]Hi ребя! Снимите с меня шлем.
1.Режим насыщения - через транзистор протекает максимальный ток, но напряжение на нем равно минимально возможному - напряжению насыщения. Это как? Или напряжение будет определяется сопротивлением нагрузки и током коллектора?
2.блокинг-генератор
Вторая стадия (формирование вершины импульса) начинается в момент времени t1. После того как транзистор VT1 перешёл в режим насыщения на него уже мало влияет ток протекающий через базу транзистора, поэтому нарастание амплитуды импульса прекращается и начинает формироваться плоская вершина импульса. В данный период времени напряжение на зажимах трансформатора практически не изменяется, поэтому напряжение на коллекторе не изменяется, но так как происходит разряд конденсатора С1 уменьшается напряжение на базе транзистора VT1, а следовательно и ток базы Ib. По мере уменьшения тока базы Ib начинает уменьшаться ток коллектора IC, но вследствие индуктивного характера коллекторной нагрузки, начинает увеличиваться ток намагничивания трансформатора, а, следовательно, и коллекторный ток транзистора VT1, в результате напряжение на коллекторе остаётся постоянным некоторое время, которое зависит от параметров трансформатора Т1.
После того как транзистор VT1 перешёл в режим насыщения --- сейчас ЭДС меняет полярность и vt начинает прикрываться?
Но так как происходит разряд конденсатора С1 - ---- это типа когда эдс поменяло полярность ,т.е уже происходит закрытие vt1?
начинает увеличиваться ток намагничивания трансформатора, а, следовательно, и коллекторный ток транзистора VT1---- магнитный поток базовой обмотки стремится компенсировать убывающий МП коллекторной так?
Почему тогда по описанию с t2 начинается закрытие?
1.Режим насыщения - через транзистор протекает максимальный ток, но напряжение на нем равно минимально возможному - напряжению насыщения. Это как? Или напряжение будет определяется сопротивлением нагрузки и током коллектора?
2.блокинг-генератор
Вторая стадия (формирование вершины импульса) начинается в момент времени t1. После того как транзистор VT1 перешёл в режим насыщения на него уже мало влияет ток протекающий через базу транзистора, поэтому нарастание амплитуды импульса прекращается и начинает формироваться плоская вершина импульса. В данный период времени напряжение на зажимах трансформатора практически не изменяется, поэтому напряжение на коллекторе не изменяется, но так как происходит разряд конденсатора С1 уменьшается напряжение на базе транзистора VT1, а следовательно и ток базы Ib. По мере уменьшения тока базы Ib начинает уменьшаться ток коллектора IC, но вследствие индуктивного характера коллекторной нагрузки, начинает увеличиваться ток намагничивания трансформатора, а, следовательно, и коллекторный ток транзистора VT1, в результате напряжение на коллекторе остаётся постоянным некоторое время, которое зависит от параметров трансформатора Т1.
После того как транзистор VT1 перешёл в режим насыщения --- сейчас ЭДС меняет полярность и vt начинает прикрываться?
Но так как происходит разряд конденсатора С1 - ---- это типа когда эдс поменяло полярность ,т.е уже происходит закрытие vt1?
начинает увеличиваться ток намагничивания трансформатора, а, следовательно, и коллекторный ток транзистора VT1---- магнитный поток базовой обмотки стремится компенсировать убывающий МП коллекторной так?
Почему тогда по описанию с t2 начинается закрытие?
Ничего не знаю, ничего не понимаю, но все делаю.
рано радовался... со слов: "Ток коллектора сначала уменьшается из-за уменьшения тока во вторичной обмотке транса" и далее - отборнейший бред.... 
