Расчёт потерь транзисторов полумостового инвертора

[STM512]

Добрый день уважаемые!
Существует задача рассчитать потери транзисторов полумоста.
Если со статическими потерями более мение понятно то вот расчёт динамических потерь представляет ряд сложностей.
Вот и решил я промоделировать вооружившись MicroCAPом...

Рассчитал я значит трансформатор в программе Уважаемого Старичка (52в, 7а) и получил результаты как на картинке ниже.

half_bridge_tr.png

(90.62 КБ) 387 скачиваний

Индуктивность первичной обмотки порядка 3.34uH, сопротивление нагрузки вычислил по закону ома ( (142v * 142v)/(52v * 7a) )=~55Ом
В MicroCAP 9 получил рассеиваемую мощность на транзисторе порядка 1.5кВт что явно говорит о том что я где-то накосячил или что-то не учёл, помогите разобраться.

half_bridge.png

(51.18 КБ) 372 скачивания

Ну не может токого быть чтоб были такие показания огромные, причём изменение номинала нагрузочного резистора не влияет на показания потерь...
Во вложении файл Microcap 9

[moLCHec]

странно вы как то вычисляете сопротивление нагрузки, по закону ома то это будет 52/7=7,42 Ом. Приведение к первичной обмотке через коэффициент трансформации формулу не помню.
Для расчета потерь из программы старичка берете ток первичной обмотки.
Статические потери ключа 0,5*Rd*I^2, по факту из-за заполнения импульса менее 0,5 будет меньше, не забываем что Rd при нагреве растет и нужно брать значение больше в 1,5-1,7 раз больше номинального из даташита.
Динамические потери в одном ключе при жестком переключении f*(ton+toff)*U*I*0,5, где f частота ШИМ, ton время включения транзистора, toff время выключения транзистора, U - напряжение на ключе (половина питающего), I - ток через ключ он же ток первичной обмотки.
Это даст примерный порядок потерь, точно их рассчитать достаточно сложно.
Время открывания/закрывания я обычно принимаю 50-100нс. Примерно оно равно заряд затвора поделить на ток управления. Ток управления зависит от затворного резюка и максимального тока драйвера.

[STM512]

[uquote="moLCHec",url="/forum/viewtopic.php?p=3353877#p3353877"]странно вы как то вычисляете сопротивление нагрузки, по закону ома то это будет 52/7=7,42 Ом.[/uquote]
Спасибо за ответ!
Сопротивление считал так R = (U^2)/W = (U*U)/(U*I) = (142*142)/(52*7) = 55.4 Om
Думаю так правильнее так как это нагрузка первичной стороны а не вторичной!

Но суть даже не в этом в модели потери не меняются изменяя сопротивление нагрузки а должно бы.
Вырожение для расчёта мощности потерь записываю так AVG(PD("обозначение транзистора")) и вроде как должно бы быть правильно.

[moLCHec]

Трансформатор это не катушка индуктивности, указанная индуктивность это грубо говоря на холостом ходу, под нагрузкой она будет соизмерима с индуктивностью рассеяния, а в случае идеального трансформатора схема замещения будет один только резистор

[STM512]

[uquote="moLCHec",url="/forum/viewtopic.php?p=3353922#p3353922"]Трансформатор это не катушка индуктивности, указанная индуктивность это грубо говоря на холостом ходу, под нагрузкой она будет соизмерима с индуктивностью рассеяния, а в случае идеального трансформатора схема замещения будет один только резистор[/uquote]
Добрый день!
Удалось таки отыскать в чём была изначально ошибка моделирования, теперь потери выглядят более реалистично.
Да действительно при изменении индуктивности в модели мало что изменяется, а вот частота импульсов управления и сопротивление затворного резистора меняют показания кардинально.
Вот к примеру при нагрузке 500Вт и ключе IRFP460 на частоте 50кГц общие потери транзистора порядка 6Вт.

half_bridge02.png

(61.17 КБ) 514 скачиваний

А на частоте 100кГц уже 50Вт

half_bridge03.png

(55.33 КБ) 528 скачиваний

Причём проведение анализа на температуре -20 и +60 как видно даёт расхождение показаний всего 4Ватта.