Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Здесь принимаются все самые невообразимые вопросы... Главное - не стесняйтесь. Поверьте, у нас поначалу вопросы были еще глупее :)
Аватара пользователя
mickbell
Друг Кота
Сообщения: 16389
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Откуда: Екатеринбург

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение mickbell »

fisher015 писал(а):Сейчас Вы меня полностью ввели в заблуждение...А разве если я просто к примеру уберу R4 то напряжение на затворе P-полевика не станет автоматически равным -12В при открытом канале N-полевика? Где же ему упасть если не на R4?
ОК, давайте разбираться. Прежде всего, дабы не быть превратно понятым, объясняйте применённые термины, если они допускают разное толкование. Что значит "уберу R4"? Оставите вместо него обрыв или соедините перемычкой? И ещё: относительно чего напряжение на затворе равно минус 12 вольт? Принято измерять напряжения относительно общего провода, в данном случае - относительно цепи GND. А относительно её минуса на затворе ну никак не будет, неоткуда ему взяться.
Дальше. Допустим, R4, как нарисовано в схеме, номиналом 10 кОм. А теперь - внимание, вопрос. Какой величины падение напряжения на нём и почему?
И хрюкотали зелюки,
Как мюмзики в мове.

На каждый РКН
Найдётся VPN.
Реклама
Аватара пользователя
fisher015
Родился
Сообщения: 19
Зарегистрирован: Пн мар 20, 2017 07:24:57
Откуда: Уфа

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение fisher015 »

mickbell писал(а):ОК, давайте разбираться.
С большим удовольствием!

1) Уберу R4 - значит оставлю перемычку вместо него.
2) По моему понятию, падение напряжения на R4, во время заряда внутреннего конденсатора, а значит открытию канала, должно равняться сопротивлению резистора R4 умноженному на протекающий через него ток.

Вопрос: как узнать ток заряда?

P.S.: наверное корень всего зла в моем непонимании понятия отрицательного напряжения. Я думаю что на контакте +12В напряжение равно +12В а на контакте GND равно -12В. То есть если любоый вывод любого элемента соединен с GND, то на нем автоматически -12В. И меряю я это просто поменяв щупы тестера местами, ставлю чёрный на +12В, а красный на GND...
Последний раз редактировалось fisher015 Ср мар 22, 2017 11:28:18, всего редактировалось 1 раз.
Мы все учились по-немногу, чему-нибудь и как-нибудь...
Реклама
Аватара пользователя
mickbell
Друг Кота
Сообщения: 16389
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Откуда: Екатеринбург

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение mickbell »

fisher015 писал(а):2) По моему понятию, падение напряжения на R4, во время заряда внутреннего конденсатора, а значит открытию канала, должно равняться сопротивлению резистора R4 умноженному на протекающий через него ток.
Ну да, почти всё правильно. Требует уточнения выделенное. Канал открыт не только во время зарядки ёмкости затвора (именуемой здесь внутренним конденсатором), но и после этого. Вы, наверно, это тоже имели в виду, просто не очень понятно и лучше уточнить.
fisher015 писал(а):Вопрос: как узнать ток заряда?
Об этом тоже расскажу. Но сначала скажите, как узнать установившийся ток затвора.
И хрюкотали зелюки,
Как мюмзики в мове.

На каждый РКН
Найдётся VPN.
Аватара пользователя
fisher015
Родился
Сообщения: 19
Зарегистрирован: Пн мар 20, 2017 07:24:57
Откуда: Уфа

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение fisher015 »

mickbell писал(а): Но сначала скажите, как узнать установившийся ток затвора.
Хотелось бы на Ваш суд вынести всё моё понимание работы P-канального полевого транзистора в преведенной мной выше схеме: итак, когда подачей +5в на затвор, открывается N-канальный мосфет, то затвор P-канального мосфета начинает заряжаться от -12В за вычетом падения напряжения на R4, потому что в даташите написано, что. -12 В это максимальное значение Vgs, в это время через R4 течет большой ток, канал исток-сток начнет открываться, когда затвор зарядится, то канал останется открытым, а вот затворный ток резко упадет и останется равным току утечки затвора (затрудняюсь ответить прямому или обратному), а значение его будет равно 100 нА или 0.0001 мА, это значение из даташита.

P.S.: оцените пожалуйста мои кривые понятия об отрицательном напряжении, из предыдущего моего поста. Сейчас параллельно читаю про отрицательное напряжение, и понимаю что -12в в моей схеме нет вообще...
Мы все учились по-немногу, чему-нибудь и как-нибудь...
Реклама
Эиком - электронные компоненты и радиодетали
Аватара пользователя
mickbell
Друг Кота
Сообщения: 16389
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Откуда: Екатеринбург

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение mickbell »

Всё правильно. Обратите внимание на ток утечки: максимально 100 нА. Минимально он имеет право быть хоть совсем нулевым. Впрочем, на десяти килоомах упадёт всего лишь один милливольт, что можно вовсе не учитывать, пока идёт речь об установившемся режиме. Получается, R4 никак не помогает снизить напряжение на затворе, которое равно предельно допустимому. Что же с этим делать? Можно поставить резистор или стабилитрон к затвору и истоку и смириться с небольшим током, который будет туда уходить, а можно подобрать мосфет получше, с бОльшим (по абсолютному значению) допустимым напряжением затвор - исток. Оставлять так, как есть - ну тоже можно, только это не наш метод. :-)

О кривых понятиях. Вам удобнее говорить о напряжениях относительно истока P-мосфета, это понятно. Пожалуйста, я не возражаю. Только уточняйте, что речь идёт именно о напряжении относительно истока P-мосфета, тогда и придирок не будет. И - всё правильно, относительно него напряжение на GND равно минус двенвдцати вольтам.
И хрюкотали зелюки,
Как мюмзики в мове.

На каждый РКН
Найдётся VPN.
Реклама
Аватара пользователя
fisher015
Родился
Сообщения: 19
Зарегистрирован: Пн мар 20, 2017 07:24:57
Откуда: Уфа

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение fisher015 »

mickbell писал(а):О кривых понятиях. Вам удобнее говорить о напряжениях относительно истока P-мосфета, это понятно. Пожалуйста, я не возражаю. Только уточняйте, что речь идёт именно о напряжении относительно истока P-мосфета, тогда и придирок не будет. И - всё правильно, относительно него напряжение на GND равно минус двенвдцати вольтам.
-12в относительно истока, это при перемычке вместо R4? Тогда, по правильному, общепринятому:
1) Vgs в даташитах указывают относительно общего провода?
2) Тогда в моем случае, каким будет реальное Vgs в случае наличия R4 и в случае перемычки вместо него? Если речь идет о режиме насыщения затвора, не хотелось бы заряжать затвор максимальным значением Vgs в -12В для него, мне для тока исток-сток в 600 мА вполне хватит напряжения 5В на затворе. Как тогда рассчитать R4? Или вернее как узнать ток заряда затвора?

Заранее спасибо!

P.S.: когда измеряют отрицательное напряжение, на точку, выбранную нулевой (ту точку, относительно которой мериют) ставят положительный или отрицательный щуп вольтметра?
Мы все учились по-немногу, чему-нибудь и как-нибудь...
Реклама
Аватара пользователя
mickbell
Друг Кота
Сообщения: 16389
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Откуда: Екатеринбург

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение mickbell »

fisher015 писал(а):-12в относительно истока, это при перемычке вместо R4? Тогда, по правильному, общепринятому:
1) Vgs в даташитах указывают относительно общего провода?
Нет. В даташите прямо сказано, что относительно чего. Смотрите: Vgs - напряжение на G относительно S. Потому как у голого транзистора нет никакого общего провода.
fisher015 писал(а):2) Тогда в моем случае, каким будет реальное Vgs в случае наличия R4 и в случае перемычки вместо него?
В вашей схеме оно будет минус 12 вольт независимо от номинала R4 - по причине, о которой я уже говорил: практически нулевом падении на этом самом R4 из-за ничтожного тока через него. Строго говоря, оно, конечно, меньше 12 вольт на это самое падение.
fisher015 писал(а):Если речь идет о режиме насыщения затвора, не хотелось бы заряжать затвор максимальным значением Vgs в -12В для него, мне для тока исток-сток в 600 мА вполне хватит напряжения 5В на затворе. Как тогда рассчитать R4? Или вернее как узнать ток заряда затвора?
Вы хоть читайте мои ответы, желательно делать это внимательно. Я говорил уже не один раз: R4 в этой схеме никак не влияет на напряжение на затворе, и минус пять вольт на затворе вы не получите. Разделите лучше R3 на два одинаковых резистора и подключите затвор к точке их соединения. О токе заряда затвора, похоже, говорить рановато.
fisher015 писал(а):P.S.: когда измеряют отрицательное напряжение, на точку, выбранную нулевой (ту точку, относительно которой мериют) ставят положительный или отрицательный щуп вольтметра?
Это как удобно. Если вольтметр умеет измерять отрицательные напряжения (цифровые умеют), то отрицательный щуп (он обычно называется COM) можете ставить на нулевую точку, другим измерять. Вольтметр будет показывать реальное напряжение, то есть минус.
И хрюкотали зелюки,
Как мюмзики в мове.

На каждый РКН
Найдётся VPN.
Аватара пользователя
fisher015
Родился
Сообщения: 19
Зарегистрирован: Пн мар 20, 2017 07:24:57
Откуда: Уфа

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение fisher015 »

mickbell писал(а):Я говорил уже не один раз: R4 в этой схеме никак не влияет на напряжение на затворе, и минус пять вольт на затворе вы не получите.
Дак получается даже при насыщении затвора ток несчадно мал? Кажется до меня дошло! Ведь хоть в момент насыщения затвора, хоть в момент, когда транзистор в уже открыт ток никогда (кроме случая пробоя наверное) не превысит тот самый указанный ток утечки!!! Да? другое дело если рассматривать N канальный транзистор. Ведь там ток затвора во время насыщения и в открытом режиме будут разные. Верно? А как тогда в этом случае узнать ток насыщения затвора?
Мы все учились по-немногу, чему-нибудь и как-нибудь...
Аватара пользователя
mickbell
Друг Кота
Сообщения: 16389
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Откуда: Екатеринбург

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение mickbell »

Нет никакого тока насыщения затвора - ни в N-канальном мосфете, ни в P-канальном, независимо от того, в каком состоянии находится канал. Есть только ток переходного процесса, который заряжает или разряжает ёмкость затвора. В остальное время ток не превышает 100 нА. Ну если только затвор не пробит нафиг. :)))
И хрюкотали зелюки,
Как мюмзики в мове.

На каждый РКН
Найдётся VPN.
Аватара пользователя
fisher015
Родился
Сообщения: 19
Зарегистрирован: Пн мар 20, 2017 07:24:57
Откуда: Уфа

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение fisher015 »

mickbell писал(а): Есть только ток переходного процесса, который заряжает или разряжает ёмкость затвора.
Вот именно этот ток я и имеют ввиду...Как он определяется, подскажите пожалуйста :)

Добавлено after 2 hours 18 minutes 54 seconds:
mickbell писал(а): О токе заряда затвора, похоже, говорить рановато.
Только сейчас прочитал что Вы говорите что рано говорить о токе заряда затвора. Прошу прощения, днем сижу с телефона, поэтому иногда невнимательно читаю сообщения.
mickbell писал(а):Разделите лучше R3 на два одинаковых резистора и подключите затвор к точке их соединения.
Имеется ввиду вот такой делитель напряжения? Но хватит ли номинала R3 в 100 Ом для подтяжки затвора к +12В питания?

Изображение
Мы все учились по-немногу, чему-нибудь и как-нибудь...
Аватара пользователя
AndTer
Поставщик валерьянки для Кота
Сообщения: 2406
Зарегистрирован: Ср фев 23, 2011 12:12:31

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение AndTer »

fisher015 писал(а):...
На R3 и R4 будет рассеиваться почти ватт тепла.
Включение R1 и R2 гарантируют что затвор не будет полностью разряжен. R2 надо перекинуть на затвор всё же. R3 - 10кОм.
Глупый не задает вопросы. Глупый и так все знает.
Аватара пользователя
fisher015
Родился
Сообщения: 19
Зарегистрирован: Пн мар 20, 2017 07:24:57
Откуда: Уфа

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение fisher015 »

AndTer писал(а):R3 - 10кОм.
И какое напряжение будет тогда на затворе P-полевика? 0,12 В? :)

P.S.: Самое странное что сейчас подключил, померил...

Напряжение получается 11,68 Если мерить относительно стока и -0,12В если мерить относительно общего провода.

Первое слишком много , второе слишком мало. Но как мы раньше выяснили в даташите значение U затвора именно относительно стока. То есть у меня по факту получилось слишком велико. Мне будет достаточно 5-6 В за глаза.
Последний раз редактировалось fisher015 Ср мар 22, 2017 17:57:00, всего редактировалось 1 раз.
Мы все учились по-немногу, чему-нибудь и как-нибудь...
Аватара пользователя
AndTer
Поставщик валерьянки для Кота
Сообщения: 2406
Зарегистрирован: Ср фев 23, 2011 12:12:31

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение AndTer »

fisher015 писал(а):И какое напряжение будет
Если Н-канальник закрыт то на затворе будет 12В. Падение напряжения на резисторе R3 будет зависеть от тока который через него протекает. Не путайте полевик с биполярником, у полевика после заряда ток будет наноамперы.
Глупый не задает вопросы. Глупый и так все знает.
Аватара пользователя
fisher015
Родился
Сообщения: 19
Зарегистрирован: Пн мар 20, 2017 07:24:57
Откуда: Уфа

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение fisher015 »

AndTer писал(а):Не путайте полевик с биполярником, у полевика после заряда ток будет наноамперы.
Хорошо, тока практически не будет это я все понял. Но напряжение то Vgs будет как я выше написал -11,68 В. А максимальное значение Vgs в даташите указано -12В. Вот я и решил что слишком много это или никакого вреда это не принесет полевику?

В конечном итоге устройство будет питаться от борт сети автомобиля, где напряжение может скакать и до 14В
Мы все учились по-немногу, чему-нибудь и как-нибудь...
Аватара пользователя
AndTer
Поставщик валерьянки для Кота
Сообщения: 2406
Зарегистрирован: Ср фев 23, 2011 12:12:31

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение AndTer »

fisher015 писал(а):А максимальное значение Vgs в даташите указано -12В.В
Купите нормальный полевик и не морочьте ни себе ни другим голову.
Если так хочется этот, поставьте стабилитрон.
Вы что им хотите коммутировать?
Последний раз редактировалось AndTer Ср мар 22, 2017 18:49:43, всего редактировалось 2 раза.
Глупый не задает вопросы. Глупый и так все знает.
Аватара пользователя
mickbell
Друг Кота
Сообщения: 16389
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Откуда: Екатеринбург

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение mickbell »

fisher015 писал(а):Вот именно этот ток я и имеют ввиду...Как он определяется, подскажите пожалуйста :)
Вот тут почитайте, я уже это рассказывал. http://radiokot.ru/forum/viewtopic.php? ... &start=600 Только не с телефона читайте и внимательно. :)))
fisher015 писал(а):Имеется ввиду вот такой делитель напряжения? Но хватит ли номинала R3 в 100 Ом для подтяжки затвора к +12В питания?
Ага. Резисторы только побольше. К примеру, оба по 470 Ом. Если не будете давать быстрый ШИМ (сотни килогерц), а тем более если сигнал будет статический (включить - выключить), то должно нормально работать, подтяжки этой вполне хватит.
Последний раз редактировалось mickbell Ср мар 22, 2017 19:49:14, всего редактировалось 1 раз.
И хрюкотали зелюки,
Как мюмзики в мове.

На каждый РКН
Найдётся VPN.
Аватара пользователя
fisher015
Родился
Сообщения: 19
Зарегистрирован: Пн мар 20, 2017 07:24:57
Откуда: Уфа

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение fisher015 »

AndTer писал(а): Купите нормальный полевик и не морочьте ни себе ни другим голову.
Вы что им хотите коммутировать?
1) чем этот полевик "не нормальный"? Чем он отличается от "нормального"?
2) нагрузка - драйвер тока, всего коммутирую ток 600 мА, напряжение 12-14В
3) Режим: включить/выключить.
Последний раз редактировалось fisher015 Чт мар 23, 2017 06:01:02, всего редактировалось 1 раз.
Мы все учились по-немногу, чему-нибудь и как-нибудь...
Аватара пользователя
mickbell
Друг Кота
Сообщения: 16389
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Откуда: Екатеринбург

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение mickbell »

[Это сообщение почему-то не удаляется, прошу модераторов убрать его.]
И хрюкотали зелюки,
Как мюмзики в мове.

На каждый РКН
Найдётся VPN.
Аватара пользователя
fisher015
Родился
Сообщения: 19
Зарегистрирован: Пн мар 20, 2017 07:24:57
Откуда: Уфа

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение fisher015 »

AndTer писал(а):Если так хочется этот, поставьте стабилитрон.
Прошу ещё немного потрепеть мое занудство :)) Вот в таком включении, более-менее правильно будет ли работать моя схема? :)

Изображение
Мы все учились по-немногу, чему-нибудь и как-нибудь...
Аватара пользователя
mickbell
Друг Кота
Сообщения: 16389
Зарегистрирован: Пт мар 30, 2012 05:17:29
Откуда: Екатеринбург

Re: Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

Сообщение mickbell »

Работать-то будет, куда денется... но зачем тут стабилитрон? Если опасаетесь, что 7 вольт слишком много (не слишком, на самом деле), увеличьте R3 или уменьшите R4, или сделайте то и другое одновременно.
Есть, конечно, одна тонкость... но надо читать ГОСТ 28751. Дело в том, что бортсеть автомобиля и прочего аналогичного - это не только ценный мех... это не только 14 вольт, но ещё и "иголки" вольт до двухсот любой полярности. Слишком много там индуктивных нагрузок, и ни одна не защищена диодом от выбросов напряжения. Однако они достаточно короткие (см. ГОСТ), так что наверняка RC-фильтр, образованный затворными сопротивлениями и ёмкостью затвора, поможет затвору остаться в живых.
И хрюкотали зелюки,
Как мюмзики в мове.

На каждый РКН
Найдётся VPN.
Ответить

Вернуться в «Теория»