Двухтактный транзисторный безтрансформаторный, без фазоинверсного каскада, класс АБ. Двухполярное питание.
Rн = 12 Ом, Pн=30Вт.
Выходит, амплитуда в нагрузке Um нагр = корень(2*Pн*Rн) = 26,8 -> 27В. Питание плеча Eпл = 27в +2(падение) = 29в. Примем 30В. Двухполярное питание = +-30В. Ток в нагрузке Im нагр= Um нагр / Rн = 27/12 = 2,25А.
Подберём транзисторы VT1, VT2 (вых. каскад, разной структуры) по параметрам:
Fгр >= (2..4)*20кГц = 80 кГц
Pк >= 0,3*Pн = 0,3*30 = 9 Вт
Iк >= 1,2*Im нагр = 1,2*2,25 = 2,7А
Uкэ >=1,2* 2Eпл = 1,2* 2*30 = 72 В
Подходят КТ816Г (p-n-p), КТ817Г (n-p-n): f>3MHz, 25W, 100V/ 3(6)A
VT1,VT2: h21 min = 25
Iб (VT1) = Iн/h21 = 2,25A/25 = 90мА => Iк(VT3) = 100мА
Uкэ VT3 >= Eплеча = 30в
Берём КТ502е, КТ503е: h>40, 150мА, 350мВт
Следует на VT3: Iб (VT3) = Iк VT3 / h = 100мА/40 = 2,5мА
4 перехода кремниевых дадут падение 4*0,66в = 2,64 Вольт.
Берём VT5 (предварит. усиление): Iк >= 2,5мА, Uкэ> 2Епл = 60В. Подходит КТ503е (h>40, 150мА, 350мВт).
На коллекторе VT5 нужно выставить Uк = (Eпит - 2,64 ) / 2 = (60-2,64)/2 = 28,68в. Мощность на коллекторе = 2,5мА * 28,64в = 71,7мВт < 350мВт. Режим подходит.
Диоды берём кремниевые, как и транзисторные переходы.
Напряжение на R3 = 28,64В (как и выше указано). При токе базы VT3 = 2,5мА получаем по закону Ома R3 = 28,68в/2,5мА = 11,47кОм == 12 кОм.
Подстроечный резистор R4 при токе 2,5мА обеспечивает U = 0,66в. Поэтому R = 0,66/2,5мА = 264 Ом == 470 Ом.
Делитель R1-R2. Обеспечивает напряжение на базе VT5 = 0,66в. Т.о. при h21>40 ток базы Iб = 2,5мА/40 = 0,06мА.
Выберем ток через R2: I = 10*Iб = 0,6мА (устойчивость режима усиления). Отсюда по закону Ома R2 = 0,66/0,6мА = 1,1кОм. Также является значением входного сопротивления усилителя.
Ток через R1 = I (r2) + Iб = 0,6мА + 0,06мА = 0,66мА. Однако Ur1 = (Eпит/2) – Uб = 60/2 – 0,66в = 29,34в. Следует R1 = 29,34/ 0,66мА = 44,45кОм == 43кОм.
X(Cвх) << Rвх, 1/(2п*20гц*С)<<1000, С >> 1/(2*pi*20*1000) = 8мкФ. Выберем Cвх = 10 мкФ.
Вроде как-то так.
Оконечный каскад понятно. В предварительном режим А, т.е ток покоя в 2-3 раза больше входного тока следующего каскада. Тогда и мощность на транзисторе - соответственно. Входной каскад - исходя из реальной схемы. Входное сопротивление каскада - сопротивление входного делителя, режима каскада, параллельно входному динамическому сопротивлению транзистора в рабочей точке. Для схемы с ОЭ Rвх~Rb+[25mV/Ie+Re]*h21, где Re-сопротивление резистора в цепи эмиттера, Rb- объемное сопротивление базы транзистора. Соответственно, придется учесть новое значение разделительной входной емкости. И еще, при резистивной нагрузке каскада усиления напряжения не получите заданную выходную амплитуду сигнала на выходе усилителя, придется или поднимать питание на 30-50%, или делать вольт добавку для каскада или ставить в нагрузку усилителя напряжения источник тока. Но питание нужно повысить все равно на 10-20% т.к. коэффициент передачи по напряжению каждого эмиттерного повторителя (ЭП) меньше единицы ( падает амплитуда сигнала на эмиттерном переходе) и еще напряжение насыщения выходных транзисторов.
Понимаю, что, скорее всего, это задание по курсовому усилителей. Иначе- была бы другая схемотехника и вопросы.
Только , есть смысл научиться моделировать в симуляторе. На выбор - MicroCap. Или Multisim. Отловите все ошибки, сэкономите время . тогда уже и 
звук. 
Кроме фазы (её кручение на нижнем частотном диапазоне). Это вольтдобавка - кондёр с общей точки и вверх?
- то может сразу однополярное питание сделать, а конденсаторами среднюю точку для динамика... вроде от постоянки на выходе спасёт 
)