Если кому вдруг интересно насчет меня - сдал зачет, на 4, на пять было лень. И так из-за моих вопросов преподавателю по поводу электронного фильтра я стопил ребят, которые сдавали лабораторные работы для допуска к зачету. К преподавателю претензий не имеют, если что.
Бесит сам факт того, что нет четкости и однозначности по поводу некоторых терминов (путают АЧХ и АЧС; частоты среза (единичное усиление или по уроню -3 дБ; инвертор - устройство для преобразования постоянки в переменку или для "поворота" сигнала на 180 градусов). С увеличением курса таких неоднозначных терминов становится больше.
А так и должно быть, спор двигает прогрессом. Раньше по ТВ была научная передача, вели ее два академика. Один из них Капица. Так они постоянно спорили между собой при миллионной аудитории, но делали это очень тактично, не переходя на личности.
SpeedFighter писал(а):Если кому вдруг интересно насчет меня - сдал зачет, на 4...
Поздравляю!
SpeedFighter писал(а):... нет четкости и однозначности по поводу некоторых терминов ...
Вспомнился анекдот про инженера-конструктора, который на защите диплома по физике полупроводников был возмущен тем, что студент все время говорит "электроны, дырки, электроны, дырки..." Какие "дырки"??? - "отверстия"!!!
Доброго времени суток
Подскажите пожалуста простым языком про напряжение отсечки у полевого транзистора.
Транзистор кп903в , так его напряжение отсечки 1-10 вольт. Тоесть если получиться что 1 вольт это осечка то значит больше одного вольта на него нет смысла подавать, там прямая на выходе ?
Напряжение отсечки — это такое пороговое значение напряжения затвор-исток, по достижении которого ток через канал полевого транзистора уже не изменяется и практически равен нулю. Его также измеряют при фиксированном значении напряжения сток-исток и в англоязычной документации обозначают как VGS(off) или реже как Vp.
Напряжение отсечки — это такое пороговое значение напряжения затвор-исток, по достижении которого ток через канал полевого транзистора уже не изменяется и практически равен нулю.
Если ток через транзистор ноль при ненулевом напряжении С-И, закрыт он или открыт?
Для МДП транзисторов с индуцированным каналом (наши любимые MOS-FET) N-типа рисунок справа.
Для МДП транзисторов с встроенным каналом - рисунок слева.
Для транзисторов с другим типом проводимости канала рисунок будет зеркальным (что, собственно и отображено в википедии)
А кажись понял. Напряжение отсечьки это обратное напряжение которое запирает транзистор. Или просто ставим дроссель в цепь затвор исток и транщистор будет когда надо закрываться до конца. Режим С. Или ставим сопротивление между затвором и истоком Ом так 470 и транзистор будет работать линейно.
[uquote="yura860",url="/forum/viewtopic.php?p=3117596#p3117596"]А кажись понял. Напряжение отсечьки это обратное напряжение которое запирает транзистор.[/uquote]
Никакого "обратного" напряжения на затворе (затвор-исток) у транзистора с изолированным затвором не существует.
На эпюрах выше приведены ПРОХОДНЫЕ и выходные ВАХ. Входной ВАХ у таких транзисторов как таковой нет. Просто емкость и утечка.
Напряжение отсечки — это такое пороговое значение напряжения затвор-исток, по достижении которого ток через канал полевого транзистора уже не изменяется и практически равен нулю. Его также измеряют при фиксированном значении напряжения сток-исток и в англоязычной документации обозначают как VGS(off) или реже как Vp.
Под обратным понимают напряжение прикладываемое к ВЕНТИЛЮ, то есть нелинейному ДВУХполюснику, которое его запирает.
Поскольку в полевом транзисторе с изолированным затвором напряжение прикладывается между затвором и истоком (к изолятору затвора), то в пределах допустимых напряжений этот двухполюсник совершенно линеен, то есть ток утечки линейно зависит от приложенного напряжения и его модуль не зависит от полярности. Сиречь никакого "обратного" напряжения быть не может.
Есть пороговое напряжение, при котором транзистор НАЧИНАЕТ открываться, то есть ток через исток достигает некоей пороговой величины (обычно около сотни микроампер).
На ПРОХОДНОЙ ВАХ (зависимость между напряжением затвор-исток и током стока) - это точка излома характеристики.
Парни, помогите разобраться в простых математических переводах.
Есть микросхема, на выходе 0,2-1,8 В. Значения напряжения нужно перевести в дБ, т.к. дальше буду строить график амплитуда-частота в дБ и Гц соответственно.
Но не могу никак не разобраться, как правильно переводить В в дБ.
Прилагаю блок-схему микросхемы для наглядности:
Нужный вывод - RSSI (11). Еще есть характеристика 20mv/dB Но я вообще не понимаю, что она значит. И как это поможет перевести 0.2-1.8 В в дБ.
1. Децибелы - это всегда величина безразмерная, отношение двух величин одинаковой размерности. Поэтому вольты сами по себе перевести в децибелы невозможно. Сначала надо договориться о том, относительно чего, какого уровня, принятого за исходный, будут измеряться в децибелах другие напряжения. Для радиоприёмных устройств уровень входного сигнала принято измерять относительно одного милливатта мощности (чтобы пересчитать его в напряжение, надо знать входное сопротивление приёмника) или относительно напряжения 1 мкВ. Чаще пользуются первым вариантом.
2. RSSI - это вывод, показывающий уровень напряжения сигнала на входе в каких-то децибелах. При изменении входного сигнала на 1 дБ уровень сигнала RSSI изменяется на 20 мВ - по-моему, это понятно. При слабом сигнале (от полного его отсутствия и до значения, соответствующего чувствительности) на входе его напряжение 0.2 В, а 1.8 В - при сигнале на 80 дБ больше.
PS. Посмотрел я ещё раз на картинку, там всё подписано, оказывается. Входное напряжение от -95 до -15 dBm (разница как раз 80 дБ - обратите внимание!), то есть при входе -95 дБм напряжение сигнала на выходе RSSI будет 0.2 В, а при входе -15 дБм: 0.02*80+0.2=1.8 В, всё как и предполагалось; между этими значениями зависимость приблизительно (возможно, довольно точно) линейная. Осталось только уточнить, что обозначение dBm или дБм означает, что исходный уровень входного сигнала, относительно которого измеряются все остальные - 1 мВт мощности. Так что теперь надо по даташиту выяснить входное сопротивление микросхемы и вычислить напряжение, мощность которого на этом сопротивлении равна 1 мВт.
Разгоняю транзистор в ключевом режиме. С открывающим фронтом все хорошо, а вот закрывается он медленно...
Мне бы в 100 ns влезть . Сигнал на базе я не привел, однако в ноль он моментально сажается(10ns)/
R коллектора рассчитывалось исходя из h21=80 :
Iб= (3.2-06)/9.1к = 0.28мА
Rк = 24V/(Iб*h21) ~ 1k
Подскажите, уперся ли я в быстродействие, либо же можно еще поразгонять?
Увеличил токи: в базу воткнул 2к, в коллектор 266 ом (для соблюдения h21=80 надо 230ом, однако в насыщение не заходит - на коллекторе 4в, надо на досуге разобраться). Быстродействие повысилось пропорционально току, однако 100ма коллекторного тока настораживает
Есть трансформатор, питаемый переменным напряжением синусоидальной формы, на выходе мостовой выпрямитель, конденсатор большой емкости и нагрузка в виде резистора. При этом на выходе трансформатора сигнал прямоугольной формы (почти прямоугольной, не синусоида с обрезанными верхушками, а красивая такая трапеция). Как я понимаю происходит ограничение напряжения на внутреннем сопротивлении вторичной обмотки, где пороговый элемент - последовательно соединенные пары диодов моста, смещенные в обратном направлении напряжением на конденсаторе.
Я правильно изложил ?
Сопротивление вторичной обмотки постоянному току <1 Ом, первичной 3 кОм. Ктр 1:40, частота 10 Гц, напряжение на первичке примерно 80-110 вольт
Возможна ли длительная эксплуатация трансформатора в таком режиме ?