H-мост

[Gisteresis]

С выхода резистивного делителя можно снимать 1/10 от тока протекающего через него. (это при нормальной эксплуатации) Иначе потенциал уплывает, так бы все и использовали его для стабилизации, зачем тогда кренки, лм ки...
При токах управления нужны резисторы бешеной мощности.

А управляющее напряжение должно быть приложено между затвором и истоком.

VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V

По даташиту этот параметр идентичен IRF530N и IRF9530N

Таким образом пробой верхних ключей обеспечен.

[Andrew_A]

Делитель тут не дает потенциалу подняться выше критического уровня, да, во время открытия мосфета напряжение на затворе будет нарастать не мгновенно. Но при малой частоте переключения это ИМХО не критично.
По поводу VGS похоже правда =(
Единственный выход - два изолированных источника по 10В для управления верхними и нижними ключами ? Это же вообще жесть ...

[Gisteresis]

Используйте сборку какую нибудь драйвер затворов.
http://www.irf.com/product/_/N~1njcii
Для питания можно было бы обойтись и интегральным стабилизатором, но у вас 60В, поменьше никак? Если даже 50В то есть микросхемы. А так придется городить полноценный понижающий DC-DC или отдельный источник питания.

Рассмотрите переход на биполярные транзисторы. По крайней мере отвяжитесь от ограничения на затворе.

[Andrew_A]

Спасибо за совет, попробую намутить с биполярниками BDX34C / BDX33C. Матчасть нашел тут http://www.radiohlam.ru/teory/h-bridge.htm

Поменьше никак - 16 ячеек LiFePo4 это 32...59В.

Правильно ли я понимаю что на такой схеме



при токе в нагрузке до 10А управляющий ток в базе д.б. до 100 мА (hfe = min 100), а резисторы R1 - по 600 Ом (~60В / 0.1 А), но аж 6 Вт.

И может ли роль управляющих транзисторов Т5 и Т6 играть выходной транзистор оптопары MOCD213 (VCEO и VCBO = 70В max, Ic = 150 mA max)

[Gisteresis]

Во первых 10А это максимум, нужен еще запас какой то. Т.е. Эксплуатировать можно скажем на 9А.
Но вообще лучше не экономить и сделать запас 1,5 крата. Т.е. на 16А самое оно было бы.

Во вторых 100мА рассчитано не верно, Hfe минимум 750, а значит 9/750=12мА

В третьих 60 делить на 100 не правильно, нужно еще учесть падения на переходах. Но у вас питание и так плавает, поэтому можно пренебречь. 60/0.012=5к

может ли роль управляющих транзисторов Т5 и Т6 играть выходной транзистор оптопары MOCD213

Очевидно может.

[Andrew_A]

Вот, все не мог понять чем отличается hfe и fFE (в приложенном мной даташите еще и имеющий размерность V, видать ошибка). Выходит, hfe это для слабой и/или частотной нагрузки ?

10А - это уже с ~2х запасом. Ток нагрузки предполагается около 5А. Но ведь управляющий ток надо считать в этом случае учитывая запас ?
Падение на всех переходах около 1,5В, по сравнению с 60В мелочь, вот и не учитывал.

Значит, если гасящий 5К, то его мощность выходит ~1 Вт, это уже радует ...

[Gisteresis]

Да, с частотой к сожалению бета падает, поэтому дарлингтоны только на малых частотах работают.
Они оговаривают для какого случая такая бета

IC = 1 A VCE = 5 V f = 1MHz

10А - это уже с ~2х запасом. Ток нагрузки предполагается около 5А. Но ведь управляющий ток надо считать в этом случае учитывая запас ?

А тогда нормуль.
Этот запас нужен для надежной работы силовых ключей. По хорошему нужно учесть, тогда у нас вся сборка будет на 10А а эксплуатироваться только на 5. Но если есть проблемы с управляющим сигналом (так случилось что не выжать нам 10/750 а есть только 5/750) то можно и сократить в расчете до 5. В любом случае расчет ведется от такого тока базы при котором гарантированно в любых ситуациях наступит насыщение силового транзистора (он полностью откроется. Для этого нужен ток базы не менее 10/750, а лучше и побольше).

Значит, если гасящий 5К, то его мощность выходит ~1 Вт, это уже радует ...

Ошибочка.
У вас минимальное напряжение какое? 32В Вот от этого и нужно плясать. Иначе ключи не насытятся и будут сильно греться.
32/0.0134=2.4к
Это уже меньше радует

[Andrew_A]

Ну, учитывая что все-таки ток нагрузки будет 5А и мост будет включаться на 2 сек не чаще 1 раза в минуту, то 3.3 кОм SMD 2512 1Вт думаю вполне пойдет )))

Спасибо огромное за помощь !

[Gisteresis]

BDX34C / BDX33C

Кстати напряжение насыщения у них, ни фига себе, 2.5В. Думал поменьше.
Тогда это лучше учесть
32-2.5-2.5-0.4=26.6В
26.6/0.0134=1985 ~ 1.8к

Или увеличить минимальную планку эксплуатации аккумы до 40 например.


ПС: Да я думаю пойдет, в реале Hfe будет больше

[Andrew_A]

Коллеги,

Я извиняюсь, но у меня с этой схемой какая-то фигня получилась ... Питание уменьшил до 12В, ставил сопротивление резисторов в базе по 500 ом.

Но даже если замыкать базы напрямую, ток в них получается около 60 мА, а в нагрузке же ток не поднимается выше 350 мА. Т.е. Hfe получается около 6 вместо 750

Может, в такой схеме нельзя использовать составные транзисторы ...

[Gisteresis]

Схему с подписанными номиналами выложите.

[Andrew_A]

Gisteresis,

Очень рад Вас видеть, последняя надежда на Вас

Схему приводил 8 постов назад, еще при начале нашего обсуждения.

http://www.radiohlam.ru/teory/h-bridge.htm
Т1-Т4 BDX34C / BDX33C
R1 - 510 ом, но как я сказал даже если закоротить, то ток нагрузки не поднимается выше 0.35А (нагрузка в номинале жрет 4.5А)

[Gisteresis]

Закоротить что? R1?
Проверяйте все силовые транзисторы на исправность.
И транзисторы оптопар.

Нагрузка работает без моста?

[Andrew_A]

Gisteresis,

В начале естественно пробовал точно так как на схеме. С резисторами 510 ом. Ток базы был в районе расчетных 12 мА, ток нагрузки при этом вообще мизерный был. Вручную закорачивал транзисторы оптопар - дело не в них. Потом уже в отчаянии решил закоротить и резисторы. Ток базы получился при этом всего 60 мА. По даташиту можно до 250 мА, так что транзисторы целы. Но тем не менее потом заменил и их. Ситуация точно такая же. Нагрузка естественно работает при подключении напрямую к источнику, ест 4.5А. Help !!!

[Gisteresis]

В том то и дело, что нельзя давать больше 250, иначе пробой!
Удалив R1 мы создали схему в которой ток базы неограничен.
12-2.5-2.5-0.4=6.6В Которое создает КЗ.

Если транзисторы целые, тогда должно течь. Где то пробой мне кажется.

[Andrew_A]

Теоретически да. Но по факту там больше 60 мА не выходит. И почему тогда с резисторами не работало. Транзисторы живые, на нагрузке ток появляется, но очень маленький. И разумеется греются они т.к. видимо не полностью открываются.

Я вот думаю, может это все из-за того что эти транзисторы составные ? Хотя не вижу принципиальной разницы.

P.S. Может, имеет смысл попробовать не составные, например BD911/912. Но у них Hfe на 5А от 15 до 150 ... Но оптопара может до 60 мА коммутировать, т.е. Hfe нужно > 85. Я так понимаю, не факт что повезет.

[Gisteresis]

Потому что пробой где то, поэтому и не поднимается выше. Надо выпаивать проверять.
У меня мост работает от 12В, на составных TIP122/TIP127 полет нормальный.

Может, имеет смысл попробовать не составные, например BD911/912. Но у них Hfe

И что мы сделаем чтобы Hfe поднять? Прилепим еще маломощный по схеме Дарлингтона или Шиклаи. Получили то от чего ушли.

[Andrew_A]

Да проверял я. Повторно схему собирал на новых. Та же картина. А у Вас точно такая же схема на TIP112 ? Вверху PNP, внизу NPN и базы соединяются по диагонали через резисторы ?

[Gisteresis]

Фишка в составных, в том, что транзисторы сразу в насыщение заходят.

Вас точно такая же схема на TIP112 ?

TIP122.
Да. Только у меня вместо оптопар маломощные транзисторы. Но это ничего не меняет.

Диоды установлены?

[Andrew_A]

Тогда ничего не понимаю ... В насыщение они явно не входят, ибо в принципе схема работает но ток маленький.

Может, у Вас все-таки такая вот схема:



P.S. Диоды в самих транзисторах уже есть.