Олег,
По Вашей, карандашной схеме, с левым и правым вариантом, моё, любительское мнение таково. В левом варианте, последовательно с затвором, перед затвором, понадобится резистор 100-200КОм, зашунтированный конденсатором 01 - 0,01 мкф, и, хотя бы один, защитный диод. Всё это надо для защиты буфера от внешних сигналов с неизвестной амплитудой. Если брать внутренний сигнал синхронизации, с эмиттера выходного каскада, входной буфер СИ, обработает его без проблем. А если сигнал синхронизации берётся откуда то, поближе ко входу (как рекомендуется), шум от защитного резистора в цепи затвора может накладываться на полезный сигнал, который и так мал. Если гистерезис компаратора больше уровня шума - шум от буфера заметен не будет. Но, чем больше гистерезис компаратора - тем ниже чувствительность формирователя СИ. (по полосе частот, в эой схеме, ограничения быть не должно (ёмкость входа буфера ок 20-40пФ а выходное сопротивление ЭП в УВО - ок 30 Ом). Потому не лежит у меня душа, к прогону внутреннего синхросигнала, через ИП, предназначенный для формирования стандартных параметров входа внешних синхроимпульсов. По мне - этот ИП, и, возможно, ЭП за ним - это продолжение входного коаксиального разъема - примыкающий проезд, так сказать, а не основная дорога для синхросигнала.
Исключение - только если мы собираем осциллограф на 3ЛО1И или 6ЛО1И, Тогда, понимая ограниченность ЭЛТ, и пргнозируемую полосу, мы максимально экономим детали, собирая формирователь СИ, как в ОР-1 или САГА
Добавлено after 13 minutes 19 seconds:
Коллеги,
По снятию синхросигнала с УВО, предлагаю подумать вот о чём. Как снимать -
1) однофазно (Подключаем ЭП к выходу какого то горячего (или холодного) выхода каскада УВО, и, далее, этот сигнал с ЭП, отправляем в БР.
2) - дифференциальный съём - к одному из каскадов, подключаем дифф. ус. на паре транзисторов. Их базы - к горячему и холодному выходам каскада, а в БР идёт сигнал с коллекторного резистора одного из транзисторов этого, согласующего, дифкаскада. Тратим на 1 транзистор больше, получаем усиление СИ и равномерную нагрузку УВО со стороны элементов формирования СИ.
Каковы Ваши мнения о плюсах и минусах съёма СИ при помощи одного ЭП или при помощи дифкаскада (возможно, с выходным ЭП (уже 3 транзистора).
Заранее благодарю.
С уважением, ВикторС.