Мосфет с низким напряжением открывания

[watchmaker]

Существует ли какой-нибудь мосфет с такими параметрами?
P-канал. В крайнем случае можно и N, но тогда придётся немного переделывать схему - менять полярность питания на выходе. Оба типа с равноценными параметрами - вообще идеально.
Напряжение открывания 1 В максимум (!!!). Меньше - лучше. Нужно, чтобы транзистор надёжно открывался, если держать на затворе ноль, а на исток подавать 1.1..1.2 В.
Мощность особо не важна, ток стока - десятки миллиампер при 1.5 В. На стоке нагрузка, которая тоже висит другим концом на нуле.
Сопротивление открытого канала при 1 В на затворе не выше 20 Ом (меньше - лучше, в идеале - единицы ом).
Не SMD! TO-92 корпус или какой-либо аналогичный.
Есть низковольтная схема, в которую хотелось бы поставить полевик вместо КТ3107, чтобы избежать прямого падения.

[АлександрЛ]

мосфет

Возьмите JFET...

[watchmaker]

Была мысль, но у нас их трудно достать.
Есть довольно неплохой мосфет SI2301, но я не уверен насчёт его напряжения открывания. При 1.55 В открывается надёжно, а вот при 1.1 В - не факт.

[АлександрЛ]

Есть довольно неплохой мосфет SI2301, но я не уверен насчёт его напряжения открывания.

Gate-Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS , ID = - 250 A - 0.45
https://www.vishay.com/docs/70627/70627.pdf
Gate-Threshold Voltage это Пороговое напряжение затвора, как я понимаю, это напряжение, при котором транзистор должен открыться.
А JFET это, например, КП103.
https://www.quartz1.com/price/PIC/415N1019513.pdf
https://static.chipdip.ru/lib/031/DOC001031162.pdf
Вот ещё кучка транзисторов с малым напряжением открытия на затворе:
https://www.chipdip.ru/product/irlml6401gtrpbf
https://static.chipdip.ru/lib/404/DOC016404463.pdf

https://www.chipdip.ru/product/fdv304p-2
https://static.chipdip.ru/lib/952/DOC011952186.pdf

https://www.chipdip.ru/product/pmv65xp.215
https://static.chipdip.ru/lib/583/DOC001583053.pdf

https://www.chipdip.ru/product/irlml2244trpbf
https://static.chipdip.ru/lib/311/DOC000311357.pdf

https://www.chipdip.ru/product/irlml6402trpbf
https://static.chipdip.ru/lib/790/DOC005790109.pdf

https://www.chipdip.ru/product/irlml6401tr
https://static.chipdip.ru/lib/144/DOC000144674.pdf

https://www.chipdip.ru/product/irlml2246trpbf
https://static.chipdip.ru/lib/890/DOC011890169.pdf

https://www.chipdip.ru/product/irlml6402tr
https://static.chipdip.ru/lib/144/DOC000144675.pdf

[Martian]

Gate-Threshold Voltage это Пороговое напряжение затвора, как я понимаю, это напряжение, при котором транзистор должен открыться

Если точнее - начинает открываться. То есть, сопротивление канала начнёт уменьшаться, но это ещё далеко не ключевой режим...

Добавлено after 4 minutes 33 seconds:
[uquote="watchmaker",url="/forum/viewtopic.php?p=4264855#p4264855"]Есть низковольтная схема, в которую хотелось бы поставить полевик вместо КТ3107, чтобы избежать прямого падения.[/uquote] Падение напряжения существует и там и там - сопротивление канала у мосфетов никто не отменял и у мелких оно может быть достаточно большим, а с очень малым - дорогие по цене. Кроме того, у биполярных падение тоже в зависимости от режима может находиться вплоть до "можно пренебречь", учитывая "Мощность особо не важна, ток стока - десятки миллиампер". Смотрите графики насыщения коллектор-эмиттер

[zenner]

На алишке видел какие то новые транзисторы mosfeet с встроенным драйвером
Название не помню. Но недорогие.
Может у них есть такая возможность, драйверы вытягивают низкий уровень входа.

[watchmaker]

Кроме того, у биполярных падение тоже в зависимости от режима может находиться вплоть до "можно пренебречь", учитывая "Мощность особо не важна, ток стока - десятки миллиампер"

Именно вплоть до "можно пренебречь" или вплоть до прямого падения одного п-н перехода?

Gate-Threshold Voltage VGS(th) VDS = VGS , ID = - 250 A - 0.45

Ого, другие производители указывают для него 1.0 В.

[Martian]

[uquote="watchmaker",url="/forum/viewtopic.php?p=4265190#p4265190"]Именно вплоть до "можно пренебречь" или вплоть до прямого падения одного п-н перехода?[/uquote]


На графике выше изображено насыщение коллектора-эмиттера для PNP-транзистора MMBT4403LT1-D в зависимости от тока коллектора (который в 10 раз больше тока базы).