Дифкаскад на транзисторах в блоке питания

[kotyk7]

Уважаемые Коты, С Новым Годом!
Возник у меня такой вопрос:
Есть ли смысл использовать дифкаскад на дискретных элементах в управлении силовыми транзисторами блока питания?
Вот набросал в симуляторе такой вариант.
Нужна деловая аналитика/критика.

Спойлер

[pavel2000]

Надо - используй, не надо - используй ОУ, получишь более лучшие характеристики стабильности.

Защита по току - чет на беглый взгляд не понравилась....

[1en2]

в виде развлечения используй, что хочешь......не ты первый.....есть готовые схемы, начиная от 142ЕН1, есть промышленные БП (Аэлита-101 и др., в ч/б тв и т.д. )

[Николай_С]

[uquote="kotyk7",url="/forum/viewtopic.php?p=4151375#p4151375"]Нужна деловая аналитика/критика.[/uquote]
Нужна - дадим, но прежде нужно Вам ответить на свой же вопрос с акцентом по выделенному:

Есть ли смысл использовать дифкаскад на дискретных элементах в управлении силовыми транзисторами блока питания?

Ведь полно же ИМС линейных стабов и ОУ, внутри которых применяется дифкаскад. Зачем делать на дискрете?

[kotyk7]

Да, на готовых ОУ проще. И во многих из них есть на входе дифкаскад.
Мне интересно на сколько будет быстрее отклик (транзисторов то поменьше в цепи прохождения сигнала нежели в готовых ОУ), но боюсь будут вопросы по термостабильности этого каскада на дискрете.

[1en2]

а ты хочешь с 2 транзисторов мкВ стабильности иметь на 12 В ????????????

[Телекот]

для правильной работы диф, каскада должно выполняться условие одинаковый режим работы транзисторов. Здесь этого нет, используйте ТЛку и будет счастья.

[kotyk7]

Всем спасибо. Еще раз: С Новым Годом!!!

[Дмитрий М]

Дифкаскад на одном кристалле как в 142ЕН1(2) (и в 723 прототипе откуда их и драли, но уложиться в полный диапазон 1-37 вольт не смогли, отсюда ен1 и ен2) работает хорошо, ибо он идентичен. В некоторых военных стабах повторяли на 159НТ... и тому подобных сборках интегральных, они тоже монокристальные. Собственно так тоже можно повторить.. Отдельные транзисторы в дифкаскаде лучше явно не будут.

[musor]

наскока помню 142ен2 до 40в нормалноживет а ен1 это их же выбракофка с меншим нряжение силол0вого звена..
кстатти класные были те что в золоте по 50лет живут...
а вот когда их в пластик закатали и попутно корпус и пинаут заменили -испортили хорошу вещь суки

[Дмитрий М]

Не думаю что это выбраковка, просто разбили на 2 типа. Ну сами подумайте, как отбраковывать транзисторы ключей...типа пробило или нет? Это же не стабилитроны...
По моему на офтопе была тема, там даже топологий кристаллов другая и (но не уверен) номиналы внутренних делителей опорника другие.

[12943]

[uquote="Дмитрий М",url="/forum/viewtopic.php?p=4151997#p4151997"]Ну сами подумайте, как отбраковывать транзисторы ключей...типа пробило или нет?[/uquote]
А чё думать? За меня всё придумали: ГОСУДАРСТВЕННЫЙ СТАНДАРТ СОЮЗА ССР

ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ

Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора)

[musor]

Дмитрий М, лавиный обортнимый пробойперехода КБ неужели не слышали ? предтече начало лавины перешедшей в электрический...
технология разбракофки на групы ТАКАЯ
напругу КБ/КЭ плавно но медлено повышают чутко следя за током ка токо ток начнет начснет непропорционално -резко заметно расти значит достигнуто ГРАНИЧНОЕ НАПРЯЖЕНИЕ Колекторного ПЕРЕхода -налало его пробоя
вот тогда напряжени надо снизить на 20% и убедившись что ток болше не растет(от лавины) саморразогрева это и будет Uke max для даной групы соответствено с другими параметрами(тоже замеряемыми) будет буква а ципок и последня цифра... насчет разных рензистолроф силно соромневаюс в 142 ве ИТ опорника стояли полевики-интересное решени хотя для того времени страное -трудно технологичное
хотел бы я конечно маски кристалоф по мелкаскопом глянуть...
хотя мож рание чипы и не тянули вот и были 2 версии а потом когда качекство техпроцеса стало на вывсоте уще все кисталы шли 2 толка маркировали тех по разному в зав от харакетеристик
интегралные транзюки силнотоковые тогда получить на боле 25в и ток боле 70ма было сложноваато поэтому часто шли на хитрось-баянили по 2-10 маломощных структур прям внутри чипа изза разброса параметроф полуучит ВВ ключики так было нереално наверно поэтому буржуи тогда и применяли гибридки и3 слаботочного кристала управляющего мощным внешним кристалом силового биполки на обшей подложке STR(f) тому пример

[Дмитрий М]

Посмотрю ту тему в сети... было насчет ен1 и 2 и 723 микры.. Внутри по буквам я ещё согласен разбраковывать можно, но они и по интервалам напряжения были разные, я понял бы если бы было 1-15 и 1-37, но там не такие границы. В ЕН3 смогли же сделать полный интервал...

[kotyk7]

LM723 вполне доступна. Но пишут, что в ней усилитель ошибки "прихрамывает".

[musor]

[uquote="kotyk7",url="/forum/viewtopic.php?p=4152518#p4152518"]LM723 вполне доступна. Но...усилитель ошибки "прихрамывает".[/uquote]
вазможно вы рамсы попутали и хотели вы сказать "про транзитор схемы защиты" который в 90% случаеф не применяют а исползуют внешние узлы
а сам усилитель ошибки и ИОН в 723 вполне средние не хуже и не лучше расыпушных и наших 142ен1/2 ... собствено китайцы давно исползуют из ципы толка сам дифусик ошипки и ИОН ципки...
а вот силовой узел и защиту они не применяют изза их убогости и отсталости заменяя внешними современыми деталками
кстати в отличие от 723 наши 142ен2(SMD) вполне се самодостаточны и у меня в генке собраном в начале 80 прекрасно живут сеье и не пыхтят... 40лет КАРЛ (СОРОК!!!) а прдивет стока китайская ципа??? силно сомневаюсь

Добавлено after 2 minutes 12 seconds:
СОВОК FOREVER!

Добавлено after 1 minute 33 seconds:
кстати мы вошли в год 100летия великого СССР и еслиб не твари вроде МГ и БЕ
то мы бы щас жили луче чем в Пиндостане

[Телекот]

Ну сами подумайте, как отбраковывать транзисторы ключей...типа пробило или нет? Это же не стабилитроны...

Большинство транзисторов при замыкании б-э ведут себя как стабилитроны, я постоянно пользуюсь этим для отбраковки перемаркира китайского. Мосфеты даже использую как мощный стабилитрон, напряжение стабилизации примерно на 5-10% больше максимального напряжение по даташиту.