Даже незнаю, наверное для начала нужно разобратся с разницей работы транзистора в линейном и ключевом режиме.alpatov писал(а):Подскажите, наконец то в каком правильном направлении мне двигаться?
Концептуальной разницы на самом деле нету. Можно делать модули по 100Вт и собирать их вместе и вконце обернуть это все дело ОУ который будет стабилизировать параметры каждого модуля выставляя опорники для каждого модуля но проходящий ток мерять нужно у всех. Подумайте в этом направлении, в этом случае "могие нестабильные параметры нагрузки" будет стабилильными.alpatov писал(а):Как сделать 2 кВт нагрузку.
На самом деле снять можно. Проблему тут не в этом, проблема в том что есть такой параметр нагрузки как минимальное напряжение при максимальном токе (проще говоря, при каком минимальном напряжении нагрузка сможет выдать свой максимальный ток). Так вот. В линейной нагрузке обычно есть либо датчики тока для каждого модуля, либо баластные резисторы каждого транзистора. Если сопротивление этих резисторов поднять, то можно снять с транзистора + этот резистор что угодно, но, чем больше сопротивление этого резистора, тем больше минимальное напряжение, которые требуется для того что бы выдать максимальный ток. Если вы не хотите использовать маленькое напряжение и большие токи, то можно поднять сопротивление баластных резисторов.alpatov писал(а):В линейном режиме вы никогда не снимите 450 Вт нагрузки с 4 транзисторов 740. 740 максимум отдаст 50 Вт (37 Вт рекомендуемое), и того получаем 200 Вт.
Но что если все таки надо? Нужно что бы при 1.2В выдавалось 20А к примеру? Вот тут та и приходит на помощь ключевой режим транзистора.
Берем транзистор, шим и резистор (образно, что понять как это работает). Соединяем это все дело и получается что мы имеет достаточно маленькое общее сопротивление поскольку транзистор работает в ключевом режиме и всегда когда открыт имеет низкое сопротивление. И тут мы впринципе можем вместо сопротивления ставить хоть ТЭН да греть его до красна сколько угодно. Соответсвенно ТЭН будет греться сильнее поскольку его сопротивление будет больше, а транзистор будет всегда иметь маленькое сопротивление (сопротивление открытого канала)
Разница есть, и разница эта колоссальна. В одном случае нагрузка принимает вид чистого сопротивления, в другом, нагрузка дергается ~50 тышь раз в секунду то создавая нагрузку, то отпуская выход. Естественно для маленьких токов, применять линейную нагрузку просто необходимо, потому что есть вещи которые могут ключевой режим не пережить. Для больших токов это уже менее критично.alpatov писал(а):По вашим убеждениям, я понял, что нет разницы нагрузки между импульсной и линейной, все равно энергия потребления в тепло превращается любым способом
Выше я уже писал, кончайте форумы читать и идите считать, когда считаешь все сразу понятно становится.alpatov писал(а):Я до сих пор не могу понять, почему на полумосте у меня получилось 450 Вт ?
