Разве это так страшно? Я не думаю что больше 10 процентов коэфицент связи уменьшится. К тому же у серденика габаритная мощность ну под 70-100вт будет. А я его на ватт 10-15 от силы буду использовать
И чем вам моя схема не нравится. Её цель пристроить строчные транзисторы.
Страшно.
От этого зависит скорость открывания и закрывания транзисторов, при большой индуктивности рассеивания транзисторы драйвера вообще не смогут закрыть ключи, хота для утуба пойдёт.
Тем кого не устаревает наличия ошибок в моем тексте, оставляю права не пользоваться моими советами или просто не читать мои сообщения.
Тогда у меня вопрос. А почему у меня индуктивность рассеяния высокая? Обмотки близко друг к другу. Единствное что не распределены по всему сердечнику, но ш образные трансформаторы тоже не имеют равномерного распределения обмоток. Плюс так строчники мотают.
Но когда запитывают строчник от двухтактника, то наматывают витки на противоположной стороне.
Ладно допустим это хорошо в таких блоках питания так как индуктивность рассеяния спасает ключи от смерти
Но как же тогда Ш образные трансформаторы? Витки там не распределены по всему магнитопроводу. Однако на них намотан в комп БП ТГР
а кто вам говорил что обмотки должны быть распределены?
Для маленькой индуктивности рассеивания нужно что бы витки были как можно ближе друг к другу. Разные трансформаторы допускают разную индуктивность рассеивания, трансформатор для управления транзисторами стараются мотать как можно качественней. Чем меньше индуктивность рассеивания тем лучше управления транзисторами.
Тем кого не устаревает наличия ошибок в моем тексте, оставляю права не пользоваться моими советами или просто не читать мои сообщения.
При большой мощности и неравномерным распределением обмоток возможно насыщение сердечника где витков больше всего. Так как часть магнитных линий замыкаются вне сердечника.
Тем кого не устаревает наличия ошибок в моем тексте, оставляю права не пользоваться моими советами или просто не читать мои сообщения.
Телекот писал(а):Так как часть магнитных линий замыкаются вне сердечника.
А если первичная и вторичная обмотки находятся в разных местах сердечника то есть явление выталкивания магнитных линий из сердечника. И чем больше частота тем больше эффект.
Тем кого не устаревает наличия ошибок в моем тексте, оставляю права не пользоваться моими советами или просто не читать мои сообщения.
Кстати. ПО подобной схеме запатентован сварочный инвертор. Правда там автогенератор. Схема со внешним возбуждением более стабильная в работе. Так что потенциал у нее большой. http://www.findpatent.ru/img_show/429502.html
Так же я не раз упоминал о схеме где 2 транзистора соединены парралельно и достигается мощность 1.5 квт. с КТ838А реально снять таким образом до 1 квт. А если 10 транзисторов парралеьно соединить то сварку потянет. Правда выравнивающие резисторы надо подобрать http://www.diagram.com.ua/list/power/power422.shtml
Так что не торопитесь старые транзисторы выкидывать
есть ещё один способ реализовать малой кровью коммутацию(и, довольно скоростную) этих древних мамонтов.
для простых, относительно маломощных, ибп, ибп без стабилизации выходного - может быть избыточен, но реализовать мощности выше 0.5квт в составе стабилизированного ибп, имея ограниченную элементную базу-вполне годится.
правда потребуется вспомогательный источник на 2-4в(может быть в составе стенбай источника, источника питающего шим-контроллер). применить каскодное включение: полевой низковольтный транзистор включенный в цепь эмиттера биполярного, на базу биполярного подключить через токоограничетельный резистор вспомогательный источник.
что имеем:
за счет малого напряжения сток-исток(эффект Миллера) получаем легкое управление относительно многоамперными ключами,
низкое сток-исток позволит применить и довольно "легкий" низковольтный ключ - можно управлять напрямую с шим-контроллера или, при необходимости, через слаботочную опторазвязку .
за счет включения биполярного транзистора в схеме с общей базой имеем более быстрый выход оного транзистора из насыщения -можно уже пробовать реализовать частоты коммутации выше классического применения этих транзисторов(включенных оэ).
полевые транзисторы будут рассеивать ничтожную мощность(применимы и в смд исполнении, например демонтаж с материнских плат), даже на нескольких десятках ампер коммутируемого тока - радиаторы потребуются только для биполярных.
таким образом можно утилизировать запасы высоковольтных биполярников реализовывая малоключевые топологии - прямоходы с размагничивающей обмоткой, обратноходы.
двух и более ключевые - уже будет усложнение конструкции, хотя имея один многоканальный(к примеру, для полного моста-нужно 3 канала) вспомогательный источник и это возможно.
Имхо ПОС по току проще и лучше так как ток базы пропорционален току коллектора. Я думаю по такой схеме сварочный инвертор склепать если штук 8 15 амперных НОТ транзисторов от мониторов найду.
Внимание! В схеме и на плате обнаружена ошибка. Место соединения 1 и 16 ноги нужно подсоединить к - выводу шины 15В
У меня печатка уже месяц готовая стоит, но пока тонких сверл для неё найти не могу
