Коллеги, здравствуйте.
Необходимо простенькое зарядное устройство с регулируемым током. Выбрам импульсный прототип на старой доброй NE555 - см. рис.
При токе нагрузки в 400мА транзистор VT1, находящийся в ключевом режиме греется примерно до 50 град. Теплоотвод не использую пока. Надо полагать, он будет греться гораздо сильнее при токе в 1 А, так что нужен уже теплоотвод. Как снизить нагрев транзистора?
Частота следования импульсов с ШИМа - 20кГц, прямоугольные. В точке А изменяются от 0 до 12В, как и должно быть. А вот в точке В уже - от примерно 3,5 до 12 (!), подозреваю, что из-за этого транзистор не запирается полностью и потому греется. Возможно, неправильная методика расчета R2 и R3? Я пользовался книгой Гейтенко "Источники вторичного электропитания. Схемотехника и ремонт". Так вот, там про R3 сказано, что он должен быть от 220 Ом до 1К, а R1 = tmax/(C1+C2), где tmax - максимальное время переключения транзистора, выбирают исходя из частоты следования импульсов на его затворе (я выбрал 5мкс, в 100 раз меньше периода). С1+С2 - входная емкость транзистора, по даташиту 3400пФ.
И вот имеем довольно существенный нагрев.
Может, кто-то подскажет другую, более адекватную методику расчета номиналов R2 и R3? Буду весьма признателен.
Необходимо простенькое зарядное устройство с регулируемым током. Выбрам импульсный прототип на старой доброй NE555 - см. рис.
При токе нагрузки в 400мА транзистор VT1, находящийся в ключевом режиме греется примерно до 50 град. Теплоотвод не использую пока. Надо полагать, он будет греться гораздо сильнее при токе в 1 А, так что нужен уже теплоотвод. Как снизить нагрев транзистора?
Частота следования импульсов с ШИМа - 20кГц, прямоугольные. В точке А изменяются от 0 до 12В, как и должно быть. А вот в точке В уже - от примерно 3,5 до 12 (!), подозреваю, что из-за этого транзистор не запирается полностью и потому греется. Возможно, неправильная методика расчета R2 и R3? Я пользовался книгой Гейтенко "Источники вторичного электропитания. Схемотехника и ремонт". Так вот, там про R3 сказано, что он должен быть от 220 Ом до 1К, а R1 = tmax/(C1+C2), где tmax - максимальное время переключения транзистора, выбирают исходя из частоты следования импульсов на его затворе (я выбрал 5мкс, в 100 раз меньше периода). С1+С2 - входная емкость транзистора, по даташиту 3400пФ.
И вот имеем довольно существенный нагрев.
Может, кто-то подскажет другую, более адекватную методику расчета номиналов R2 и R3? Буду весьма признателен.
- Вложения
-
- doc12936720220722170231.jpg
- (96.74 КБ) 177 скачиваний
