Мелкие вопросы по теории

oleg63m

[uquote="Express",url="/forum/viewtopic.php?p=4087839#p4087839"]0,5=1+0,5[/uquote]
Слушай, Тормоз, а ты бармэном, случайно не работал? или кто-то из твоих родителей на разливе пива, или в розничной торговле?
что-то мне это напоминает.
рупь двадцать и рупь двадцать и того 3 двадцать

Реклама

Express

А шо ты хотел то? У тебя банка трёх литровая вот тебе и три рубля. Пивная математика однако.

Реклама

12943

[uquote="lumped.net",url="/forum/viewtopic.php?p=4088407#p4088407"]это и есть квазинасыщение?[/uquote]
Вот гораздо лучше видно:

lumped.net

Ого, какой скол характерный. Это же из симулятора картинка? Уж очень гладкая на вид...
КТ940 у меня в загашнике нету, попробую какой-нибудь 1300x из энергосберегайки замерить.
Кстати, подскажите, как положено снимать эти характеристики: должно быть Vbe=const или Ib=const?

Реклама

oleg63m

в даташитах, как правило всегда Ib=const. хотя, по моему без разницы. А вот с пересчетами будет немного посложнее. изменения не так наглядны в случае с напряжением.

Реклама

rl55

Что-то не пойму, о чем вы тут говорите.

Это семейство выходных характеристик транзистора, всегда делались при фиксированных токах базы.

Реклама

Express

Нашёл на просторах интернета.

Спойлер

Смотреть надо не характеристики насышения, а КВАЗИНАСЫЩЕНИЯ (или напряжения начала насыщения при базовых токах, близких к Ic/h21э, а не многократно задранных). Дело в том, что Rc - коварная штука, оно максимально в линейном режиме на границе квазинасыщения, а затем, при росте тока или уменьшении напряжения, приводит к открыванию коллекторно-базового перехода "внутри" транзистора, что приводит как к отбору тока базы (падению H21э), так и к модуляции этого Rc за счет заливки высокоомного слоя коллектора носителями. Последнее - процесс инерционный, и вызывает резкий рост эффективной коллекторной емкости, одновременно снижая видимое на статической ВАХ падение напряжения коллектор-эмиттер. Напряжение насыщения - оно так и называется, поскольку соответствует полному насыщению тела коллектора носителями, когда его сопротивление падает до минимума (максимальная модуляция). Время рассасывания - это как раз время удаления этих носителей, модулирующих проводимость коллекторного (а не базового, как в старых совковых учебниках) слоя.
Эффект наиболее выражен у высоковольтных транзисторов (особенно pnp) в силу того, что для повышения пробивных напряжений приходится использовать слаболегированные и толстые (т.е. высокоомные) коллекторные области.
В стандартных SPICE- моделях этих эффектов нет, они не моделируются, но в жизни - имеются во всей красе.

rl55

Express, ссылку трудно дать?
Это: http://forum.vegalab.ru/showthread.php?t=12016&page=11 ?

Ну и зачем тебе это квазинасыщение сдалось?
Ну назвал автор начало насыщения таким термином - что тебе с этого?
И так известно, что существует разная глубина насыщения транзистора.
Зачем тебе в эти глубокие теории лезть, если ты простейших вещей еще не понимаешь?

Express

Согласен, мне пока не надо, может lumped.net, пригодится.

rl55

Думаю, почитав тамошние рассуждения, он тоже отложит этот вопрос до будущих времен...

Express

Ааа то, мой мозг вывихнулся пока я читал эту простонь.

12943

[uquote="rl55",url="/forum/viewtopic.php?p=4088986#p4088986"]Ну назвал автор начало насыщения таким термином - что тебе с этого?
И так известно, что существует разная глубина насыщения транзистора.[/uquote]
Квазинасыщение, это не начало насыщения, а особый, весьма протяженный участок ВАХ и по графикам это хорошо видно.
Причем, если бы всё ограничивалось этим, можно было бы и внимания не обращать на участок КН.
Вся подлость в том, что в этой области сильно ухудшаются частотные свойства (падает fT),
а это создаёт проблемы при наличии глубокой ООС.

oleg63m

[uquote="Express",url="/forum/viewtopic.php?p=4088996#p4088996"]Ааа то, мой мозг вывихнулся пока я читал эту простонь.[/uquote]
не звезди. не могло вывихнуться то, чего нет в природе

Express

Вакум не однороден, в нём атомы есть, это ты Алежа погорячился насчёт пустоты.
Ну шо квазинасыщение ни кому не интересно я смотрю?
А то у меня тыщапицот вопросов накопилось.

vovw

у меня практический вопрос с рассуждениями, могу писать

rl55

[uquote="Express",url="/forum/viewtopic.php?p=4089091#p4089091"]Ну шо квазинасыщение ни кому не интересно я смотрю?[/uquote]
А кто же объяснять будет, если:

В учебниках путаница, т.к. их пишет хрен знает кто - классики вымерли. К примеру, эффект Кирка (о котором в данном случае должна идти речь) первым наблюдал Федотов, но сразу не понял его сути. Настоящее понимание дает самостоятельный расчет и изготовление конструкций транзисторов, особенно оптимизированных для разных приложений в составе микросхем. Должен заметить, что на весь бывший СССР и РФ этим реально владело всего 6-8 человек, и притом достаточно средне..

Из твоей ссылки http://forum.vegalab.ru/showthread.php? ... post524762

Вот у меня вопрос: насколько я понял, это специфическое явление присуще только мощным транзисторам при работе на больших токах?
Как бы, такие сравнительно плавные перегибы на их выходных характеристиках при больших токах мне известны и я всегда это относил к уменьшению rк в этой области коллекторных напряжений, но о связи с fт не знал. Буду иметь ввиду теперь.

12943

Это явление присуще высоковольтным транзисторам (150 В и больше) любой мощности, особенно с очень небольшой ёмкостью К-Б,
на токах больших некоторого уровня, разного для разных типов.

rl55

То-то, я смотрю, ты в качестве примера высоковольтный транзистор взял:

Спойлер

Я еще хотел спросить тогда, почему выбор пал у тебя именно на высоковольтный...

Да, попадалось мне сегодня при гуглении этого вопроса объяснение этого эффекта на примере специфических особенностей высоковольтных транзисторов. Хотя, в полной мере понять это с наскока довольно сложно...

12943

Не обязательно разбираться из-за чего это происходит.
Можно просто учитывать при разработке.

Express

Ну что тут скажешь, век живи век учись...