Здравствуйте!
Вопрос в следующем: хочу рассчитать усилитель мощности в критическом режиме, с углом отсечки и все такое. Каким образом в биполярном транзисторе рассчитывается этот параметр? В литературе пишут, что он идёт в документации к транзистору, но я ничего подобного не нашел. Я так понимаю, его можно найти графоаналитически, по статическим характеристикам, если это так, подскажите пожалуйста, как это делается.
Вопрос в следующем: хочу рассчитать усилитель мощности в критическом режиме, с углом отсечки и все такое. Каким образом в биполярном транзисторе рассчитывается этот параметр? В литературе пишут, что он идёт в документации к транзистору, но я ничего подобного не нашел. Я так понимаю, его можно найти графоаналитически, по статическим характеристикам, если это так, подскажите пожалуйста, как это делается.
