Схема включения транзистора - общий эмиттер , медленно закры

[alkis3]

Всех приветствую.
Что имееться в наличии.
Осциллограф со встроенным генератором.
Биполярный Транзистор,два резистора,блок питания.

Транзистор включен по схеме общий эмиттер ,через резистор на базу подаются импульсы с генератора,второй резистор подключен к коллектору ,с коллектора снимаю данные осциллографом.

Транзистор приемлимо быстро отпирается (за 10-100нс в зависимости от номинала) ,но медленно запирается(лучшее время из имеющихся показал кт3128 - 600нс)

Просьба порекомендовать транзистор который способен запираться из полностью открытого состояния за время не более 100нс(меньше - лучше) либо порекомендовать схему,способную заставить транзистор запираться за нужное время.

[Martian]

Разве характер нагрузки не влияет на скорость запирания? Но о ней ни слова. Резистор - это неоднозначно.
Разве ток (как минимум форма) в базе не влияет на работу транзистора? О нем тоже ни слова. "генератор" - это неоднозначно.
Даже методика измерений влияет, но и о ней ни слова.
Приведено название транзистора, время - и на основании этих скудных данных надо что-то советовать... Да и схему надо рисовать, а не описывать словами, даже в прошлом веке в ГОСТ был придумано текстовый эквивалент схем.

[alkis3]

Схема -общий эмиттер ,если человеку не известна эта схема нет смысла сюда писать.Номиналы резисторов менялись от 150 ом до 10 ком это не влияло на время закрытия

[Martian]

Мне неизвестно, известна ли Вам эта схема. С учетом детского и плохо оформленного вопроса, у меня вполне обоснованные сомнения. Вы даже осциллограммы не привели, ни выхода с генератора, ни на транзисторе. Чем меряли-то, секундомером, глядя на лампочку?

[vlasovzloy]

Ну предположим если нужно нормальное открывание закрывание я предложил бы посмотреть в сторону усилителя класса А , расчеты там же

[alkis3]

Задача заключается в одном,иметь номинал транзистора который запирается в схеме общий эмиттер за время не более 100нс.
Второй вариант нужна схема или статья с реализацией запирания транзистора в схеме оэ за время менее 100нс.

Интересует именно один из этих вариантов помощи.

[КРАМ]

[uquote="alkis3",url="/forum/viewtopic.php?p=4334727#p4334727"]Всех приветствую.
Что имееться в наличии.
Осциллограф со встроенным генератором.
Биполярный Транзистор,два резистора,блок питания.
.............
порекомендовать схему,способную заставить транзистор запираться за нужное время.[/uquote]
Время запирания ОЭ зависит не столько от транзистора, сколько от емкости нагрузки.
Поэтому для быстрого переключения никто ключ с открытым коллектором не использует. Нужна пуш-пульная схема.
Отсюда вопрос. А собственно в чем потребность? Чем вы хотите нагрузить свой ключ? Ну и параметры входного и выходного сигнала не забудьте упомянуть.... А то вы длинно рассказывали о своей неудаче, а самую главную информацию так и не изложили.

[alkis3]

Нагрузка резистор 1 ком,входной сигнал от генератора осциллографа напряжение там в районе 5в идёт на базу через резистор 1 ком.
Номиналы резисторов для меня не принципиальны,их можно поменять в согласии с вашими рекомендациями,так же можно добавить иные элементы в конструкцию для ускорения закрытия транзистора,в остальном давайте оставаться в рамках именно этой описанной конструкции.

[КРАМ]

Питание у схемы какое?

[alkis3]

12 вольт

[КРАМ]

Минут 10 потребуется на симуляцию, чтобы найти транзистор с минимальной выходной емкостью.
Но останется входная емкость осциллографа, которую мне нужно знать.

ЗЫ. Транзистор BC817. Фронты менее 100 нс.

[alkis3]

Спасибо,буду пробовать..Но здесь на сколько я понимаю не одна ёмкость все решает.Емкость осцила я не знаю,но полоса пропускания 100мгц

[КРАМ]

[uquote="alkis3",url="/forum/viewtopic.php?p=4334760#p4334760"]Спасибо,буду пробовать..[/uquote]
Проблема в том, что для такой схемы даже небольшая емкость нагрузки быстро увеличивает время выключения. Просто потому, что сам транзистор ни на что уже не влияет. Он закрыт, а емкость на выходе медленно и печально заряжается от источника питания через резистор в коллекторе.
Поэтому для иллюстрации происходящего приведу симуляцию той же схемы, но с нагрузкой в виде емкости всего в 50 пФ и с изменением номинала резистора в коллекторе от 300 Ом до 1 кОм с шагом 100 Ом. Самый быстрый процесс - с резистором 300 Ом, естественно.



[uquote="alkis3",url="/forum/viewtopic.php?p=4334760#p4334760"]Но здесь на сколько я понимаю не одна ёмкость все решает.[/uquote]
Не одна. Их здесь несколько. И все, кроме той, что я показал в нагрузке, находятся внутри транзистора. Это паразитные емкости БЭ, КЭ и БК транзистора.

[alkis3]

Основная характеристика которая влияет это ,на сколько я понимаю время рассасывания заряда.

[КРАМ]

[uquote="alkis3",url="/forum/viewtopic.php?p=4334773#p4334773"]время рассасывания заряда.[/uquote]
Это чушь. И я вам выше показал, что это не так.
Рассасывание объемного заряда базы определяется коэффициентом насыщения транзистора. И если коэффициент насыщения чуть более 1, то время рассасывания минимально.
Обсуждаемые 100 нс и выбор обычного биполярного транзистора общего назначения кагбэ намекаэ нам о том, что дело не в заряде базы.
Еще раз. Однотактный ключ - плохой выбор для быстрого переключения. Причину я выше объяснил.
Если нужно быстро, то либо надо делать двухтактный усилитель, либо брать готовую микросхему. В данном случае идеально подойдет драйвер затвора нижнего плеча.
Например, IR4427, TC4427, MCP1401/MCP1402, UCC27324 и так далее и тому подобное...

[alkis3]

Ну вот на иностранном форуме у человека такой же вопрос https://electronics.stackexchange.com/q ... transistor

Тут люди отвечают ,что проблема именно в рассасывание заряда,и для улучшения работы нужно поставить диод шоттки.В русскоязычной статье,потерял адрес была такая же информация ,говорилось что микросхемы ттлш работают быстрее за счёт диодов шоттки предотвращающих насыщения транзистора.Вы говорите дело в ёмкости,не понятно в итоге в чем дело.

[КРАМ]

[uquote="alkis3",url="/forum/viewtopic.php?p=4334783#p4334783"]Ну вот на иностранном форуме[/uquote]
Любезный, чтобы адекватно воспринимать подобную информацию, нужно прежде изучить проблему.
Еще раз. В ВАШЕМ СЛУЧАЕ заряд базы не препятствует получению искомых 100 нс. У вас проблема совершенно в другом.
Микросхемы ТТЛШ, к слову, имеют пушпульный выход, ну если не считать тех, у которых открытый коллектор. Но тогда ваши проблемы воспроизведутся и на них.
Сатурацию биполярного транзистора совсем не обязательно предотвращать посредством диода Шоттки. Можно обойтись минимально возможным током базы. Результат будет идентичный.
Так же можно в качестве ключа применить MOSFET. У него нет проблемы с зарядом базы, но есть проблема с зарядом затвора. Впрочем, это совершенно другая история.

[alkis3]

У человека из статьи точно такая же схема ,что и у меня..Вопрос у него тот же самый,а причины у нас с ним при этом разные?

[КРАМ]

[uquote="alkis3",url="/forum/viewtopic.php?p=4334788#p4334788"]точно такая же схема[/uquote]
Да, так бывает, когда плохо понимаешь физику работы биполярного транзистора. Схема ОЭ всегда одинакова. Но вот требуемые от нее параметры могут быть разными. И в зависимости от этого нужно принимать разные решения.

[alkis3]

Так вопрос у меня тот же самый,ему нужно уменьшить время запирания и мне,так в чем разница между нами?