отлична двухтранзисторный обратноход - рекуперация в конды фильтра. эффективное решение проблемы паразитной индуктивности рассеяния. и врожденное ограничение выходной мощности. у 170Вт ышо есть запас по просадке входного, а вот 230Вт он уже 50% льёт и регулирование исчерпано для входного: при снижении будет снижаться и выходное. интересно было б глянуть на выходное крупным планом в смысле пульсаций на развертке, где на экране 2...3 периода преобразования на полном газу 170...200Вт
душа человеческая темна и с легкостью обращается ко злу
Не, сделал классический обратноход + дополнительная обмотка гашения. При чем эту обмотку можно мотать более мелким проводом, чем первичная обмотка. Вся львиная доля выброса уходит через диод обратно в конденсатор. Благодаря этому RCD демпфером можно пренебреч. Сейчас стоит D-her208, C-12нФ (можно меньше, такой стоял) R-150 кОм.
И главное что заметил- что эллектролит больше не греется, как в обратноходе без этой обмотки гашения.
интересно было б глянуть на выходное крупным планом в смысле пульсаций на развертке, где на экране 2...3 периода преобразования на полном газу 170...200Вт
Как бы сказать - демпферная цепочка это зло!! 230 ватт не придел, можно и 250 дунуть, запас есть. Раньше в демпфере в место резистора стояла лампа 20 ватт.
На днях, пока выходные планирую травить плату, собирать... Но Вот вопрос закрылся, правильно ли поступаю?
Суть в том, что при включении усилителя лампы секунд 20 прогреваются, и в это время вторичные обмотки ни чем не нагруженны. От этого напряжение на конденсаторах в место положенных 400 подпрыгивает под киловольт.
1- Вот думаю в этот период увеличить число витков обмотки накала ламп, в место двух - там сделать 4-6 витков. От этого напряжение на аноде просчет до тех же 400-600 вольт.
2- А как лампа прогреется и попрет ток анода, что будет зафиксировано датчиком, то реле переключит обмотку накала ламп на два витка. То есть импульсник войдет в расчетный режим.
Знаю, что свободные от нагрузки обмотки надо грузить резистором, но эксперименты показали что этого монстра надо минимум грузить на 30ватт! Пробовал вешать 10кОм 10ватт резисторы, он их даже не замечает. Напряжение под киловольт.
Но учитывая что монстр под нагрузкой будет работать на 90% всей своей мощности, то дополнительная нагрузка на лампочки накаливания в 30ватт, ну не потяну их.
Почему выходные высоковольтные электролиты (с4, с11 ) греются? Вроде не дешевые, эпоксы низко импендансные.
Поставить более емкостные шунтирующие конденсаторы??
Там желтые, помехоподовляющие мкп, емкостью в микрофарад?!
видать большое значение пульсирующего тока. много для одной банки. надо параллелить, видать, несколько банок для уменьшения ESR. шунтирование не поможет. там на основной частоте Fsw ацкие пилообразные втекающе/вытекающие токи и соотношение емкости пленка/лектролит исчезающе мало, 0,33мкф/220мкФ ~ 0 имхо
душа человеческая темна и с легкостью обращается ко злу
Дожили. Раньше на нагрузку в 4 ампера накала ламп трудилась всего пара диодов sr560 (по диоду на канал (2 ампера на диод) , распределеная нагрузка) . Может они и грелись, но не так критично чтоб бить тревогу.
Тут же нагрузка каких то 5ампер. Сперва ставил stps20h100, влет Раскалялся до почти пробивного. Потом ставил 30cpq100, вроде терпимо, хоть и горячий.
Параллельно спаяная кучка sr560 из 6шт, тоже греется до безобразия.
От чего все? Нагрузка всего на ампер больше, чем в старом проекте. От того, что частоту ШИМ поднял? С 40кГц до 63кГц???
Есть ещё, пока не пробовал 50ти амперный СМД диод 50wq06 Как считаете- поможет бздюлька? не помогла.
Последний раз редактировалось WolfTheGrey Вс май 08, 2016 00:32:57, всего редактировалось 1 раз.
бусинки-ферритики на вход-выход ножек диода поставьте,они греться и перестанут.
просто посмотрите фронт....там нан 100 наверное....а теперь прикиньте,какова "задержка" да хоть в супер ультрафаст диоде при токе в 5А....как по вашему,какое время диффузирования и рассасывания заряда в P-N переходе,при таком токе....уж нихрена не 100 нан....вот вам и нужно "затянуть" входной и выходной фронт до хотя-бы 300-400 нан и все будет "зер гуд".
Современные транзисторы и драйвера с управлением в наносекундном диапазоне-это бич электроники,особенно сильноточной....и частота здесь совершенно не при чем.....вот попробуйте "затянуть" входной импульс(повысить от драйвера затворный резистор) и о,чудестное явление! диоды уже не греются.....правда теперь ключик греется и моща меньше.
Теперь вы знаете в какую сторону копать.
просто посмотрите фронт....там нан 100 наверное....а теперь прикиньте,какова "задержка" да хоть в супер ультрафаст диоде при токе в 5А....
Немного помогло . Бусинок нет, поставил на вход диода микро дроссель. (намотал два витка на кол-мю колечке). И диод 30cpq100, и эллектролиты стали меньше греться. Еще не на много подпрыгнуло анодное.
Фронт не изменился, как был 70-100 нан. Токи в импульсе там не 5ампер, 5ампер - это уже постояная нагрузка.
............
Красная линия - сток силового полевика,
желтая линия - то, что приходит на диод 30cpq100 после микродросселя. (без дросселя картина такая же, только восходящий фронт более крутой).
ПИСИ:
Провел многочасовое испытание. Без обдува градусов до 70-80 нагрелось все- трансформатор, микродроссель, все выходные диоды. Даже her508 горячие! При том что ток там не более 0.5 ампера.
Придется дроссель ставить перед всеми диодами.
Может поробовать поставить дроссель между трансформатором и транзистором? Затянется фронт включения трансформатора, при этом время включения силового транзистора останется в безопасной зоне.
один канал ослика до дросселя перед диодом,второй-после дросселя....смотрите задержку....ну там нифига не 300-400нан,как я писал...там даже 50 нет....ну и что вы хотите?
А вообще,такие вещи изначально просчитываются....берется генератор с регулируемой скважностью и ключиком в выходе,диод в прямом включении,последовательно резистор(токовый шунт) и дроссель(т.е. незамкнутый магнитопровод определенной индуктивности),вся эта кухня прогоняется по режимам(ток в импульсе диода(и дросселя БЕЗ ВХОДА ЕГО В НАСЫЩЕНИЕ!!!!!)=току в вашей схеме через данный диод,затем импульс резко рвется(время закрытия "ключика"-полевика много меньше времени рассасывания основных зарядов диода) и на токовом шунте смотрите время,которое диод "перемагничивается",т.е. время,пока заряды еще не успевают рассосаться и диодик проводит ТОК в обратном направлении(точнее в прямом,но когда уже к нему приложенно обратное напряжение(импульс ОЭДС)_)....исходя из этих соображений и подбирается дроссель для ДАННОГО ТИПА ТОКА(ампеража в импульсе)....т.к. время рассасывания основных носителей при токе через полупроводник в 0,5 и 5 ампер могут разнится почти на порядок....проверенно практикой.
Так-что все печально...при больших токах и ПРЯМОУГОЛЬНОЙ ФОРМЕ импульсов напряжения-на сглаживающем дросселе будут потери...но с другой стороны нагрев "железа" в виде дросселя более предпочтителен(в плане надежности),чем нагрет(такой-же мощностью) полупроводника....который потом легко может вылететь и потянуть за собой еще пол-схемы.
Вот почему сильноточные цепи выпрямления желательно "запитывать" синусоидальным напряжением....но БП становится уже резонансным(когда ключик(-и) попеременно коммутируют то дроссель(читаем первичную обмотку понижающего(повышающего) транса) то емкость(последовательный колебательный контур).
Так-что если есть стремление во что-бы то не стало запустить именно эту топологию на большие токи и при этом снизить нагрев "сквозными токами" выпрямительных диодов-подбирайте дроссели или ищите супер ультра фаст диоды с временем восстановления(при МАКСИМАЛЬНОМ ИМПУЛЬСНОМ ТОКЕ!!!) заявленном производителем <50нС....по тому как ваши рассчитаны по-ходу на 150нС и то при среднем(некомом,фиксированном производителем) токе....а у вас получается ударный ток(время от начала подачи фронта импульса и до начала движения носителей тока(появления реального тока)>> чем максимально допустимый импульсный ток через данный диод,т.к. фильтрующая емкость(да еще и зашунтированная керамикой) представляет из себя нагрузку с почти нулевым сопротивлением(для фронта импульса тока!)......и здесь либо первую емкость малую(100мкф) и далее дроссель и вторая на 2-3 тыс.мкф....но первый кондер будет работать по сути на переменке,т.е. на реактивных токах,а по сему греться как дурной,либо дроссель не входящий в насыщение и "растягивающий" импульс начала появление(точнее изменения от минимума до максимума>t рассасывания зарядов диодика)тока.
Здесь-только практика,эксперименты.....
Возможно,просто уменьшив "крутизну" фронтов (время открытия-закрытия ключа-полевика) удасться снизить потери мощности....о чем я:
к ПРИМЕРУ, в "нормальной" схеме у вас тепловыделение на ключе составляет 3,2 Вт....и на диодах 6+3+2+4....."затягиваете" фронты(т.е. открываете-закрываете полевик медленнее на 50-100нан)-тепловыделение на ключе-6,5Вт,диоды-2+1+0,5+1,5....т.е. в первом случае ОБЩЕЕ тепловыделение-18Вт,во втором-11Вт....хоть ключ и стал греться больше.....еще минус тепловыделение на демпфере....и в сумме мощность потерь(КПД) может быть ниже.
Простой пример....резонансный блокинг-генератор на 130КГц.....когда он просто "молотит" без резонансного конденсатора то ток потребления при 12 вольтах>3,6А....но с емкостью-уже 0,9А,а с правильно подобранной емкостью-уже 0,35А....да,имплитудное значение(размах) меньше,фронты исчезают,появляется "огибающая" в выходном сигнале.....но вот что интересно...мощность....в первом случае она составляет около 5Вт...а во втором>15Вт......при этом когда нагрузка есть(второй случай)-ток 1,7-1,9А...т.е. почти в два раза меньше чем при нагрузке в три раза меньшей величиной но для первого случая.
Как-то так.
P.S. пробуйте SF диоды....по качеству(на "крутизну" фронта тока) идут...HER,затем UF,затем SF
вот ваши диоды...время рекуперации тока-40нан....а у вас за этих 40 нан напряжение успевает вырасти до 50-70 вольт....итог,диод еще не успел закрыться,как к нему уже приложенно напряжение обратной полярности.....и это только через диод течет ток в 0,5А(в прямом направлении)....так-что когда у вас фронт закрытия будет равен или меньше времени рассасывания при "насыщении" током в 3-5А(не знаю,какое у вас заполнение импульсами),то после падения напряжения на обмотке ИП обратное напряжение с заряженных литов будет "шуровать" через диод,пока тот полностью не закроется....а какое у вас изменение от напряжения в скажем +400в до +350в? 30-40 нан?
ну вот и считайте....50 вольт прилаживается к диоду,пока он пытается закрыться....при этом в первоначальный момент времени (5-7 нан) его сопротивление позволяет пропустить через себя ток равный произведению напряжения на сопротивление(к примеру за эти 5-7 нан обратное напряжение изменилось на 3,5вольта....тогда эти 3,5 вольта создают в течении 5-7 нан импульс разрядного тока равный 3А....дальше по уменьшающейся экспоненте.
Почему я и рекомендовал уменьшать фронты.....как самый простой вариант-затвоным резистором.
Ваши наносекунды времени восстановления диода производитель пишет во первых для токов в 5-7 раз меньше максимально допустимых(рабочих),во вторых-для синусоидального(медленно меняющегося во времени) напряжения,т.е. время дэльтаU/дэльтаI<<Rутечки.....от того он практически не греется обратным током......и еще производитель не учитывает тот факт,что у P-N перехода есть емкость,которая меняется от приложенного обратного напряжения и емкость эта регламентируется для напряжения 4-10 вольт,но никто почему-то не задумывается,какой она будет при токе через диод в пару ампер....ну нифига не 100пик....на два порядка выше.....так как при прямой проводимости емкость перехода переходит в нанофарадный диапазон.
Сколько не мотай дроссель, а фронт включения практически не изменен. Отсеивается лишь мегогерцовый дребезг. Если намотать слишком большой дроссель, (на практике проверено) 30 мкГн достаточно, чтоб подавить обратноходовой импульс 6 вольтового канала.
Также попробовал ставить токоограничительные резисторы, терморезисторы. Ни что не затягивает восходящий фронт. Амплитуда падает, а время нарастания неизменно.
Еще момен- время наростания восходящего фронта на обратном ходу: первичной обмотки - 120нан, на вторичных обмотках 40нан.
Силовым транзистором я тут ничего не сделаю. Да и в книге написано, что затягивание включения полевика нужно для того, чтоб уменьшить шумы возникающие от паразитной емкости монтажа и намотки трансформатора.
WolfTheGrey писал(а):Также попробовал ставить токоограничительные резисторы, терморезисторы. Ни что не затягивает восходящий фронт. Амплитуда падает, а время нарастания неизменно.
смотреть нужно время нарастания тока а не напряжения
токовый шунт подцепите и все увидите.....дроссель дает задержку нарастания тока...еще как дает...главное что-бы феррит в насыщение не улетал(или наоборот,улетал,но после определенного времени по прошествии от начала фронта импульса тока....тогда удастся потери в нем свести к минимуму,т.к. после входа его в насыщение он уже работает как просто кусок провода с небольшой индуктивностью....но это все нужно подбирать.
Еще можно попробовать "затянуть фронт тока" через диод увеличением емкости RC-цепочки которая параллельно диоду....но это так-же нужно подбирать......в любом случае вам нужно растянуть фронт нарастания тока до приемлемых для данного типа диода значений.
и еще такой момент....а как сильно греются ваши диоды...просто на диоде падает напряжение,и при протекающем токе=мощность......ниже которой вы не сделаете......а то был у меня один товарищ,который кричал,что в буке проц сильно греется...аж 45градусов....и хотел охлаждающую подставку покупать....а когда я ему сказал,что для буков температура кристалла в 50 град.-это норма....все ни как не мог поверить.
Ну, градусов 70-80 точно есть. А с чего нер508 вообще должен греться? Если ток в импульсе там раз в 10 меньше максимального. Когда в драйвере стоят теже диоды - вон диод который подключен к обмотке гашения, тянет на себе паразитный импульс от которого 100 ватт лампочка светится в полный накал. И почему то эти диоды не греются. Да они теплые, но им простительно.
сделайте осциллограммку в которой(окне) вмещаются 2-3 импульса(без разницы,с стока или с выходной +400в).....я вам ее разрисую и объясню,с чего в обмотке размагничивания диод не греется,а в выпрямителе-как печка......а то на словах-тяжело,ранее описывал процессы по отдельности,но вы их,видимо,связать воедино не можете.
Ну это,конечно,если не в лом и есть желание разобраться в сути процесса......хотя повторюсь,ответ на ваш последний вопрос я уже дал ранее.
P.S. надеюсь у вас обмотка размагничивания выполнена правильно(с максимальной емкостной связью с первичкой,идеальный вариант-перевитый "канатик" или на худой конец параллельная намотка двух жил(аля бифиляр)_) и таким-же количеством витков как и первичная?.....а то окажется,что ищем сердце в ж..пе.....как говаривал один электрик.
Транс сами мотали?
P.S. надеюсь у вас обмотка размагничивания выполнена правильно(с максимальной емкостной связью с первичкой,идеальный вариант-перевитый "канатик" или на худой конец параллельная намотка двух жил(аля бифиляр)_) и таким-же количеством витков как и первичная?....
Все правильно там намотано. Конечно же в интернете информации не нашел как эту обмотку мотать, поэтому намотал ее по правилам: минимальной емкостной связи. Получается сперва намотал первичную обмотку в два слоя целиком, потом несколько слоев желтого электро-скотча, и в противопоожную сторону аккуратно растянул на всю длину каркаса обмотку размагничивания. Число витков обмотки размагничивания такое же как и у первичной обмотки. Только первичка моталась проводом 0.6, обмотка размагничивания проводом 0.315
Вобщем трансформатор впаян в плату, и вынуть его оттудова нет ни какой возможности - не испортив плату. По этому остается доделывать то, что уже имеется. На следующие выходные закралась идея попробовать поставить токоограничительный резостор за диодом. Мне кажется что это даст совсем иное поведение импульса.
Вот фотки (снимал под одной нагрузкой)
1я - сток полевика, 2я - типо меандр перед диодом, 3я - то, что я изучал по книжке (конечно же обратноход с обмоткой размагничивания - совсем иная песня)
писи: чем мне нравится эта топологя: тем что обмотка ВН канала хоть и не застолблена ООС, а стабильна в широком диаппазоне нагрузок. В данной модели под нагрузками от 40 ватт до 200 ватт напряжение на ВН канале проседает (точно не помню) вольт на 30 - 40.
...................
ранее описывал процессы по отдельности,но вы их,видимо,связать воедино не можете.
В самую точку. Понял только то, что ток в начале открытия диода адски огромный, а в момент закрытия диода через него успевает в обратку 15 ватт энергии проскачить.
WolfTheGrey писал(а):Все правильно там намотано. Конечно же в интернете информации не нашел как эту обмотку мотать, поэтому намотал ее по правилам: минимальной емкостной связи. Получается сперва намотал первичную обмотку в два слоя целиком, потом несколько слоев желтого электро-скотча, и в противопоожную сторону аккуратно растянул на всю длину каркаса обмотку размагничивания. Число витков обмотки размагничивания такое же как и у первичной обмотки. Только первичка моталась проводом 0.6, обмотка размагничивания проводом 0.315
ну нифига не правильно...первичная и обмотка размагничивания должны иметь МАКСИМАЛЬНУЮ ЕМКОСТНУЮ СВЯЗЬ!
WolfTheGrey писал(а):На следующие выходные закралась идея попробовать поставить токоограничительный резистор за диодом. Мне кажется что это даст совсем иное поведение импульса.
ничего это не даст,кроме нагрева резистора.....неужели так тяжело токовый шунт в минус питания перед литами всунуть и осликом посмотреть токовый импульс?(задержку токового импульса относительно импульса напряжения(скорость нарастания тока+задержка("размазанность") начала фронта тока)_)
WolfTheGrey писал(а):Понял только то, что ток в начале открытия диода адски огромный, а в момент закрытия диода через него успевает в обратку 15 ватт энергии проскачить.
в точку!.....средства борьбы с этим явлением-я описывал.
P.S. не хочу показаться невеждой,но осцилки относительно чего делались?(плюса-минуса питания.....какого?)
и ваш тот ВЧ звон колебаний,просто умиляет....говорите правильно транс намотали...ну-ну.....а ниче,что первичка образует контур с добротностью~20.....и это еще обмотка размагничивания имеется(хотя,с такой топологией намотки мне так кажется,ее наличие-до одного места на потолке)...там максимум должно быть два-три импульса...но нихрена не 15-20....мало того что фронты крутые,так еще и наносекундный звон по выходу......зазор я так полагаю(судя по фронтам и звону) в сердечнике лупанули 1-1,5мм? не жирно-ли?....для таких частот?
И на будущее....на такие мощности и однотактные схемы первичка мотается во первых-не за один присест(2-3-4 секции),во вторых-если нет обмотки размагничивания-то параллельно с леской(для уменьшения емкости обмотки)-это если позволяет объём каркаса и в третьих,расстояние между половинками не более 1мм,так как зазор в 1мм выводит частоту работы феррита >150кГц(а кто вам сказал,что сам феррит рассчитан на такую частоту...вот он и греется).....на ваши 60-достаточно 0,5-0,6мм(и то,это с запасом).
Короче.....меняйте транс и все перестанет греться....это-самое благоразумное решение на данный момент.
P.P.S.ответьте относительно чего замеры делались,подрисую на картинках участки отвечающие за нагрев.....хотя,в свете новых "явлений" не вижу смысла в извращениях.....но раз обещал-опишу.
двухтранзисторный обратноход - рекуперация в конды фильтра. эффективное решение проблемы паразитной индуктивности рассеяния. и врожденное ограничение выходной мощности. у 170Вт ышо есть запас по просадке входного, а вот 230Вт он уже 50% льёт и регулирование исчерпано для входного: при снижении будет снижаться и выходное. интересно было б глянуть на выходное крупным планом в смысле пульсаций на развертке, где на экране 2...3 периода преобразования на полном газу 170...200Вт
