Express, а зачем Вы так заморачиваетесь расчётом рабочей точки? Тем более вручную? А тем более в численном виде? Я бы ещё понял в виде формул найти ответ, чтобы потом дальше для чего-то использовать... Посчитайте режим в симуляторе, это по-любому будет точнее. Дальше из величин коллекторных токов найдёте сопротивления re и вперёд к малосигнальной модели. Там же всё самое вкусное происходит: нули, полюса, импедансы во все стороны вращаются...
[uquote="12943",url="/forum/viewtopic.php?p=4145576#p4145576"]Чем больше с тобой разговариваешь, тем больше ты борзеешь. Досвидос.[/uquote]
Бооорзеешь??? Это чо щас было? Где это я борзеть начал?
Добавлено after 3 minutes 36 seconds: lumped.net, это не расчёт рабочей точки...
Это больше собственно как всё работает...
Ты это видел? -760,8 мВ не на эмиттерах а в эмиттере Q3!
Напрашивается вопрос... Схерали?
Express, эмитеры должны быть открыты, у кремния Vfw на малых токах 500..800mV в зависимости от тока,температуры,и экземпляра (грубо - от количеств примесей с обоих сторон областей перехода в полупроводнике).
Express, я не слежу за темой, честно говоря. Тем более за числами. Падение напряжения на диоде D2 и резисторе R3 одинаково, отсюда ток через Q3 равен 2 мА, и он делится пополам между Q1 и Q2. Значит, их re=25 Ом.
Аналогично, ток через Q5 равен 10 мА, значит для Q4 re=2.5 Ома.
Собственно, это почти всё, что мне хотелось бы знать.
[uquote="mickbell",url="/forum/viewtopic.php?p=4145435#p4145435"][uquote="PenguinChik",url="/forum/viewtopic.php?p=4145421#p4145421"]При пробое у нас переход коллектор-эмиттер пробивается, и переход коллектор-эмиттер[/uquote]Это где ж такой переход в транзисторе отыскался? Я таковых отродясь не видел.[/uquote]
на практике в средне и можных тепловой пробой идет имено так пробивае КЭ при сохранеи диодности эб/эк в слабых и вч обычно отгорает вывод Э и они уходят в отрыф
ZМудрость(Опыт и выдержка) приходит с годами.
Все Ваши беды и проблемы, от недостатка знаний.
Умный и у дурака научится, а дураку и ..
Алберт Ейнштейн не поможет и ВВП не спасет.и МЧС опаздает
lumped.net, да, только, для Express, надо не забыть сказать что к внутренним сопротивлениям эмиттеров re надо дорисовать последовательно источник напряжения ~650mv в эквивалентной схеме транзистора для постоянного тока, иначе ниче не выйдет...
видимо это вызвало непонятки?
если хочется больше теории:
ток I в pn переходе от напряжения на переходе V и температуры T[K]
I=Is (exp(eV/kT)-1)
константы: e-заряд электрона, k-постоянная больцмана для конкретного перехода , Is-ток насыщения для конкретного перехода.
kT/e -температурный потенциал перехода
Спойлерe** заменил на exp чтоб эйлера с электроном ктонить не спутал))
Последний раз редактировалось AlexS4 Вт дек 21, 2021 15:30:18, всего редактировалось 3 раза.
Да нет там никаких непоняток, этот экспресс лучше меня в схемотехнике разбирается. Но зачем-то прикидывается тормозом.
Добавлено after 15 minutes 56 seconds:
Походу, можно в эквивалент по постоянному току re не добавлять, а обойтись одним источником Vbe=0.7 В. На re падает Ic*re=Ic*VT/Ic=VT=25мВ, что пренебрежимо мало по сравнению с Vbe. Другое дело, если большие токи и омические потери есть. Поправьте, если ошибаюсь.
[uquote="AlexS4",url="/forum/viewtopic.php?p=4145610#p4145610"]Express, эмитеры должны быть открыты, у кремния Vfw на малых токах 500..800mV в зависимости от тока,температуры,и экземпляра (грубо - от количеств примесей с обоих сторон областей перехода в полупроводнике).[/uquote]
Если это всё перевести, то выглядит так ГСТ на постоянке имеет нулевое сопротивление по этому -760,8 мВ на эмиттере Q3?
lumped.net
Да какое там ре? Рассчёт по постоянному току бессмысленно пытаться делать точно.
Стабильность по постоянному току обеспечивает исключительно ООС, глубокая ООС.
При этом режимные токи установятся на рассчётном уровне абсолютно независимо от вариаций параметров активных элементов, температуры и прочего.
[uquote="Express",url="/forum/viewtopic.php?p=4145644#p4145644"]выглядит так ГСТ на постоянке[/uquote]Какое Вам дело до того, чего как выглядит по постоянке, если у Вас разделительные ёмкости на входе и в обратной связи? Смотреть нужно, как оно по переменке выглядит!
Ток через Q3 мы посчитали 2 мА, значит его re=12.5 Ом. Ещё у него есть эмиттерный резистор R3=330 Ом. У транзистора есть выходное сопротивление ro=VA/IC, которое портит жизнь. VA - напряжение Эрли (пусть будет 100 В). Формулу для малосигнального сопротивления ГСТ (считайте, что по переменке) я Вам уже давал, причём два раза за последние полгода. Вкратце: ro'=ro(1+R3/re)=1.35 МОм. Чем эта величина больше - тем симметричнее усиливает дифкаскад.
Вообще, тов. Express, я Вас убедительно прошу качество своих вопросов поднять. Я уже забыл, когда учился у Вас чему-то новому.
[uquote="Express",url="/forum/viewtopic.php?p=4145644#p4145644"][uquote="AlexS4",url="/forum/viewtopic.php?p=4145610#p4145610"]Express, эмитеры должны быть открыты, у кремния Vfw на малых токах 500..800mV в зависимости от тока,температуры,и экземпляра (грубо - от количеств примесей с обоих сторон областей перехода в полупроводнике).[/uquote]
Если это всё перевести, то выглядит так ГСТ на постоянке имеет нулевое сопротивление по этому -760,8 мВ на эмиттере Q3?[/uquote]
сори неуследил, на базе Q3 напряжение определяется падением на D1+D2 ~=0.7V*2 VbQ3~=-35+1.4V на эмитере вычтется прямое падение эмиттера VеQ3~=VbQ3-0.7V~=-35+0.7V. про генератор тока непонял, внутреннее/выходное диф сопротивление идеального ГСТ = бесконечности, в реальности на коллекторе Q3 диф сопротивление десятки kOhm, с точки зрения расчетов это означает что суммарный ток Q1+Q2 практически не зависит от потенциалов их эмиттеров и баз соответственно. c учетом того что потенциал баз/эмиттеров Q1Q2 меняется по сравнению с Vcc ~ на 1% я заменил на упрощенной схеме Q3 на резистор.
Та блин! схему перед собой положи, карандаш в руки возьми, и отслеживай по схеме, что форумчане говорят. А то мечешься как та макака "я и умная, и красивая" -- всю логику работы растерял.
[uquote="musor",url="/forum/viewtopic.php?p=4145619#p4145619"]на практике в средне и можных тепловой пробой идет имено так пробивае КЭ при сохранеи диодности эб/эк в слабых и вч обычно отгорает вывод Э и они уходят в отрыф[/uquote]Я говорил про терминологию. Не бывает перехода коллектор-эмиттер. Если некоему мусору позволено тут выражопываться, хотя непонятно, с какого хрена, то всяким котяткам - нехрен.
Если с одной стороны резистора -741мВ а на самом резисторе падает -19,8мВ то сдругой стороны резистора по ходу движения тока чо будет? Ебстественно -760,8мВ... Какая ещё нахрен логика тут нужна...
Добавлено after 6 hours 33 minutes 24 seconds:
Между резисторами ноль! Трындец, между нулевыми потенциалами идёт ток логика железная, а́аа аргументировать такую логику ни чем не надо, да?
Вообще ничего удивительного. Идеальный вольтметр - это идеальный источник нулевого тока (т.е. обрыв). Идеальный амперметр - это идеальный источник нулевого напряжения (т.е. закоротка). Последний приём иногда используется при симуляции в SPICE. Например, когда нужно сделать источник, зависимый от какого-нибудь тока в разветвлённой цепи.
Это понятно что у источника тока при нулевой разности потенциалов идёт ток... Дааа ахренеть это как надо смотреть на схему что бы все элементы включая и внутренности транзистора выстроить последовательно???
Ктож знал что он схему преобразовывает в источник тока, да ещё именно в этом месте???
Сидит значит преобразовал её в своей голове как то, мне нехрена не сказал и на меня ещё дуется, нормальный перец ёпт???
c Q3 все просто а вот в такомже генераторе тока на Q4 транзистор может входить в насыщение при недостатке тока от Q5. при этом напряжение на коллекторе может быть ниже напряжения на базе. (у Q5 тоже кстати, только с учетом разворота полярностей выше соответственно). ps в статике оос не допустит такого. и еще надо не забывать указывать откуда отсчитывается потенциал, по умолчанию от общего провода 0V, конец R17, который посередине между -35V,+35V
