[uquote="Express",url="/forum/viewtopic.php?p=4061196#p4061196"][uquote="lumped.net",url="/forum/viewtopic.php?p=4061176#p4061176"]Я даже готов дать ответ в виде
весёлых картинок, если Вы дадите честное пионерское, что этот ответ поймёте.[/uquote]Довай, выкатывай, тока подробно...[/uquote]Хитрый какой экспресс попался... Картинок ему подробных подавай, а честное слово зажал. Не хочет давать повода к исключению из рядов пионерии.
Красным цветом помечены важные изменения, которые происходят на каждом шаге. Двигаемся по картинке слева направо.
1. Два транзистора включены коллекторами друг к другу. Узел K - точка соединения коллекторов. Для начала будем считать, что оба транзистора находятся в активном режиме, и исходя из этого выберем схему замещения.
2. Замещаем транзисторы эквивалентом для расчета режима по постоянному току. Переход БЭ замещён источником напряжения VBE, ток которого управляет зависимым источником тока коллектора IC. Будем считать, что верхний транзистор хочет выдать больший ток, чем готов принять нижний, то есть IC1>IC2. Видим противоречие: в ветви текут два разных тока, чего быть не может.
3. Так как IC1=IC1+IC2-IC2, то источник IC1 можно разбить на два параллельно включенных источника: IC2 и IC1-IC2.
4. Пользуемся свойством source-shifting transformation (это очень важное свойство, несмотря на свою, казалось бы, очевидность. По степени полезности я бы сравнил его с теоремой об эквивалентном генераторе). Источники верхнего и нижнего транзисторов IC2 отрываются от точки соединения коллекторов K. Противоречие устранено, теперь в ветви течет один и тот же ток IC2. Но источник тока IC1-IC2 остался подвешен в воздухе. И этот источник начинает пытаться создать в в узле K бесконечное положительное напряжение. (За счёт этого у каскада с динамической нагрузкой и получается высокий коэффициент усиления.)
5. Потенциал точки соединения коллекторов K движется вверх до тех пор, пока верхний транзистор не войдёт в насыщение. При этом (см. график коллекторных характеристик транзистора) источник тока верхнего транзистора превращается в (почти) источник напряжения насыщения VCE1sat, который уже теперь без всяких противоречий пропустит через себя ток IC2 нижнего транзистора.
P.S. Предвижу повторный вопрос, почему нижний транзистор не может открыться больше и пропустить через себя весь ток верхнего. Снова пользуемся свойством source-shifting transform: вместо одного источника IC2 последовательно включаем два источника IC2 (это одно и то же ведь!) и заземляем центральную точку. Теперь схема распалась на две независимых части и нижний транзистор просто не подозревает о существовании верхнего!
Обратная связь же справа подключена.
