Полевые транзисторы. Что есть IGBT, MOSFET итд

[HochReiter]

Что за транзисторы, как называются?

[Eltex]

Вроде
КП505 400 пФ - держит заряд и КП364И 6 пФ, не держит заряд, сразу закрывается.

[12943]

[uquote="Slabovik",url="/forum/viewtopic.php?p=3592012#p3592012"]Хорош отжигать. параметр, на который вы киваете, называется

напряжение затвор-исток при заданном токе стока.

[/uquote]
Если это мне, то я "кивал на параметры" - Iз, Iс, Uси - из таблицы.

[Slabovik]

Прежде, чем на что-то кивать, надо ещё понимать, что оно значит. А так пока вся компания массово порет чушь, к сожалению...

[HochReiter]

КП505 400 пФ - держит заряд

Это привычный и понятный всем mosfet.

КП364И 6 пФ, не держит заряд, сразу закрывается.

А это jfet, полевой транзистор с p-n переходом. Непонятно только, почему он закрывается при отсутствии напряжения на у.э.: Iс.нач. = 1.5--5 мА

[12943]

[uquote="Slabovik",url="/forum/viewtopic.php?p=3592598#p3592598"]Прежде, чем на что-то кивать, надо ещё понимать, что оно значит. А так пока вся компания массово порет чушь, к сожалению...[/uquote]
Как нужно понимать:
Ic - ток стока?
Iз - ток затвора?
Uси нас - напряжение сток- исток при заданных токах?

[HochReiter]

BSIT, MOSFET и JFET - не одно и то же. Для первого из них ток затвора - норма жизни, для второго невозможен в принципе, поскольку O, для третьего возможен, но в экзотическом режиме.

[12943]

Ничего не имею против, я предположил своё, когда названия ещё держались в секрете.

[MASIK]

Уважаемые форумчани есть один вопрос который без Вашей помощи не решу. Вопрос заключается в замене MOSFET на IGBT, может кто то производил такую замену. Замену нужно произвести в инверторе DC/AC 12В/220В с модифицированным синусом на выходе мощностью 4кВт (китайских). IGBT подобрать с близкими или даже большими параметрами по рабочему напряжению и току.

[12943]

Зачем?

[kaetzchen]

ИГБТ более дебелые

[MASIK]

Вопрос чем вызвана такая замена. MOSFET в два раза а то и в три раза дороже чем IGBT. Во вторых в наличии есть IGBT, а MOSFET нужно еще заказывать в интернет магазине. В конкретном данном случаи стоят MOSFET -- FQA24N50C , а в наличии есть IGBT -- GT50JR22. GT50JR22 по напряжению и току подходит для замены, емкость затвора меньше чем в FQA24N50C. Не знаю только по сопротивлению переходов в ключевом режиме, в англицком полный ноль , а в графиках крепче дуба.

[AllexoK]

Посоветуйте пожалуйста сдвоенный драйвер нижнего плеча для IGBT FGA25N120ANTD самый простой.Сигнал на входе прямоугольный 1-10кгц 5-20В. Или где посмотреть методику выбора,подключения и расчёта обвеса. Не разберусь пока с вопросами какой ток на генератор сигнала с драйвера пойдёт, какое напряжение на выходе драйвера. С английским туго в датащитах рыться.

[mickbell]

https://www.chipdip.ru/catalog/ic-mosfe ... x.2401=ZGQ

[Eltex]

А вообще что лучше применять в качестве ключа, полевик, биполяр или каскад полевик-биполяр?

[nbn]

Лучше всего полевик GaN
http://vestnikmag.ru/gan-tranzistor-v-k ... apparatah/

[HochReiter]

А вообще что лучше применять в качестве ключа

А что лучше применять в качестве обуви? Сапоги, ботинки, тапочки (белые)? Зависит от.

[Martel-]

Сейчас нашёл в своей куче транзисторов полевик 2П201Б.
Такого тяп-ляповски сделанного транзистора я ещё не видел.
Два вывода-провода крепят съёмный (!) металлический колпачок, колпачок прижимается к оргстекловому основанию, из которого на трёх волосках-проводках в воздухе, внутри колпачка, висит зелёный чип

[mickbell]

Для встраивания в гибридные микросхемы. Корпус временный, можно проверить параметры, можно и в макетку запаять.

[Acorp]

Здравствуйте,

Прошу помочь разобраться со схемой управления IGBT.

1. Можно ли использовать один и тот же изолированный источник BAT1 для нескольких параллельных ключей? Есть ли преимущество у схем управления с драйвером в обвязке, в случае редкой коммутации в режиме ключа? ШИМ не предполагается.
2. Общий вопрос по выбору транзистора на работу при постоянном токе. Просто ключ - очень редкое переключение Вкл/выкл без ШИМ.
Я думал, всё что нужно это:
- Не превышать напряжение указанное даташитом на транзистор
- Не превышать температуру кристалла, исходя из расчета выделяемой мощности и переходного сопротивления кристалл->фланец->радиатор
Но в даташите на FGH40N60 (https://static.chipdip.ru/lib/176/DOC001176742.pdf) наткнулся на график SOA и не совсем его понимаю... DC - вроде бы как раз тот режим, что мне нужен и получается, к примеру, захоти я коммутировать 300VDC - смогу "прокачать" только 1А? звучит как-то неправдоподобно... Прошу помочь разобраться.
3. Тупой вопрос: Собственно, я правильно понимаю, что для IGBT нет разницы коммутировать 10VDC 40А или 1000VDC 40А (при условии, что транзистор на 1200, к примеру), поскольку напряжение насыщения одно и то же и мощность, оседающая на транзисторе соответственно тоже?

Заранее спасибо за участие