчете на сопротивление выходит 3мОм и транзистор начинает ощутимо греться. По описанию производитель заявляет при 50А сопротивление RDS(on) max 1,35мОм. При более детальном изучении описания заметил сноску по этому параметру Pulse width <= 400 μs; duty cycle <= 2%. Получается, что заявленный параметр выдерживается только для импульса длительностью менее 400 мкС и в цикле с заполнением менее 2%? Такое примечание присутствует и в других описаниях транзисторов фирмы IR.
Для сравнения посмотрел транзисторы фирмы NXP, например PSMN1R4-40YLD. Для них такой сноски в описании не нашел. Значит, IR несколько лукавит, указывая параметры транзисторов?
Был ли у кого то опыт использования подобных транзисторов на предельных параметрах?
Столкнулся с задачей выбора транзистора для силового ключа, коммутирующего нагрузку с постоянным током до 30А от аккумулятора напряжением 3,7 – 4,1 вольта. Так же необходимо обеспечить минимальные размеры.
Первоначально выбор пал на транзистор IRFH4210D. При испытаниях на макетной плате при токе 20А и напряжении на затворе около 4,7В падение напряжения на транзисторе составило около 60мВ. При пересчете на сопротивление выходит 3мОм и транзистор начинает ощутимо греться. По описанию производитель заявляет при 50А сопротивление RDS(on) max 1,35мОм. При более детальном изучении описания заметил сноску по этому параметру Pulse width <= 400 μs; duty cycle <= 2%. Получается, что заявленный параметр выдерживается только для импульса длительностью менее 400 мкС и в цикле с заполнением менее 2%? Такое примечание присутствует и в других описаниях транзисторов фирмы IR.
Для сравнения посмотрел транзисторы фирмы NXP, например PSMN1R4-40YLD. Для них такой сноски в описании не нашел. Значит, IR несколько лукавит, указывая параметры транзисторов?
Был ли у кого то опыт использования подобных транзисторов на предельных параметрах?
