Советую почитать "Радиолюбителю о транзисторах" - там доходчиво. В "Сундуке Кота" есть.
Прочел начиная с 11 страницы. Ничего не сказано о направление электронов, сказано лишь о том, что ток проходит из эмитера в базу и из эмитера и базы в колектор описывая этот процесс сампроизвольным проникновением
Бумбокс, у меня деловое предложение: могу заняться твоим образованием по моему учебному плану. Можно на форуме, можно в личке. Оплата 2000 руб в день.
Ты бы лучше свой учебный план выложил на форуме, тем самым помог будущим радиолюбителям, а не сотрясал в пустую воздух. За 2000 рублей ты бы убирал мой дом до блеска.
Скорее всего вы сами незнаете что происходит внутри транзистора...
Если Вы хотите всё досконально узнать, начинайте изучать квантовую физику, начните с квантовой теории электрического тока. Правда для человека, не понимающего закон Ома, вряд ли это будет под силу в ближайшее время...
_________________ Если хотите, чтобы жизнь улыбалась вам, подарите ей своё хорошее настроение
Квантовая теория останется теорией на бумаге. Мне подробное описание внутренней работы транзисторы с иллюстрациями и картинками.
Квантовая теория! Ну ты загнул. Здесь нет таких спецов. Шобы поднять Российскую электронику из Тайваня в Ангстём спецов перетянули. Так шо дуй на Тайваньский форум там тебе помогут.
Квантовая теория останется теорией на бумаге. Мне подробное описание внутренней работы транзисторы с иллюстрациями и картинками.
Ага, а мне чай, пожалуйста! Только без сахара (белая смерть), без заварки (она ГМО), и холодный (потому что кипяток существует только на бумаге!)
Есть научное объяснение работы транзистора. Но ты его не в силах понять, потому что не хочешь учиться. И ты отвергаешь всё это из-за самооправдания. То есть, тебе подавай такое объяснение, которое полностью соответствует твоим фантазиям. Казалось бы - придумай уже для себя "объяснение" - и узбагойся. Но нет - тебе надо, чтобы опытные Коты, включая профессиональных электронщиков, признали твои фантазии. Так вот этого не будет.
_________________ Ваше открытие опровергает науку? Нет, это наука опровергает ваш бред. Истина никогда не бывает посередине. Ведь середина на стороне того, кто больше лжёт. Не стыдно писать в МЯЯЯУ! - стыдно вести себя не как порядочный Радио Кот.
То что вы уважаемый Мурзистор предложили почитать, в нем нет научного объяснения работы транзистора, а лишь схемотехника. Как бегут электроны в PN переходе мне понятно, но как это происходит в транзисторе, объяснить никто не в состоянии. Проникновение электронов в область коллектора при малом токе базы - эмитер это сказка какая то, при этом больший ток не стремится через базу
В справочнике на транзистор 2SB564A две записи: Collector-Base Breakdown Voltage BVCBO: -30V при IC=-100микроампер, IE=0 Collector Cutoff Current ICBO: -100 наноампер При VCB=-30V, IE=0. ВОт не могу понять. в чем разница. Включение рассматривается одно и тоже. Эмиттер отключен. Напряжение обратное одно и тоже, на одних и тех же выводах К-Б, а вот ток по одному параметру 100мкА, по второму 100нА. Разве это состояние не одно и тоже, когда 30 В в обратной полярности, когда эмиттер отключен? А ток разный указан?
Немного не так. Напряжение пробоя (при токе коллектора = 100 мкА) НЕ МЕНЕЕ 30 В. Темновой ток коллектора (при напряжении КБ = 30 В) НЕ БОЛЕЕ 100 нА.
Не думаю (уж наверное бы об этом было известно и как-то использовалось), что обычный биполярный транзистор обладает туннельным эффектом или свойством стабилитрона. У туннельного диода в определенной зоне ВАХ при одном и тоже значении напряжения может быть два значения тока, протекающего по нему. Даже у стабилитрона не настолько идеальная "стабилизирующая" ВАХ, что при изменении напряжения с 30 до 30,001 ток увеличился с наноампера до микроампера (в 1000 раз). Тогда можно понять, что как-то в справочнике указывать какие-то тысячные Вольта не совсем к месту. Слишком резкий переход получается. Полагаю, транзистор в части одного pn перехода обладает ВАХ, при котором одному значению напряжения на выводах соответствует только одно значение тока. От чего и непонимание, как при 30 В может быть 100 микроампер и 100 наноампер. Равно я не смогу понять, как на резисторе с сопротивлением 1000 Ом можно напряжением 1000 В на нем выставить ток в 1000 Ампер, а током в 1 милиампер достичь напряжения на этом резисторе в 1 Мегавольт.
При чём тут туннельный диод? Сказанное следует понимать так: у ЛЮБОГО из исправных транзисторов при токе коллектора 100 мкА напряжение коллектор - база будет не менее 30 В; также у ЛЮБОГО из исправных транзисторов при напряжении коллектор - база 30 В ток коллектора будет не более 100 нА.
_________________ И хрюкотали зелюки, Как мюмзики в мове.
chiefset, вообщето эмиттерные переходы кремниевых jbt часто обладают свойствами стабилитронов. напр у многих маленьких транзисторов около 7V напряжение электрического пробоя. и кстати характеристика оочень резкая, в области микро токов намного круче чем у "профессиональных" зенеров
но к пробою коллекторного перехода это конечно отношения не имеет, да немножко сбивающиее с толку названия параметров здесь конечно имеется ввиду разброс параметров разных экземпляров а не крутизна вах одного исследуемого перехода.
chiefset, вообщето эмиттерные переходы кремниевых jbt часто обладают свойствами стабилитронов. напр у многих маленьких транзисторов около 7V напряжение электрического пробоя. и кстати характеристика оочень резкая, в области микро токов намного круче чем у "профессиональных" зенеров
но к пробою коллекторного перехода это конечно отношения не имеет, да немножко сбивающиее с толку названия параметров здесь конечно имеется ввиду разброс параметров разных экземпляров а не крутизна вах одного исследуемого перехода.
Я для себя пока понимаю это так. ВАХ транзистора в этой точке 30 Вольт действительно принимает крутую зависимость, при которой нет необходимости указывать несущественные доли вольта (Это же не параметры стабилитрона). Если схема имеет ограничение тока и этот ток до 100наноампер - это абсолютно нормальный режим. Если ток ограничивать от 100 наноампер до 100 микроампер, это не пробой, но уже зона иной характеристики (не в расчете, что транзистор (то есть переход) не проводит ток в обратном направлении). Или можно назвать эту зону зоной восстанавливающегося пробоя. То есть идет процесс лавинообразного тока, но без повреждений. Вот при достижении тока в 100 мкА начинается процесс, приводящий к повреждению (перегрев и разрушение перехода или т.д.). Если по иному сформулировать. До 100 наноампер-это ток утечки в линейной зависимости (как и у фарфора например так или иначе есть сопротивление), а после 100 нА-уже пробой. И это действительно зона-подобная стабилитрону. Но к чему я. Это только мое представление о данных параметрах в справочнике. а не то, что есть в истине. Я могу по схеме включить сопротивление такого значения, что даже при напряжении источника в 1000 Вольт (против 30В) ток не сможет превысить 100мА, значит я уверен, что транзистор не повредится от обратного пробоя (и на самом переходе напряжен6ие будет падать те же 30 В). Ну просто: 1000В/100мкА=10Мегаом. Еще по иному. Cutoff current - ток отсечки. считается, что транзистор (переход) в этом режиме отсекает, не проводит ток. Чуть выше, когда ток переходит за 100нА-считается, что транзистор ток не отсекает, проводит. Пробой же-это тот режим, когда происходит видимо необратимое повреждение.
Я для себя пока понимаю это так. ВАХ транзистора в этой точке 30 Вольт действительно принимает крутую зависимость
Не в точке 30 вольт, а не менее 30 вольт Фактически оно может и 50 быть, и больше. И означает это что транзистор не следует использовать там где это напряжение может быть превышено.
Сейчас этот форум просматривают: aletdin и гости: 29
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения