Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

strengerst

При такой мощности и тем более при работе от аккумулятора лучше использовать ШИМ, а не линейный регулятор.

А в чем преимущества кроме перегрева транзистора?.

см. график 8, только там нет режима DC, но данный транзистор подойдёт.

Я так понял тепловой пробой до 175 С мне не грозит и электрический до 50А и 60В. Но это и так все в даташите написано словами зачем к графе обращаться. .

Мне больше интересно как подобрать резистор для затвора что бы получить пропускную способность транса в 1А. Только методом тыка или есть какой то расчет.

Реклама

mickbell

strengerst писал(а):
При такой мощности и тем более при работе от аккумулятора лучше использовать ШИМ, а не линейный регулятор.
А в чем преимущества кроме перегрева транзистора?

Даже при двенадцати вольтах питания мосфет в линейном режиме в самом тяжёлом случае будет рассеивать 25 Вт мощности, а в реале, при четырнадцати с хвостиком - чуть ли не сорок. Без солидного радиатора он моментально перегреется и умрёт. Радиатор ему нужен не меньше чем 500 кв. см площадью. Не хило, да? И с такой-то будет ощутимо тёплый.

Реклама

strengerst

Да при таком то выделении температура явно больше будет 175 С и наступит тепловой пробой. Хотя разработчики по даташиту заверяют что он может выдержать 150W. Но это при хорошем радиаторе и температуре меньше 175 С. А я его на термопасту и на кузов автомобиля кину. Хотя лучше шим сигнал от микры расмотрю, так как там сигнал от микры будет постоянный и не зависит от скачков напряжения на АКБ допусти при том же работе генератора.

neon

радиатор от процессора с вентилятором, всё остальное страшилки. Вот работу MOSFET в линейном режиме вы себе плохо представляете. В вашем случае транзистор при падении на нём около 11 В сможет пропустить через себя около 3 А, да и то, при хорошем охлаждении. Сравните теперь с вашими 50 А для импульсного режима. Вот для этого и необходимы графики, а не граничные значения.

Реклама

mickbell

strengerst писал(а):А я его на термопасту и на кузов автомобиля кину.

Плохой вариант. Кузов тонкий, и наверняка стальной, не алюминиевый, плохо будет отводить тепло. Лучше, конечно, так, чем совсем ничего. Ну и термопастой не обойтись, ухо мосфета надо изолировать от корпуса электрически.

Реклама

strengerst

Тогда точно ШИМ. Всем спасибо

Реклама

askmix

Здравствуйте, подскажите пжалуйста есть два SSR реле GTD-W-5A (оно полярное с обратным диодом) всё что на него нашел Control mode: DC DC control
Load current: 5A
Load voltage: 5-220VDC
Control voltage: 3-32VDC
Off time: less than 10mS
Dielectric withstand voltage: 2500VAC
я так понял там на выходе MOSFET, посоветуйте знающие люди можно выходы включить встречно чтоб стало одно реле на переменку? понимаю симисторы удобней, но нужно чтоб переключалось быстрее, может схемы видели на mosfet? И как узнать допустимое обратное напряжение выхода и ток диода.

AndTer

askmix писал(а):включить встречно чтоб стало одно реле на переменку?.

Максимальное напряжение 220В как то уже напрягает. В сети оно может оказаться заметно больше.
А так, воткнуть это реле в диодный мост соответствующей мощности и будет коммутировать переменку.

kaetzchen

если загуглишь "mosfet ssr circuit" получишь тьму простейших схем для переменки втч. там делов на 10 минут

mickbell

AndTer писал(а):Максимальное напряжение 220В как то уже напрягает. В сети оно может оказаться заметно больше.

Это "может оказаться" случается каждые 10 миллисекунд.

Даже номинальное значение амплитуды сетевого напряжения 310 В. Короче, если напряжение чего-то меньше 400 В - то к сети с ним лучше не подходить.

askmix

благодарю за ответы, думаю сделать что-нибудь подобное

"This circuit acts as an AC/DC relay with a rating up to 50 volts peak and up to 10 amps of current. The differential oscillator supplies voltage to the gates of the two FETs with good isolation will drawing only 1.5ma of current. Source: discovercircuits"
питание затвором.. с транзисторами высокого напряжением работать будет? насколько быстро сможет открываться и закрываться? Может под закрытие такое же управление сделать? Насколько надежно пользоваться для развязки конденсаторами? Ну и (я так понял) на схеме обратные диоды для упрощения пропущены?

mickbell

Будет.
Открываются быстро, закрываются за время приблизительно в единицы миллисекунд.
Можно и на закрытие.
Хорошо если найдёте X- или Y-конденсаторы на такую ёмкость. Если нет, ищите хотя бы высоковольтные, не меньше чем на киловольт.
Паразитные диоды сток - исток присущи мосфетам, иногда рассчитывают на них, как здесь, к примеру.

Cahes

Не могу понять - как мощные мосфеты используют на высоких частотах - несколько мегагерц? Типичный мосфет на десять ампер и двенадцать вольт, пусть IRF460. По моему у него соотношение времени заряд/разряда затвора к периоду будет таким - что он будет греться не хило, если вообще успеет выключиться до следующего включения.

mickbell

Ведь почему мосфет долго включается-выключается? Потому что у него огромная ёмкость затвор-исток, и её в ходе ШИМа, или просто включения-выключения, приходится всё время заряжать-разряжать. Другое дело - работа на одной частоте, как в радиочастотных усилителях мощности. Здесь эту ёмкость можно просто скомпенсировать индуктивностью. Получится контур, настроенный на рабочую частоту (или середину диапазона частот). Но так можно делать только для узкополосных девайсов. Иначе - просто тупо мощным драйвером как можно быстрее заряжать-разряжать ёмкость затвора. Что касается конкретных величин: ёмкость в единицы нанофарад, сопротивление в единицы омов - постоянная времени в десятки наносекунд. Для сравнения: если частота 1 МГц, то её период 1000 наносекунд.
(Я не упоминаю миллерову ёмкость, смысл от её опускания не меняется.)

Cahes

mickbell писал(а):...ёмкость можно просто скомпенсировать индуктивностью. Получится контур, настроенный на рабочую частоту...

Жесть!

mickbell писал(а):...ёмкость в единицы нанофарад, сопротивление в единицы омов - постоянная времени в десятки наносекунд. Для сравнения: если частота 1 МГц, то её период 1000 наносекунд.

А, то есть временное соотношение не так уж и катастрофично...

Спасибо.

mickbell

Cahes писал(а):Жесть!

Жесть или не жесть, а схемы такие мне попадались. С IRF530N, кажется. Диапазон - сиби, 27 МГц.

Cahes писал(а):А, то есть временное соотношение не так уж и катастрофично...

Тем не менее, учитывать нагрев из-за затянутых переходных процессов приходится, ибо он есть и может быть очень даже ощутимым - так, что придётся ставить более мощный мосфет и лучше охлаждать его, вплоть до вентилятора.

Foton-4n

А кто знает есть ли полевики с напругой стока не ниже 40В и нормальным напряжением на затворе не выше 6В? Надо бы для коммутатора нагрузки 6-35В что бы без дополнительных DC-DC обойтись.

КРАМ

Все МОСФЕТы с логическим управлением имеют нормированное сопротивление канала при напряжении затвор-исток 2,5...4,5 вольта. У IR/Infineon это обычно означают буквой L в назании (IRL...).

Martel-

Поглядел в сети про КП307. (мне несколько штук подарили)
И вижу, что их ставят вровень с КП303.
Хмм....мне нужнее КП303, но это же Н-канальные, а КП307 П-канальные.

И они взаимозаменяемы и канальность пофигу?

Плюсик

Martel- писал(а):Но ведь КП303 Н-канальные, а КП307 П-канальные.

Очень хочется почитать, где такое написано.