Читаю тему, но вот никак не могу понять как настраивается время засверки маски и фоторезиста.
Получается что играемся только разрешением и скоростью. Следовательно при меньшей скорости увеличиваем время назождения лазера с одной точке?
Все правильно. Но вообще то есть ползунок К это мощность лазера. Им обычно и регулируем, а скорость лично я всегда использую 1000 мм/сек. Так как лазер у меня 700 мВт, то хватает и на резист и на маску.vasutkin писал(а):Следовательно при меньшей скорости увеличиваем время назождения лазера с одной точке?
Если честно, я не понял.Forward писал(а):Не пробовал увеличить скорость засветки с помощью разрешения 1200 * 600 (или 800 или ...)?
Это я помню, поэтому и вопрос был адресный, но несколько ... провокационный.Ruzik писал(а):У меня лента 300LPI, то есть минимальное разрешение 1200.
Перейти на смешанно (векторно-растровый) протокол управления процессом засветки?Forward писал(а):,А вообще, для оптимизации работы установки есть еще много разных возможностей.
Это самое "честное" программное преобразование, но можно использовать любой коэффициент, который приводит к удовлетворительному результату. Главное, что он должен быть одинаковым при сжатии картинки и увеличении числа шагов.Ruzik писал(а):А почему именно в 2 раза?
Тут надо разбивать на разделы:SDimok писал(а):Огласите пожалуйста весь список
Боюсь, что в данном конструктивном исполнении это сильно затруднительноKPG писал(а):Перейти на смешанно (векторно-растровый) протокол управления
Естественно нужно не забыть и K на шкале мощности лазера пропорционально увеличить, чтобы сохранить удельную мощность засветки.KPG писал(а):А учитывается ли как то, каким "диаметром" пятна засветки производится засветка?