[uquote="Gisteresis",url="/forum/viewtopic.php?p=3609419#p3609419"]Вернул как был 1k. Такое значение получилось подбором. Как его расчитать

На ток эмиттера еще сильно влияет верхний резистор базового делителя.[/uquote]Обойдёмся без подбора, всё будем рассчитывать. Вообще всё. Проявив немного волюнтаризма, на эмиттере установим напряжение 2 В. Ток эмиттера, как мы помним, требуется 0.5 мА. По закону Ома эмиттерный резистор нужен 4 кОм. Номинала такого нет, в реальности можно поставить 3.9 кОм, но симулятору пофиг, пусть будет 4 кОм.
Едем дальше. Если на эмиттере 2 В, то на базе должно быть 2.6 В. Падение 0.6 В на эмиттерном переходе кремниевого транзистора, конечно, зависит от базового тока, но для расчёта достаточно принять его вот таким. Ток базы меньше тока эмиттера, строго говоря, в (h21Э+1) раз. Считаем наш транзистор хорошим, с h21Э не менее 50. Значит, ток базы не более 10 мкА. Как будем считать делитель? Просто забубеним туда ток побольше, раз в сто, то есть 1 мА? Как-то нерационально, этот ток получается больше коллекторного. Мы поступим по-другому: ток зададим 100 мкА, а напряжение установим немного выше требуемых 2.6 В, которое снизится из-за потребления
коллекторного базового (очепятался) тока. Предварительная прикидка: нижний резистор будет около 30 кОм (понятно, почему?), верхний в три раза больше. Получается, выходное сопротивление делителя порядка 22 кОм. При базовом токе 10 мкА падение на нём будет около 200 мВ. Вот на эти 200 мВ и приподнимаем выход делителя. Итак, нижний резистор 30 кОм, верхний получается (12-2.8 )/2.8*30k = 98.6 k, ставим 100 кОм вверх.
Ну и последнее. Коллекторный резистор тоже обсчитать бы. Питание 12 В, на эмиттере 2 В, напряжение насыщения транзистора пусть будет 1 В, значит, на коллекторе не может быть ниже трёх вольт. Среднее между тремя и двенадцатью - семь с половиной вольт, его и установим. Будем считать, что ток коллектора тоже 0.5 мА, пренебрегая базовым током. Падение на коллекторном резисторе 4.5 В, значит, номинал 9 кОм. Бывает 9.1 кОм, но симулятору пофиг, ставим ровно девять. Имейте в виду, этот резистор определяет только положение рабочей точки. Для высокочастотных дел туда вообще напрашивается дроссель или контур. А нагрузку подключите через конденсатор. Для усиления порядка 10 она должна быть около 500 Ом.
[uquote="Gisteresis",url="/forum/viewtopic.php?p=3609419#p3609419"]В лекции мужик говорит что КУ задается Rк/Rэ у меня это 520/1000=0,5. По факту усиливает в 10 раз.[/uquote]Тут у меня два вопроса.
1. Что это за резистор - Rэ?
2. Что это за мужик такой?
[uquote="Gisteresis",url="/forum/viewtopic.php?p=3609419#p3609419"]АЧХ тоже непонятна в угле фазы. Почему я пробником не вижу никакого сдвига, а на АЧХ 180 разворот?
OutE - каскад с ОЭ
OutK - ОК
OutB - ОБ
Таки стало видно что ОБ в 10 раз по частоте обходит ОЭ.
А ОК вообще не меняется, тоже непонятно почему. Не пропустит же он 10ГГц.[/uquote]Тут ничего не скажу. На вопросы, касающиеся работы симуляторов, я не отвечаю, ибо не считаю себя в них специалистом.
Добавлено after 15 minutes 51 second:
[uquote="gsmart",url="/forum/viewtopic.php?p=3609835#p3609835"]Конденсатор пропустит любую частоту через себя, как низкую так и высокую[/uquote]Любую?
