[uquote="sergij777",url="/forum/viewtopic.php?p=3420427#p3420427"]на базу Т1 кт646 приходит 27мгц напряжением 0,8в(вч-вольтметром измеряю) .на колекторе Т1 кт646 имеем красивую синусоиду 27 мгц напряжением 6в. потом через С12 на базу Т2 приходит около 1в.[/uquote]Схема передатчика в части выходного каскада мне не очень нравиться. Также есть сомнение, что микросхема mc2833 в таком включении сможет напрямую раскачать транзистор КТ646 до нужной нам мощности, но оставим это на совести автора и просто сделаем прикидочный покаскадный расчет этой схемы.
Для начала читаем то, что в теме уже писали. [uquote="svic",url="/forum/viewtopic.php?p=2035376#p2035376"]Мощность определяется исключительно оконечным транзистором, но!, коэффициент усиления по мощности зависит от режима (от величины тока покоя) и на высоких частотах обычно находится в пределах 2...10 (в основном 5...7), поэтому для того, чтобы транзистор отдал 10 ватт на вход ему нужно вдуть минимум 1...3 ватта, в свою очередь предварительному транзистору требуется раскачка в 0.1...0.5 ватта.[/uquote]Пусть нам нужно получить выходную мощность 2 вт. На КТ920А придется ставить радиатор, хотя и небольшой. Ставится с обратной стороны платы под гайку.
Предположим, что усиление по мощности у транзисторов пусть будет не 7, а даже 10.
Входное сопротивление каскада на КТ646 примем 150 Ом.
Входное сопротивление оконечного каскада возьмем 100 Ом.
Данные конечно приблизительные, но они близки к истине, поэтому дадут нам возможность определиться с параметрами схемы.
Емкость Сб-э КТ920А из справочника 50 пф.
Исходя из этого имеем.
Начинаем проверять схему. Для этого заменяем транзистор КТ646 его входным сопротивлением, т.е. резистором 150 Ом и смотрим достаточная ли мощность поступает на усилитель мощности.
У нас получается, что на резисторе 150 Ом нам нужно получить мощность 20 мВт, а это значит, что напряжение ВЧ на нем должно быть 2,5 вольта. Если вольтметр как у меня на схеме, то нужно учесть падение на диоде. С германиевым диодом напряжение должно быть порядка 2,3 вольта.
Это амплитудное значение. Если вольтметр отградуирован в действующих значениях, то он должен показать напряжение 1,7 вольта.
Когда удостоверимся, что мощность поступающая с микросхемы у нас достаточная, то запаиваем КТ646 и нагружаем его на цепочку 100 Ом и конденсатор 51 пф. Это у нас будет входное сопротивление и емкость Сб-э транзистора КТ920А.
На выходе должны получить мощность 200 мВт, а значит напряжение 6,3 вольта.
Нам нужно получить мощность на выходе 2 вт, а это значит, что выходное сопротивление оконечного каскада получается 30 Ом.
Запаиваем транзистор КТ920А. П-контур пока не подключаем.
Нагружаем выходной каскад без П-контура на резистор 30 Ом. Резистор подключаем к коллектору КТ920 через конденсатор 1000 пф.
На резисторе 30 Ом должно получится ВЧ напряжение порядка 11 вольт.
После этого подключаем П-контур, нагружаем его на резистор 51 Ом. На этом резисторе должно получится ВЧ напряжение порядка 14 вольт.
