Греется понижающий преобразователь.

[Телекот]

Что бы убедится что такое решение с дополнительным диодом имеет хоть какой то смысл.

[parovoZZ]

Симулятор или осциллограф в помощь.

[Телекот]

Да можно и на симуляторе, хоть и незначительно, но с диодном спад импульса более медленный. в остальном разницы нет.

Что в принципе и следовало ожидать так как на диоде падает порядка 0,7в и следовательно ток разряда затвора тоже падает.
Следовательно не чего хорошего диод не приносит, однако и очень большого вреда тоже нет. Но зачем ставить лишние детали. я про это уже писал.
Но диод существенно влияет на скорость открывания ключа с диодом он открывается гораздо медленние. Это связано с тем что биполярный транзистор без диода закрывается быстрее так как на базу подается запирающее напряжение, а с диодом база повисает в воздухе.

[musor]

Телекот, насчет диода в базе и без симуляци всем вменяемым должно быть ясно это тупейше решение времен 70х в основном для линейных схем сдвига уровней ...
насчет

Добавлено after 2 minutes 26 seconds:
насчет https://radiokot.ru/forum/viewtopic.php ... 0#p4026550 зря даешь готовые подсказки пусть потрудится найдет и вьедет... а так тока с копипасттит в фотожере в очередную "свою схему"

[Телекот]

пусть потрудится найдет и вьедет..

А ты думаешь что это может произойти, я сомневаюсь.
Его склад ума это надолго, а с его наглостью то навсегда.

[Килиманджаро]

И третий раз для туго вьезжающих повторю - не всегда выигрыш в 50 нс. основное.
Телекот, ты действительно тормозишь не по детски.
В тех же промышленных блоках идут в первую очередь на надежное запирание транзисторов в ущерб каких то 50 нс. Это здесь происхолит запирание в связи десятикратной разности базового тока. Но в промышленных блоках такую херь не применяют.Недаром в последнее время транзисторы запирают обратной полярностью.
Китайцы нахера параллельно затвору цепляют емкость в 10 нанофарад? Или для твоего ума это недостижимо логически рассудить?

Мусор, тебе же уже сделали замечание за пустозвонство, не несущее никакого конструктива в теме польской зарядки. Так ты теперь здесь пустозвонишь?

[parovoZZ]

Звона не будет так как ёмкость затвора разряжается через резистор, только ток усиленный эмиттерным повторителем.

Как это? Никакого усиления нет - транзистор в насыщение уходит.

Китайцы нахера параллельно затвору цепляют емкость в 10 нанофарад?

Но ты то диод туда впаял.

[Телекот]

спорить с тобой бесполезно
https://www.litres.ru/darya-kalinina/ba ... at-onlayn/

Добавлено after 2 minutes 42 seconds:

Никакого усиления нет - транзистор в насыщение уходит.

Не какого насыщения там нет потому как для открытия транзистора на базу нужно подать 0,7в, а напряжение насыщения к-э намного меньше.
Так что это обычный эмиттерный повторитель.

[parovoZZ]

Значит уменьшайте базовый резистор.

[Килиманджаро]

Да хера тому телекоту доказывать.
Он хоть бы блин глянул как выполнены выходные каскады микросхем контроллеров ШИМ и драйверов. В них транзисторы для разрядки стоят по схеме с общим эмиттером а не эмиттнрным повторителем. Но он же твердолобый, до него не доходит.

Паровоз, если уменьшить базовый резистор в транзисторе для ращряда емкости затвора, то при равенстве его значения с ограничительным резисторрм при активном ходе - этот транзистор то ли закроется то ли нет при отсутствии дополнительного диода в базе. Это о том для чего я прилепил дополнительный диод в базу.

Добавлено after 3 minutes 12 seconds:
И последнее.
Насчет еикости в 10 нанофарад параллельно затвору.
Китайцы умные люди, и считают что лучше таким образом тормознуть закрытие транзистора чем ставить дополнительные снабберы.

[Телекот]

В них транзисторы для разрядки стоят по схеме с общим эмиттером а не эмиттнрным повторителем.

В твоей схеме он стоит как эмиттерный повторитель, а мы её и обсуждаем.

Насчет еикости в 10 нанофарад параллельно затвору.

А что ты в свою схему её не поставил?

Добавлено after 6 minutes 11 seconds:

Значит уменьшайте базовый резистор.

Хоть ты его замкни накоротко транзистор в таком включении в насыщение не войдёт, напряжение к-э будет порядка 0,6-0,7в это линейный режим работы. И ток базы будет пропорционален току эмиттера.

[Килиманджаро]

Телекот, а зачем усложнять (удорожать) схему для такого небольшого тока и напряжееия силового транзистора если и так достаточно, ты мог об этом задуматтся?

[Телекот]

Гений ты наш доморощенный
Надо просить модераторов почистить тему уже несколько страниц твоего сранья.

[parovoZZ]

в таком включении в насыщение не войдёт, напряжение к-э будет порядка 0,6-0,7в это линейный режим работы.

Это точная информация? Даташит на любой транзистор говорит о том, что с повышением тока коллектора и с повышением скорости его нарастания, напряжение насыщения транзистора очень хорошо растёт. И да - там нет напряжения БЭ, а только токи базы и коллектора.
Проектировать схемы с параметрами, которые линейно зависят от бетта транзистора - очень плохая идея и сегодня это совсем не модно. Поэтому любыми способами транзистор надо загонять в режим с прогнозируемыми параметрами, а не как получится.

[Телекот]

Ну вот покажи как ты загонишь схему с общим коллектором в насыщение без дополнительного питания.

[Килиманджаро]

Телекот, ты с темы то не соскакивай, чуть что сразу за срач хватаешься как за спасительную туалетную бумагу при поносе)))).

[musor]

И последнее.
Насчет еикости в 10 нанофарад параллельно затвору.
Китайцы умные люди, и считают что лучше таким образом тормознуть закрытие транзистора чем ставить дополнительные снабберы.

действително ПОСЛЕДНЯя КАПЛЯ...нихрена ты видимо не сечеш фишку ...а китайцы нищеброды неученые оказалис умнее тебя- они секут.... и да для полных идиотоф даю намек"снабберы" тут не причем.. а вот зачем ТАМ У НИХ в затворе доп емкость...походу тебе понять НЕ ДАНО... так что завязывай уж ты опыты по изобретателству господин "гениалный конструктор",а лучше вернись к углубленому изучению теории в ней походы ты полный 0 а без этого не одна "твоя схема" РАБОТАТЬ НЕ БУДЕТ
parovoZZ, драйверный БП транзистор(ы) в с хеме ОК работает всегда в линейном режиме что обеспечивает их очень высокое быстродействие при этом падение на них достаточно мало а расеивая моща не превыщает допуск (если тип выбран верно)необходимости загонять их в нас нет никакой напротиф иногда применяются СПЕЦмеры по недопущению их наса....

[Килиманджаро]

musor,
Тебя поперли с темы про польское зарядное как пустозвона, ты сюда прибежал засирать пустыми речами тему так и не сказав ничего про конденсаторы в 10 нан параллельно затвору потому что далек от этого как телекот от балета.

Падение КЭ транзистора в схеме с общим эмиттером и в схеме с эмиттерным повторителем ЗАВИСИТ от протекающего через КЭ тока - и не пори х....и если не знаешь.

[parovoZZ]

иногда применяются СПЕЦмеры по недопущению их наса....

не надо щёки надувать. Диод Шоттки в параллель БK - вот и все меры. Только такой подход огрничит коллекторный ток. И ухудшит термостабильность. Последнее для режима ключа не сильно вредно, но всё же.

всегда в линейном режиме

не линейным, а активным. Линейным там и не пахнет.

[Килиманджаро]

parovoZZ,
В схеме с эмиттерным повторителем режим линейный. Отрицательная обратная связь максимальна.