Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

MagicianT

Идём сюда http://www.datasheetcatalog.com/datashe ... F630.shtml и Fairchild Semiconsuctor
на фигуре 7 смотрим, что для тока 9А на затвор надо мин. 6В , а желательно больше.
Вообще транзистор не очень, на первой странице rDS(ON) = 0.400Ω , т.е потери мощности всегда больше чем P = I^2 х R = 9^2 x 0.4 = 32.4 Bt.

Реклама

КРАМ

креазот писал(а):Первое что пришло на ум после этой статьи — IRF630

Так кто же виноват, что у Вас на ум приходят глупости?

При выборе МОСФЕТа нужно не ток брать за основу, а допустимое напряжение на стоке, сопротивление канала при выбранном напряжении управления и общий заряд затвора (для расчета тока управления при переключении).

Реклама

креазот

MagicianT, спасибо за ответ.
не пойму, тоесть 32 ватта это минимум? во всех остальных случаях потери составят еще больше?

транзистор от Fairchild Semiconsuctor несколько иной чем в статье, у автора статьи сопротивление канала 0.35 Ом и выходные характеристики иные. те что на рисунке 6 в даташите

креазот

КРАМ писал(а): Так кто же виноват, что у Вас на ум приходят глупости?

нее.. это не мне они пришли на ум, это он так рассуждает в собственной статье. это цитата из его статьи

а как узнать сопротивление канала при выбранном напряжении управления?

Реклама

КРАМ

Сопротивление канала указано в даташите. И в этой же строке указано при каком напряжении затвор-исток оно измерено.
Для высокопороговых транзисторов это напряжение равно 10 вольтам, а для низкопороговых указывается пара сопротивлений канала - для двух значений напряжения управления.
Пример:

Реклама

просто КОТ

В таком случае, если логического МОСФЕТа под рукой нет, может проще взять тот же КТ819? У него падение составит 1...2 вольта.

Реклама

креазот

КРАМ, а Вы не могли бы назвать какой бы Вы поставили мосфет для этого примера из статьи, для нагрузки с током 8ампер 12 вольт.
чтобы я понял как надо делать правильно выбор

КРАМ

При токе в 8 ампер и 2 вольтах падения на коллекторе будет рассеиваться 16 ватт.
Это соответствует МОСФЕТу с сопротивлением канала 0,25 Ом.
Это очень посредственный МОСФЕТ.

просто КОТ

Я про случай, если ну нет совсем под рукой логического МОСФЕТА. А так -- да. Вариант не лучший.

КРАМ

креазот писал(а):КРАМ, а Вы не могли бы назвать какой бы Вы поставили мосфет для этого примера из статьи, для нагрузки с током 8ампер 12 вольт.
чтобы я понял

У Вас статическое управление или ШИМ?
Кроме того, раз Вы отказались от драйвера и если у Вас статическое управление, то среди продукции IR нужно искать транзисторы с первыми буквами IRL. Это транзисторы с низким порогом включения.
Например: http://www.irf.com/product-info/datashe ... 05spbf.pdf
При 5 вольтах затвор-исток сопротивление канала у него всего 10 мОм. То есть при токе в 8 ампер на нем будет рассеиваться всего 640 мВт.
То есть при тепературе окружающей среды 25 градусов температура корпуса без радиатора (но с пайкой к нормативному полигону в 1кв.дюйм платы) составит 40*0,64+25=51 градус.

креазот

КРАМ, меня интересует вариант со статическим управлением.
вообще я читал статью просто чтобы немного понять о мосфетах,я на них планирую сделать Н- мост для блока питания который буду использовать для гальванопластики.
до статьи я думал что у мосфетов потери гораздо меньше чем у биполярных транзисторов. поэтому так удивили результаты расчетов из статьи

креазот

КРАМ. большое спасибо за науку

креазот

а вообще в статье сами расчеты правильные? VDS на графике по оси Х это падение напряжения на транзисторе?

КРАМ

Лень вчитываться в статью, если честно.
Но по выходным характеристикам Вы легко найдете падение на транзисторе, зная ток стока. Выбираете из семейства ту кривую, которая соответствует напряжению затвор-исток в Вашей схеме и находите на ней точку с Вашим током. Получаете падение на исток-сток.

креазот

КРАМ писал(а):(но с пайкой к нормативному полигону в 1кв.дюйм платы) составит 40*0,64+25=51 градус.

а число 40 оно откуда берется? что это?

КРАМ

Из даташита.
Это тепловое сопротивление кристалл-среда при пайке корпуса на 1 кв. дюйм металлизации платы. Измеряется в градусах на 1 ватт и означает перегрев кристалла относительно среды при рассеивании на кристалле 1 ватта. Но так как тепловое сопротивление кристалл-корпус много меньше, я пренебрег им и указал 51 градус как температура корпуса, на самом деле корпус будет немного холоднее.

креазот

КРАМ, спасибо. Junction-to-Ambient, это оно самое?

этот коэффициен предназначен только для транзисторов в этом корпусе предназначенном для пайки на плату?

КРАМ

Для каждого транзистора в определенном корпусе существует этот параметр. Как и параметр тепловое сопротивление кристалл-корпус для расчета корпуса с радиатором.

baghear

Вот тут как-то читал как выбрать мосфет
https://hubstub.ru/electronics/89-kak-v ... osfet.html

креазот

КРАМ писал(а): Например: http://www.irf.com/product-info/datashe ... 05spbf.pdf
При 5 вольтах затвор-исток сопротивление канала у него всего 10 мОм. То есть при токе в 8 ампер на нем будет рассеиваться всего 640 мВт.

КРАМ, скажите, а как у Вас получилась цифра 640мВт?

у меня вышло 512мВт. но я наверно не правильно считал. я умножил сопротивление канала 0.008 Ом на ток 8А получил значение падения напряжения 0.064 Вольта и еще раз умножил на ток 8 А =0.512 Вт.

я не правильно считал?

baghear, спасибо.