Gate-Source Threshold Voltage

daaar

Объясните пожалуйста, что такое Gate-Source Threshold Voltage в MOSFET транзисторах? Например IRFUC20, для него min 2v, max 4v, как понял это напряжение которое нужно подать чтобы он открылся?
Может быть есть какая-то хорошая современная литература чтобы понять как это работает(полевик в целом)?

Реклама

Slabovik

Это пороговое напряжение. Ниже него транзистор считается закрытым - у него будет присутствовать только ток утечки. При росте напряжение выше этого порога транзистор начнёт открываться - сопротивление канала будет уменьшаться с ростом напряжения.

Пороговое напряжение у каждого MOSFET индивидуально и ещё зависит от температуры (с ростом температуры оно понижается). Поэтому в даташитах указывают т.н. коридор, в котором находятся значения порогового напряжения для всех выпускаемых транзисторов этой модели.

Вообще на тему, как работает полевой транзистор и как расшифровать его параметры, существует куча литературы в интернете.
http://microsin.net/adminstuff/hardware ... orial.html
http://electricalschool.info/electronic ... -chto.html
http://go-radio.ru/parametri-mosfet-transistorov.html
и т.д. и т.п.

Реклама

musor

Добавлено after 1 minute:
вашето ТАМ ВСЕ ОПЫСАНО ПАДРОПНО

daaar

[uquote="Slabovik",url="/forum/viewtopic.php?p=3274913#p3274913"]Это пороговое напряжение. Ниже него транзистор считается закрытым - у него будет присутствовать только ток утечки. При росте напряжение выше этого порога транзистор начнёт открываться - сопротивление канала будет уменьшаться с ростом напряжения.[/uquote]
Спасибо, всё понятно. Еще по ссылочкам почитаю

Реклама

white_ghost

А как быть с емкостями затвор - исток и затвор - сток, оно вообще говоря образует емкостный делитель со средней точкой на затворе на которую вполне может прилететь пол напряжения питания и открыть закрытый транзистор или закрыть открытый или превысить максимально допустимое напряжение на затворе.

Реклама

mickbell

Ёмкость затвор - исток шунтируется ещё драйвером затвора.

Реклама

Slabovik

Да, может. С этим явлением (ёмкостный делитель) ведётся борьба на этапе проектирования. Задача "минимум" - не дать "выбить" затвор, задача "максимум" - избежать паразитных открытий транзистора. Метод - обычно обеспечение низкого сопротивления нижнего плеча этого делителя (т.е. затвор-исток). Гораздо реже - компенсирующий заряд.

white_ghost

А как это делается? есть какие то примеры схем?

Slabovik

Смотрите любой импульсный источник питания с ключом - полевым транзистором.
А ещё почитайте вот это, ибо пересказывать довольно скушно, но особенно обратите внимание вот на эту статью.

white_ghost

Супер! переделал и о чудо токовый выброс при открытии ключа упал почти в ноль.

bortnik27

[uquote="Slabovik",url="/forum/viewtopic.php?p=3274913#p3274913"]Это пороговое напряжение. Ниже него транзистор считается закрытым - у него будет присутствовать только ток утечки.[/uquote]
Скажите, а верхний предел это напряжение сток-исток?

Slabovik

Сток - это третий электрод. Если речь идёт о gate, сток трогать какой смысл?
Максимально допустимое напряжение Gate-Source определяется прочностью изоляции затвора от канала и составляет обычно не более 20 вольт.

bortnik27

[uquote="Slabovik",url="/forum/viewtopic.php?p=3641468#p3641468"]Максимально допустимое напряжение Gate-Source определяется прочностью изоляции затвора от канала и составляет обычно не более 20 вольт.[/uquote]
Да интересует именно максимально допустимое напряжение Gate-Source, для IRF9310PBF в даташите не нашел, да и как то раньше не встречал данную характеристику.
https://static.chipdip.ru/lib/298/DOC000298128.pdf
Gate threshold voltage max 2.4V, это значит 5В его убьет?

Slabovik

На первой же странице в таблице "Absolute Maximum Ratings". 20 вольт.

bortnik27

Пардон, за невнимательность)