У этого транзистора 8 мОм канал имеет только при 10 вольтах на затворе.
При 5 вольтах - 10 мОм.
При 4 вольтах - 13 мОм.

привет.
а как рассчитать площадь полигона по D2Pak? може таблицы какие существуют? чтоб приближенно хотя бы

привет, многоуважаемые спецы.
у меня есть полевые транзисторы КП723а, судя по справочникам у них входная емкость равна 2500 пФ, время включения 130 нС, необходимо построить на них ключи, напряжение подаваемое на затвор равно 10 В. как правильно расчитать зарядную силу тока затвора чтобы транзистор открывался за заявленные 130 нС?

прочитал в одной статейке что формула такова I=входная емкость * напряжение на затворе / время включения, иными словами I=2500пФ*10В / 130нС. правильная ли это формула? если исходить из нее зарядный ток получается 192мА, как то мало, вроде.. или нет, все правильно?

Здравствуйте, Уважаемые!
Никогда не работал с MOSFET. Понадобилось коммутировать клапан 24В, 0,5А ШИМом, частота 15 Гц. Сигнал управления - с аналогового выхода контроллера 4..20мА.
Транзистор RDS(on) = 4,8 мОМ (при VGS = 4.5V, ID = 17A); VGS(th) от 1,25 до 2,35.
Такая схема будет работать адекватно?

У контроллера токовый выход ШИМ?

в такой схеме транзистор будет долго переключаться и иметь большие потери. Нет защиты транзистора от перенапряжения при выключении. Вам лучше добавить драйвер и параллельно реле подключить диод.

Как бы -да. Прямоугольные импульсы длительностью от 1 до 65 мс. Период 66 мс. Амплитуда 1=14В, 0=2,8В

(Наверное, имелось в виду "параллельно реле подключить диод". Согласен.)
Вопрос, насколько долго? Доли миллисекунд меня бы устроили. Драйвер, безусловно, хорошо, но тут даже просто интересно попробовать без драйвера. Токи маленькие, скорости небольшие, перенапряжения, вроде не должно случиться.
Что-то наподобие такого дИвайса:

Прикупил HGTP5N120BND(именно D, с диодом), но мультиметром в режиме проверки диодов этот самый диод не прозванивается, как-будто он в обрыве.... а в режиме измерение сопротивления мультиметр показывает сопротивление только в одну сторону, как-будто стоит диод... как так? это нормально?

Проверил HGTP7N60A4 - ведет себя точно так-же.... но там и нет этого обратного диода...
..как-же тогда убедиться что мне продали именно HGTP5N120BND, а не HGTP5N120BN ??

ЗЫ. сами транзюки вроде рабочие - лампочку "зажигают" и "гасят" как надо...

измерьте другим мультиметром падение напряжение на диоде (транзисторе) при этом. Если очень низкое, значит такой мультиметр.

Проверял тремя тестерами(m838, my64, vc99) - результаты одинаковы.
..судя по даташиту падение от 2.7 до 3.5 вольт.... пробовал подавать до 6 вольт - все глухо

Каким образом Вы "подавали" эти 6 вольт?
Кстати, диод в IGBT чаще всего не перекрывает характеристики самого транзистора. Практика показывает, что ставить внешний лучше.

Да как обычно - подаю с ЛБП через резюк, на резюке измеряю напряжение....
Может быть и так, но я ничего не изобретаю, я просо пытаюсь починить.... а там, в инверторе, стоит пара именно с диодом

поэтому мультиметры и не могут показать падение напряжения на этом диоде, они только до 1999 мВ могут.+ на эмиттер, - на коллектор? Ну и измерять падение напряжения нужно на диоде, а не резисторе.

эээ, откуда такие данные?

Измерил напряжение проверки диодов на мультиметрах - везде около 2.7-2.8 вольт...
..да и какая разница чем мерить, когда он и на 6 вольт не "открывается"??

Да мне несложно вычесть одно из другого... просто подключать так было удобней...

Ну как бы в режиме прозвонки переходов прибор показывает падение напряжения на нём, а на индикаторе помещается максимум 1999.
На щупы для прозвонки выходит порядка 3 вольт, это верно. vc99 может и намеряет чего-то побольше, не знаю, но не намного судя по двум батарейкам в питании. Если от внешнего источника диод не открывается, то значит его там нету, может перемаркер китайский.

Да, действительно, показывают падение только до 2 вольт... как-то раньше даже и не задумывался над этим

Похоже что так - перемаркер китайский....
..т.к. по даташиту 3.5 это при 10А., а так падение должно быть меньше двух вольт и следовательно диод должен прозваниваться...

в IGBT нет внутреннего диода, только встроенный. Чем лучше внешний встроенного?

Я в каком то месте определял конструкцию диода в IGBT?
Какая разница какой он?
Я говорил лишь о его параметрах.
Предельно допустимый ток диода, как правило, ниже предельно допустимого тока IGBT.
По крайней мере в продукции IXIS и IR/Infineon я столкнулся с таким "явлением".
Возможно есть и иные примеры.

Зачастую ещё и динамические параметры очень плохие у этих диодов и только некоторые производители специально встраивают диоды с хорошими динамическими характеристиками, что обычно афишируется мигающими буквами.

P.S. виноват, это к полевикам относится.