Мелкие вопросы по теории

Bear2011

xterro

ИМХО плюсов нет - одни минусы. Высоковольтное параллельное программирование, время хранения ниже и еще теоретическая возможность потери информации от воздействия солнечных лучей. Пишу "теоретическая" потому что в тех же Спектрумах окно заклеивали скорее из перестраховки - ни разу не сталкивался с тем чтобы информация разрушилась
Да еще при слишком долгом стирании возможен выход м/с из строя - сам так убил РФ по неопытности

Реклама

xterro

Просто читал статью, про недавнее вскрытие самописца от су-24, там естественно обругали микросхемы памяти, мол хлипкий импортный флэш, и проскочили в статье строчки, мол у нас до сих пор используется память с уф стирание. Ну раз используется, должно быть, есть у неё какие-то плюсы... вот решил разобраться

Реклама

Bear2011

у нас до сих пор используется память с уф стирание

Автор статьи очередной недоумок. Что толку от УФ стирания если корпус из такого же пластика? Были керамические корпуса, но я их как сам понимаешь на механическую прочность не испытывал. Можно конечно наверное делать м/с в защищенных корпусах - с 24 ножками и двумя ручками, чтобы носить удоьнее было

xterro

Что толку от УФ стирания если корпус из такого же пластика?

Наверно никакого ) Кстати, тут ещё узнал, что оказывается были ещё микросхемы в металлических, "антивандальных" корпусах

Реклама

arkhnchul

почему были, есть.

Реклама

noise1

Это ширпотреб с разваркой люминием. Кроме всего прочего, такие вещи надо заливать компаундом( не помню названия) вероятно видели залитые высоковольтные блоки? При вскрытии головных БЧ, все, как новое, правда половина МС и транзисторов имели обрывы внутри корпуса, что не критично, кристаллы целехонькие. Это при стрельбе на Камчатку. РФ редко применялись, больше РТ.

Реклама

Мелкий пакостник

Доброго времени суток. Подскажите пожалуйста: способоы контроля качества выполнения ремонта электрических машин.

Андрей Бедов

Целый Google:

Контроль качества ремонта электрической машины

После ремонта электрические машины подвергаются испытаниям. По программе и методике, которые предусмотрены ГОСТ 183—66, к числу основных испытаний, которым подвергают электрические машины, относят проверку сопротивления изоляции всех обмоток относительно корпуса и между ними, проверку правильности маркировки выводных концов, измерение сопротивления обмоток, проверку коэффициента трансформации асинхронных двигателей с фазным ротором, проведение опыта холостого хода, испытание на повышенную скорость вращения, испытание изоляции между витками, проведение опыта короткого замыкания, испытание на нагревание под нагрузкой, испытание электрической прочности изоляции.

Курсовую чтоль пишешь?

Мелкий пакостник

Спасибо. Пока только пояснительную записку к отчёту по практике. Может тогда подскажешь: 2.3. Определение параметров электрических машин и аппаратов, электротехнических устройств с определением технологического оборудования для ремонта и эксплуатации электрических машин и аппаратов?

Остальное я уже написал. В гугле не находится это.

ypppu

2.3. Определение параметров электрических машин и аппаратов, электротехнических устройств с определением технологического оборудования для ремонта и эксплуатации электрических машин и аппаратов?

Русские люди так не говорят.

Мелкий пакостник

ypppu писал(а):
2.3. Определение параметров электрических машин и аппаратов, электротехнических устройств с определением технологического оборудования для ремонта и эксплуатации электрических машин и аппаратов?
Русские люди так не говорят.

Поучи меня ещё, "УМНИК". Как в документе написано (в техникуме разработали вопросы) так я и написал тут. Умничать можно и без мозгов, лучше бы помог.

den2

Мелкий пакостник

У нас на предприятии и не такие вопросы написанные не по-русски "спецами", выдают каждый год при проверке на разряд.А тут техникум.Люди вообще разучились по-русски писать и мысли свои правильно излагать.
Каждый год сидим ухахатываемся с писанины главного инженера.

den2

xterro писал(а):Приветствую, подскажите, есть ли плюсы от использования микросхем памяти с УФ стиранием перед обычной flash? Используют ли их сейчас, да и вообще, стоит ли их использовать?

Используются ещё.Много лежалого брака приходит.Летят не особо часто,но всё же летят.Самый гемор это стирать их.После стирания иногда не прошиваются больше.

hybroid

den2 писал(а):Каждый год сидим ухахатываемся с писанины главного инженера.

Я некоторые шедевры возвращал с резолюцией: "Не владею языком изложения документа."

Мелкий пакостник

den2 писал(а):Мелкий пакостник

У нас на предприятии и не такие вопросы написанные не по-русски "спецами", выдают каждый год при проверке на разряд.А тут техникум.Люди вообще разучились по-русски писать и мысли свои правильно излагать.
Каждый год сидим ухахатываемся с писанины главного инженера.

Спасибо конечно за разъяснение, но что мне писать в ответе на вопрос? Не пойму что им нужно.

Мелкий пакостник

hybroid писал(а):
den2 писал(а):Каждый год сидим ухахатываемся с писанины главного инженера.
Я некоторые шедевры возвращал с резолюцией: "Не владею языком изложения документа."

Дайте почитать

креазот

добрый день.
вопрос, "прямой коэффициент передачи тока Bf " это тоже самое что и h21?

если нет, в чем разница?

КРАМ

Не совсем.
Точнее будет так:
Bf=|h21э|
h21э - комплексная (векторная) величина и представляет из себя модуль и фазу.
Поэтому коэффициент передачи тока базы в схеме с общим эмиттером на определенной частоте Bf в справочниках называют МОДУЛЕМ коэффициента передачи тока.
Сам коэффициент h21э входит в матрицу h-параметров транзистора как четырехполюсника. И потому должна указываться СХЕМА ВКЛЮЧЕНИЯ транзистора как трехполюсника в этом четырехполюснике. Сиречь, одна из клемм у транзистора должна быть общей в модели четырехполюсника. В данном случае общим является эмиттер.

креазот

КРАМ, спасибо.
скажите, а h21э зависит от тока базы? у меня почему-то при симулировании в программе чем больше ток базы тем меньше получается h21э.
причем на порядок.

узнаю h21э деление тока коллектора на ток базы. правильно ли я делаю?

КРАМ

креазот писал(а):узнаю h21э деление тока коллектора на ток базы. правильно ли я делаю?

Нет, неправильно.
Модуль коэффициента передачи тока определяется как отношение АМПЛИТУД тока коллектора к АМПЛИТУДЕ тока базы в рабочей точке и на исследуемой частоте.
Статический коэффициент передачи тока базы Bст на постоянном токе определяется как отношение ПРИРАЩЕНИЯ тока коллектора к вызвавшему его ПРИРАЩЕНИЮ тока базы. Или в дифференциальной форме это будет:
Bст=dIк/dIб
И таки да, коэффициент передачи тока базы зависит от режима и имеются графики этой зависимости в даташитах на транзисторы. Причем коэффициент передачи тока базы уменьшается как при больших токах коллектора, так и при микротоках. График выглядит в виде горба с плоской вершиной.