Мелкие вопросы по теории
Это вопрос был теоретический)) Пытаюсь сделать металлоискатель с дискриминацией. Поизучал влияние металлов на синусоиду по осциллографу. Точнее на затухающую синусоиду. В моем случае метал влияет не только на амплитуду, но и на частоту, а также скорость затухания. Хочу это все загнать в микроконтроллер. Пока не знаю как двигаться дальше. Пока изучаю, задаю вопросы, ищу ответы, пытаюсь проложить путь. Знаю есть много способов дискриминации, Сдвиг фаз и прочее, но нигде толком досконально не объясняется, поэтому решил сделать по своему, правда толком пока не знаю как)) Да и не хочу пользоваться готовыми схемами. Интерес чисто спортивный. Знаю также что есть разные виды металлоискателей. TX-RX. импульсники и ТД. Я же хочу сделать свой. Даже название придумал)) Импульно Колебательный. ИК. Микроконтроллер выдает короткий импульс., который подается на LC контур. Контур генерирует затухающие колебания. Может такие есть, не знаю, потому как я уже говорил подробной информации о принципах работы металлоискателей и в частности дискриминаторов я не нашел.
- Реклама
[uquote="ypppu",url="/forum/viewtopic.php?p=3493229#p3493229"]Разве разворот молекул-диполей в поверхностном слое приведёт к прямопропорциональному увеличению ёмкости конденсатора?
По-моему этот эффект в формуле ёмкости не учитывается.[/uquote]
Разворот диполей диэлектрика лежит в основе электрической проницаемости диэлектрика. Именно благодаря этому такие материалы способны быть "проводником" для электрического поля, по аналогии как в магнитомягком материале домены разворачиваясь проводят магнитное поле в виде магнитного потока.
Разворот диполей диэлектрика лежит в основе электрической проницаемости диэлектрика. Именно благодаря этому такие материалы способны быть "проводником" для электрического поля, по аналогии как в магнитомягком материале домены разворачиваясь проводят магнитное поле в виде магнитного потока.
На данном этапе у меня нарисовалось два пути. (Первый), это анализ кривой, огибающей затухание. Заметил что эта кривая изгибается по разному в зависимости от металла. (Второй) это анализ одного (или нескольких) колебаний . Его амплитуду, частоту и сдвиг. В принципе, как я понял, первое и второе взаимосвязаны. Проанализировав (второе) можно предсказать как поведет себя огибающая кривая. http://img.radiokot.ru/files/132150/med ... 79nclm.jpg
Добавлено after 16 minutes 54 seconds:
Но вся проблема в том что эти изменения значительно заметны на глаз, когда подносишь большой кусок металла. Но мелкие, типа монеты, на глаз не видны или видны немного если почти касаться катушки. Вот я и думаю как мне усилить только эти изменения, не затрагивая саму синусоиду. На катушке напряжение под 100В.
Добавлено after 8 minutes 46 seconds:
Можно конечно пойти по первому варианту и проанализировать огибающую кривую, но как мне кажется частоты микроконтроллера не хватит что бы зафиксировать ее ничтожно малые изменения. Хотя ее как раз то и можно усилить без особых проблем. Буду думать, пробовать. Если кто что сможет подсказать, буду рад выслушать.
Добавлено after 16 minutes 54 seconds:
Но вся проблема в том что эти изменения значительно заметны на глаз, когда подносишь большой кусок металла. Но мелкие, типа монеты, на глаз не видны или видны немного если почти касаться катушки. Вот я и думаю как мне усилить только эти изменения, не затрагивая саму синусоиду. На катушке напряжение под 100В.
Добавлено after 8 minutes 46 seconds:
Можно конечно пойти по первому варианту и проанализировать огибающую кривую, но как мне кажется частоты микроконтроллера не хватит что бы зафиксировать ее ничтожно малые изменения. Хотя ее как раз то и можно усилить без особых проблем. Буду думать, пробовать. Если кто что сможет подсказать, буду рад выслушать.
Последний раз редактировалось markelan Вс окт 28, 2018 22:43:24, всего редактировалось 1 раз.
[uquote="markelan",url="/forum/viewtopic.php?p=3493777#p3493777"]В моем случае метал влияет не только на амплитуду, но и на частоту, а также скорость затухания.[/uquote]
Оцифровать, прогнать через БПФ или вейвлеты, дальше нейросеть. МК такое не потянет, а вот современные SOC запросто. Но на коленке такое не слепить, надо быть сурьезнам кодером чтобы такое хотя бы написать, не говоря уже о математике и схемотехнике
я когда то пытался анализировать паттерны вибрации - для тренировки нейросети в матлабе понадобилось немножко оперативки. Насобирал тогда 28 гигов в домашний комп
Но это тренировка, а для работы столько не надо, хватит и гига-двух обычной малины.
Оцифровать, прогнать через БПФ или вейвлеты, дальше нейросеть. МК такое не потянет, а вот современные SOC запросто. Но на коленке такое не слепить, надо быть сурьезнам кодером чтобы такое хотя бы написать, не говоря уже о математике и схемотехнике
я когда то пытался анализировать паттерны вибрации - для тренировки нейросети в матлабе понадобилось немножко оперативки. Насобирал тогда 28 гигов в домашний комп
Но это тренировка, а для работы столько не надо, хватит и гига-двух обычной малины.
Я думаю что не обязательно ее досконально анализировать. Как мне кажется достаточно будет небольшой отрезок, в частности тот что находится между двух пунктиров, на скрине. В этом месте самые заметные деформации. Разбить его на несколько точек. Засечь изменения по иксу и игреку и на их основании делать вывод о составе металла. Я думаю вырезать этот кусок и только этот кусочек анализировать. Перед этим пропустить его через усилитель, что бы скорости контроллера хватило обработать его.
Добавлено after 4 hours 56 minutes 39 seconds:
Сейчас пока ходил к приятелю, по дороге пришла мысль. Надо просто разделить сигнал на две части. Или даже на три. И каждую часть анализировать по конкретному критерию. Например одна часть анализирует изменения амплитуды, другая частоту , третья сдвиг. Усиливаются предварительно. Потом при необходимости их можно сложить с уже измененными (усиленными) характеристиками в один сигнал. Наложить эти характеристики на первоначальную синусоиду. Получается что она (первоначальная синусоида) не изменится, изменятся (усилятся) только изменения. Еще я подумал что можно каждую часть анализировать отдельным контроллером от общего тактового генератора. Преимущество в скорости должно увеличится как минимум в три раза. По идеи! Хотелось бы знать мнение, тех кто с электроникой на ты. Какие могут возникнуть проблемы. Где у меня ошибка. Еще вдруг, возник вопрос, можно ли как нибудь записать осциллограмму в микроконтроллер? Маленький ее кусочек. Существует вообще такое? Еще такой вопрос. Тут есть кто нибудь с Владивостока, кто увлекается микроконтроллерами AVR и ассемблером?
Добавлено after 4 hours 56 minutes 39 seconds:
Сейчас пока ходил к приятелю, по дороге пришла мысль. Надо просто разделить сигнал на две части. Или даже на три. И каждую часть анализировать по конкретному критерию. Например одна часть анализирует изменения амплитуды, другая частоту , третья сдвиг. Усиливаются предварительно. Потом при необходимости их можно сложить с уже измененными (усиленными) характеристиками в один сигнал. Наложить эти характеристики на первоначальную синусоиду. Получается что она (первоначальная синусоида) не изменится, изменятся (усилятся) только изменения. Еще я подумал что можно каждую часть анализировать отдельным контроллером от общего тактового генератора. Преимущество в скорости должно увеличится как минимум в три раза. По идеи! Хотелось бы знать мнение, тех кто с электроникой на ты. Какие могут возникнуть проблемы. Где у меня ошибка. Еще вдруг, возник вопрос, можно ли как нибудь записать осциллограмму в микроконтроллер? Маленький ее кусочек. Существует вообще такое? Еще такой вопрос. Тут есть кто нибудь с Владивостока, кто увлекается микроконтроллерами AVR и ассемблером?
- Реклама
- Сообщения: 199
- Зарегистрирован: Вт авг 21, 2018 11:55:45
[uquote="markelan",url="/forum/viewtopic.php?p=3493650#p3493650"]Возможно ли каким то способом пропустить эту синусоиду через усилитель, но таким способом, что бы усилитель усиливал только изменения амплитуды этой синусоиды. То есть, если коэффициент усилителя допустим 100, то на выходе мы должны получить туже синусоиду 5В, плюс минус 100 млВ. Причем форма синусоиды должна остаться. Имею ввиду что выделить с нее постоянную составляющую и с ней работать, не пойдет. Возможно ли такое?[/uquote]
Это случай амплитудной модуляции.
Сначала вас спросили известна ли несущая частота. (Света)
Позже вам посоветовали убрать несущую резонансным фильтром, а остаточный сигнал усилить. (КРАМ)
От себя добавлю, если убрать несущую не получается, попробуйте сначала нелинейно усилить сигнал, а после убрать несущую.
Добавлено after 10 minutes 26 seconds:
[uquote="ypppu",url="/forum/viewtopic.php?p=3493229#p3493229"]Вопрос был про
По-моему этот эффект в формуле ёмкости не учитывается.[/uquote]
Разворот молекул-диполей происходит во всём объёме диэлектрика, а заряд в диэлектрике образуется только на поверхности, из-за компенсации зарядов внутри диэлектрика.
Учитывается это в коэффициенте электрической проницаемости ε.
При внесении диэлектрика в поле он поляризуется, появляется дополнительная поверхностная плотность заряда с обеих сторон диэлектрика, то есть происходит разделение зарядов диэлектрика.
Увеличение ёмкости конденсатора, вы можете проследить если в рассматриваемой системе вместо внесённого диэлектрика рассмотрите внесение металла, таким образом внесение диэлектрика будет иметь эффект уменьшение расстояние между пластинами.
Что приведёт к увеличению ёмкости конденсатора и соответственно увеличению накопленного заряда.
Это случай амплитудной модуляции.
Сначала вас спросили известна ли несущая частота. (Света)
Позже вам посоветовали убрать несущую резонансным фильтром, а остаточный сигнал усилить. (КРАМ)
От себя добавлю, если убрать несущую не получается, попробуйте сначала нелинейно усилить сигнал, а после убрать несущую.
Добавлено after 10 minutes 26 seconds:
[uquote="ypppu",url="/forum/viewtopic.php?p=3493229#p3493229"]Вопрос был про
Разве разворот молекул-диполей в поверхностном слое приведёт к прямопропорциональному увеличению ёмкости конденсатора?физический смысл прямопропорциональной зависимости емкости от диэл. проницаемости диаэлектрика
Разворот молекул-диполей происходит во всём объёме диэлектрика, а заряд в диэлектрике образуется только на поверхности, из-за компенсации зарядов внутри диэлектрика.
Учитывается это в коэффициенте электрической проницаемости ε.
При внесении диэлектрика в поле он поляризуется, появляется дополнительная поверхностная плотность заряда с обеих сторон диэлектрика, то есть происходит разделение зарядов диэлектрика.
Увеличение ёмкости конденсатора, вы можете проследить если в рассматриваемой системе вместо внесённого диэлектрика рассмотрите внесение металла, таким образом внесение диэлектрика будет иметь эффект уменьшение расстояние между пластинами.
Что приведёт к увеличению ёмкости конденсатора и соответственно увеличению накопленного заряда.
- Сообщения: 3537
- Зарегистрирован: Ср янв 07, 2009 14:49:59
[uquote="Ярослав555",url="/forum/viewtopic.php?p=3493785#p3493785"]Разворот диполей диэлектрика лежит в основе электрической проницаемости диэлектрика. Именно благодаря этому такие материалы способны быть "проводником" для электрического поля, по аналогии как в магнитомягком материале домены разворачиваясь проводят магнитное поле в виде магнитного потока.[/uquote]Электрическое поле, как и магнитное, может распространяться в вакууме, где нечему производить разворот. Но это вроде как не значит, что диэл. проницаемости у вакуума не существует.
Спорить конечно не буду, дам ссылку где много умного написано.
http://www.femto.com.ua/articles/part_1/1096.html
Спорить конечно не буду, дам ссылку где много умного написано.
http://www.femto.com.ua/articles/part_1/1096.html
[uquote="ypppu",url="/forum/viewtopic.php?p=3494417#p3494417"]проницаемости у вакуума не существует.
[/uquote]
а кто говорил что не существует? Покажите где я такое написал?
а кто говорил что не существует? Покажите где я такое написал?
- Сообщения: 3537
- Зарегистрирован: Ср янв 07, 2009 14:49:59
Вы написали "разворот диполей диэлектрика лежит в основе электрической проницаемости диэлектрика". Как будто диэлектрик, у которого нет диполей, не способен пропускать электрическое поле.
Просто слово "высокой" пропущено.ypppu писал(а):разворот диполей диэлектрика лежит в основе электрической проницаемости диэлектрика
Здрасьте, я только спросить.
Чёто совсем туплю: в каком случае КПД БП АТХ будет выше (при неизменной нагрузке)?
1. Сильно недогруженный, бо́льшей мощности.
2. Номинально нагруженный, ме́ньшей мощности.
Чёто совсем туплю: в каком случае КПД БП АТХ будет выше (при неизменной нагрузке)?
1. Сильно недогруженный, бо́льшей мощности.
2. Номинально нагруженный, ме́ньшей мощности.
2. 
Большой опыт, порой, не даёт находить/видеть нам простые и очевидные решения. 
Всегда с уважением, Александр.
Всегда с уважением, Александр.
- Сообщения: 26671
- Зарегистрирован: Пт май 18, 2007 22:56:58
Ненагруженный БП АТХ жрет очень много на холостом ходу, проверено, измерено.
Хотя почему - не очень понятно.
Хотя почему - не очень понятно.
Не променяю медь на ржавую несгорайку!
Конечно 2 
А мощный будет кушать больше во столько раз на ХХ, сколько кушают несколько слабых на ХХ. Смотря во сколько раз разница.
Плюс одна и таже нагрузка...
А мощный будет кушать больше во столько раз на ХХ, сколько кушают несколько слабых на ХХ. Смотря во сколько раз разница.
90% времени уходит на отыскание неисправности,остальное - ждать когда нагреется паяльник! 
- Сообщения: 3537
- Зарегистрирован: Ср янв 07, 2009 14:49:59
Современные дорогие БП бывают с большим КПД, вплоть до того, что вентилятор отключается при малой нагрузке. Всякие там 80 PLUS Platinum, Titanium.
https://ru.wikipedia.org/wiki/Компьютерный_блок_питания
https://ru.wikipedia.org/wiki/Компьютерный_блок_питания
Знаем, с отключением ветрилятора почти все нормальные БП АТХ есть. Только в мощных стоят огромные на всю площадь крышки и жруть немеряно - до 0.9-1,2А.
Тихоходные так сказать, но дофига жрущие!
90% времени уходит на отыскание неисправности,остальное - ждать когда нагреется паяльник! 
Какой ток номинальный для провода сечением 1 мм2? Сплошной алюминий, медь.
В трехфазном кабеле нулевой провод должен быть толще остальных?
В трехфазном кабеле нулевой провод должен быть толще остальных?
Кот гуляет сам по себе, но вблизи холодильника.
Для провода как изделия нет понятия "номинальный ток". Есть ток "максимально допустимый", который всегда рассматривается в контексте применения.
Вот,почитать...
Также в трёхфазном кабеле нулевой провод никому ничего не должен. Он МОЖЕТ быть такого же сечения, как и фазные, но МОЖЕТ быть как меньшего, так и большего сечения.
Вот,почитать...
Также в трёхфазном кабеле нулевой провод никому ничего не должен. Он МОЖЕТ быть такого же сечения, как и фазные, но МОЖЕТ быть как меньшего, так и большего сечения.
Последний раз редактировалось Slabovik Ср окт 31, 2018 14:21:44, всего редактировалось 1 раз.
Slabovik
Спасибо, но мне надо данные гарантировано без опечаток при создании сайта.
Пример: https://www.ruscable.ru/info/pue/1-3.html
таблица 1.3.4
1 мм2 меди спокойно проводит 14 А ?!
Спасибо, но мне надо данные гарантировано без опечаток при создании сайта.
Пример: https://www.ruscable.ru/info/pue/1-3.html
таблица 1.3.4
1 мм2 меди спокойно проводит 14 А ?!
Последний раз редактировалось Ghost in shell Ср окт 31, 2018 14:25:21, всего редактировалось 1 раз.
Кот гуляет сам по себе, но вблизи холодильника.
А с чего-бы? В какой именно цепи БП АТХ происходит эта бесполезная трата мощности? Скважность импульсов в горячей части (в первичку трансформатора) при малой нагрузке уменьшается, тогда откуда возьмётся лишнее потребление?alexradio1103 писал(а):мощный будет кушать больше во столько раз на ХХ, сколько кушают несколько слабых на ХХ.
Чего?...alexradio1103 писал(а):в мощных стоят огромные на всю площадь крышки и жруть немеряно - до 0.9-1,2А.
У меня есть два блока с этой функцией "silent", с такими вентиляторами "на всю площадь крышки" (135 мм).
Ток потребления на бирках обоих вентиляторов - 0,4А. Я не измерял конечно, но у меня нет оснований не верить биркам.
Где ты видел свыше ампера - не знаю.


