В EWB существует множество параметров транзистора для различных режимов...
У меня возникла проблема в определении параметра H21э... в EWB это Forward current gain coefficient rF...(как я понимаю) в теории транзисторов это коэффициент передачи по току коллектор-база.
H21э = B = (Iк-Iкбо)/(Iб+Iкбо), что примерно равно B = Iк/Iб
Вопрос в том, с помощью какой схемы можно экспериментально(в программе) выявить это отношение. Я пытался просто подключить источник напряжения(постоянного) между базой и эмиттером(транзистор как четырехполюсник), а коллектор-эмиттер замкнуть накоротко(и к земле) (см. Приложение), но отношение не выполняется. H21э вроде бы интегральный параметр.
В матричном виде уравнение для четырехполюсника, которое определяет параметры:
U1 = | h11 h12 | |I1 |
I2 = | h21 h22 | |U2|
Смотрел книгу Карлащука по моделированию аналоговых схем в EWB(и MatLab). Он предлагал схему с источником тока, постоянным и переменным... непойму почему эта схема так выглядит.. для чего источники тока нужны(как-то совсем непохоже, то что про H параметрых написано). И по его схеме опять не сходится... для 2N3702 rF = 50. А получается 978/40 = 24.
- Вложения
-
- СнятиеB.JPG
- (21.14 КБ) 741 скачивание




