Похоже, в этой теме нужно время от времени повторять описание работы биполярного транзистора "на пальцах".
Итак. Для определенности возьмем n-p-n транзистор в активном режиме, т.е. эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный - в обратном. Прямое смещение эмиттерного перехода означает, что в базу поступают носители заряда (дырки), которые притягивают электроны из эмиттера. Однако, из-за малой толщины базы (это важно), электроны не успевают рекомбинировать с этими дырками (промахиваются) и, пролетая базу насквозь, попадают в коллекторную область, где у них один путь - к коллектору (из-за более высокого чем на базе положительного напряжения на коллекторе). Так возникает коллекторный ток. Понятно, что рано или поздно какой-нибудь электрон из эмиттера рекомбинирует с дыркой в базе (попадет), и на место этой дырки придет другая (через базу течет ток). Таким образом, ток эмиттера будет представлять собой сумму токов базы и коллектора. Легко догадаться, что соотношение базового и эмиттерного токов определяется вероятностью рекомбинации в базовой области, эта вероятность есть ничто иное как отношение Iб/Iэ. Очевидно, что задавая ток базы, мы можем управлять током эмиттер-коллектор, т.е. током коллектора. Также очевидно, что чем тоньше база, тем сильнее ток коллектора зависит от тока базы, т.е. лучше усилительные свойства транзистора.
Надеюсь, из моего объяснения также понятно, почему нельзя сделать транзистор из двух включенных встречно диодов.
Like the eyes of a cat in the black and blue...
... уже сколько с транзисторами общаюсь, а о поведении токов и напряжений внутри как-то не задумывался. 
