Транзисторные ключи.

Slabovik

Гм... что-то не дало мне задуматься о том, что ранее вы действительно говорили о линейном режиме. Я ориентировался на то, что вы говорили позже

Seleron писал(а):Частоту управления заложил 1кГц. Но подозреваю, что хватит и 100-200 Гц

Уж извините - мои замечания касаются ключевого режима, вполне соответственно логики названия темы.

Но с другой стороны, не совсем ясно, как вы транзистор собираетесь держать именно в линейной области регулировки. Она весьма узкая, что касается напряжения затвор-исток. Например, ниже V порогового транзистор считается полностью закрытым (утечки не в счёт), а пороговое у выбранного экземпляра уже в районе трёх вольт. А, скажем, выше трёх с половиной вольт транзистор уже будет полностью открытым. "Зазор" весьма невелик. Что ещё хуже - его величина и положение разнятся от транзистора к транзистору, также всё это ещё и гуляет от температуры. И получается, что чтобы держать транзистор в линейном режиме, имея для управления полный диапазон ЦАП, нужно какое-то другое решение. нежели просто масштабировать аналоговое напряжения с выхода ЦАП на затвор транзистора. Может, обрисуете полнее задачу?

Реклама

Seleron

Подобные транзисторы стоят почти во всех китайских электронных нагрузках и регулируются в линейном режиме LM324/58 с ОС по токовому резистору в несколько долей Ома.
У меня планируется практически то же самое, только регулировка тока будет осуществляться не потенциометром на входе ОУ, а МК с ЦАП-а.
Участок да, маленький. Но 3 Вольт не хватит для поддержания нужной мощности приоткрытого транзистора (да вы и сами сказали, что гуляют эти параметры). Так что лучше заложить ОУ и поднять верхний потолок сигнала до 5 Вольт.

Если не получится на практике - всегда можно будет заменить ОУ и его питание на более высокие выходные напряжения в 6..10 Вольт.
Частота управления - это сколько раз в секунду я буду опрашивать токовый шунт и корректировать, если надо, выходное напряжение на затворе транзистора. Поскольку нагрузка статична (максимум - это шум и выходные пульсации проверяемых источников питания) можно делать эту проверку не так часто. Хотя теоретический предел схемы около 5 МГц - максимальная частота работы выходного транзистора.

Реклама

Slabovik

Ясно. По факту имеем: а) оффтопик (потому что тема о ключах в рамках цифровой техники, а не о линейном применении); б) заблуждения относительно распределения функций по узлам проектируемого устройства.

Для устранения заблуждений настоятельно рекомендую для начала ознакомиться с многочисленными вариантами электронных нагрузок от других авторов с целью их расчленения на функциональные узлы и разбор (понимание) их функционирования. Например: https://cxem.net/pitanie/5-184.php

Seleron

[uquote="Slabovik",url="/forum/viewtopic.php?p=3785731#p3785731"]Ясно. По факту имеем: а) оффтопик (потому что тема о ключах в рамках цифровой техники, а не о линейном применении);[/uquote]
Изначально я эту тему создал в ARM тк были вопросы с сопряжением ЦАП и транзистора. Сюда её перенес модератор

б) заблуждения относительно распределения функций по узлам проектируемого устройства

Спасибо, я уже изучал схемы нагрузок. Принцип работы узлов мне понятен в общих чертах. Вопрос был в правильном подборе ОУ перед полевым транзистором при работе от ЦАП STM.
Попробую задать вопрос в аналоговой ветке.

Реклама

Slabovik

К сожалению, по тем посылкам, что я успел увидеть, по принципу работы как раз основные вопросы. Вот здесь была темка про то же самое. Ничего не выгорело (ибо я забросил со скуки), но полезные ссылки, надеюсь, там остались. Можно оживить и побалакать, прежде всего о принципах получения нужных характеристик и раздачи обязанностей по узлам.

Была где-то и ещё тема об электронной нагрузке, но сходу что-то не найду...

Реклама

Котёнок.

[uquote="Slabovik",url="/forum/viewtopic.php?p=3786078#p3786078"]Была где-то и ещё тема об электронной нагрузке, но сходу что-то не найду...[/uquote]И не одна.
Электронная нагрузка

Реклама

bl0w

Не могу ни как въехать, как посчитать резистор на базе транзистора... Теорию читал, но где взять необходимые значения для подсчетов, не понятно (
Имеется NPN транзистор (https://assets.nexperia.com/documents/d ... T3904M.pdf),
led на 15 mA и 3.2 V
напряжение питания 5 V
Нога на МК 5 mA и 1.8 V (она открывает базу)

Полагаю, что для подсчетов нужно знать усиление PN перехода, но как оно значится в ДШ ? (

И имеется ли формула, для расчета самого транзистора. Вдруг я захочу воткнуть 10 led и питание на 30 V ?

Jack_A

[uquote="bl0w",url="/forum/viewtopic.php?p=3794222#p3794222"]Полагаю, что для подсчетов нужно знать усиление PN перехода, но как оно значится в ДШ ?[/uquote]
А никак. Не существует такой параметра. Усиление имеет транзистор, а не его отдельные части (PN переход, корпус, выводы) .

Martin76

bl0w писал(а):но как оно значится в ДШ ? (

hFE

korob

Либо h21.

Jack_A

Martin76,korob я вот не понял - какого это перехода коэффициент усиления - ЭБ или БК

?

korob

Здесь не нужно быть экстрасенсом 80-ого уровня что бы понять что нужно новичку на самом деле.

Jack_A

Ну значит, мой уровень намного ниже. Но у меня глубокое убеждение (и я его целиком разделяю

) , что новичку при изучении чего-нибудь надо овладевать хотя бы базовыми терминами, а то получится : "Как эту фиговину запузырить в эту хрень, чтобы клёво шуршало".

bl0w

Спасибо за помощь, но как определиться с истиной когда hFE = несколько значений?

Martin76

Взять минимальное значение, да и точность для ключа не нужна. Главное, чтобы транзистор гарантированно входил в насыщение.

bl0w

Правильно ли я делаю расчеты?

Беру самое минимальное значение в таблице hFE (VCE = 1 V; IC = 100 mA; pulsed; tp ≤300 µs; δ ≤ 0.02), равное 30.
Делю ток led = 15 mA на hFE, получаю = 0,5 mA это будет ток базы-эмиттера.
Подаваемая напруга на базу 1.8 V, её делю на 0.5 mA и получаю 3,6 Ом.

Slabovik

Верно. Только если Вольты разделить на миллиамперы, в результате будут килоОмы, а не Омы.
И резистор нужно взять несколько меньше расчётного, скажем, от 2,2 до 3,3 кОм - это нужно, чтобы транзистор точно в насыщение вошёл, потому что, например, при понижении температуты h21 транзистора также будет уменьшаться.

bl0w

И ещё вопрос, Нужно ли в таких транзисторах учитывать падение напруги на БЭ ?
Если да, то как она обозначается в ДШ?

Slabovik

Нужно.
В даташитах он часто не указывается, поскольку БЭ являет собой типовой кремниевый PN переход с типовым же падением напряжения на нём. Для прикидочного расчёта вполне достаточно считать, что напряжение БЭ для линейного режима работы транзистора составляет примерно 0,6 вольта, для транзистора в насыщении - 0,7~0,8 вольта. Как видим, разница невелика, поэтому для вашего случая учесть 0.7 (вычесть из управляющего напряжения) будет вполне нормально.

bl0w

даже если я открываю базу такими напряжениями как 0,9 и 1,8 ?