IGBT транзистор являет собой мощный PNP биполярный транзистор и небольшой полевой. PNP содержит в себе 2 относительно толстые P области и тонкую N базу. Насколько я знаю, так как дырки через полупроводники текут хуже, чем электроны, то и сделать мощный PNP биполярник труднее, чем NPN. По крайней мере, мощность и пробойное напряжение встречающихся в продаже PNP в среднем намного ниже, чем у NPN.
Однако, в IGBT таки PNP транзистор, и многие IGBT хорошо держат десятки и сотни ампер и сотни вольт. Аналогичных по параметрам (в том же ценовом диапазоне) "чистых" PNP биполярников я практически не встречал.
Хотелось бы разобраться в этой ситуации. Они просто не нужны никому?
И почему нет IGBT вида NPN + P-FET? У них по-идее, параметры еще лучше должны быть, единственное, что отрицательное напряжение нужно, но там, где мощные igbt ставят, это не должно быть проблемой.
Однако, в IGBT таки PNP транзистор, и многие IGBT хорошо держат десятки и сотни ампер и сотни вольт. Аналогичных по параметрам (в том же ценовом диапазоне) "чистых" PNP биполярников я практически не встречал.
Хотелось бы разобраться в этой ситуации. Они просто не нужны никому?
И почему нет IGBT вида NPN + P-FET? У них по-идее, параметры еще лучше должны быть, единственное, что отрицательное напряжение нужно, но там, где мощные igbt ставят, это не должно быть проблемой.
