Добрый день, уважаемые. Можно вопрос полного дилетанта?
Есть некая мощная нагрузка, на которую хотелось бы подавать и постоянное напряжение и переменное. Режим работы - ключ.
Есть схема встречно включенных IGBT и диодов с общим эмиттером :
Как правильно прикинуть температурные режимы и охлаждение в этом случае?
Если, для примеру взять вот этот транзистор
https://static.chipdip.ru/lib/923/DOC000923130.pdf
то:
для самого транзистора:
Vce=2.3V, термосопротивление Переход->корпус - 0.43C/W
для встроенного диода:
Vfm=2.6V, термосопротивление Переход->корпус - 1.45C/W
Получается при переменном токе в 40А:
Мощность выделяемая на транзисторе 40*2.3= 92Вт
Мощность выделяемая на диоде 40*2.6=104Вт
При этом дельта температур между кристаллом и корпусом будет:
для транзистора 92*0.43=40 грС (вроде терпимо)
для диода 104*1.45=151 гр С (ВТФ?)
это еще без учета, что диод + транзистор будут в одном периоде тепло выделять...
Собственно вопрос - это я так "считаю" или подобные транзисторы не предназначены для такого использования?
Спасибо за потраченное время