надо ли ставить диод паралельно клапану если у нас транзистор Р канал
ведь индукция тогда упрётся в закрытый транзистор с большим сопротивлением и не пройдёт до плюса питания
Di123 писал(а):надо ли ставить диод паралельно клапану если у нас транзистор Р канал
К стоку транзистора будет приложена ЭДС самоиндукции в другой полярности, вот и все. Никакой разницы в плане превышения допустимого напряжения для Р ключа в данном случае не будет.
Нужно прижать транзистор в корпусе ТО-247 (с дырдочкой) к радиатору.
Из тех нормальных,не длинных болтов что есть все по диаметру больше отверстия в корпусе транзистора.
Можно ли использовать прижимные пластины для транзистора в качестве крепежа ,например https://www.compel.ru/infosheet/AAV/MAX08NG , или всёж заморочиться и найти нужные болты,сделать под них отверстия (не насквозь естественно) и прикрепить транзисторы.
Или желателен болт в таких случаях,для лучшего прилегания....транзисторы будут работать в линейном режиме,как электронная нагрузка.
Насквозь не выйдет,так как с обратной стороны рёбра .
Толщина самой подошвы у радиатора порядка 1.2 см (будем считать 0.9-1 см) до рёбер с обратной стороны.
[uquote="den2",url="/forum/viewtopic.php?p=4389455#p4389455"]Муркиз,
если за счёт самой пластины,то не думаю что много увеличит...[/uquote]
Ещё как увеличит,площадь прижима больше становится
Если кажется, что работу сделать легко, это непременно будет трудно.
[uquote="Di123",url="/forum/viewtopic.php?p=4389058#p4389058"]надо ли ставить диод паралельно клапану если у нас транзистор Р канал
ведь индукция тогда упрётся в закрытый транзистор с большим сопротивлением и не пройдёт до плюса питания[/uquote]
без диода самоиндукция пойдет в - и увеличит напряжение и-с, если это напряжение превысит предел электрического пробоя канального перехода то транзистор снова принудительно откроется с запертым затвором а дальше варианты ( в зависимости как лягут A-V-T на SOA FET. ): тепловой пробой или циклические закрытия и восстановимые пробои по осцилляциям в индуктивности, возможно повезет и заработает в режиме лавинного автогенератора короче нет смысла экономить диод, нучеснослова!
какой установившийся ток при 12V у клапана? очень вероятно прийдется озаботиться скоростью закрытия (разряда затвора) силового fet. иначе сгорит по энергии закрытия.
малой кровью это можно сделать уменьшив до минимума резистор з-и и соответственно увеличив ток открытия. вероятно от инверсной схемы с общей базой прийдется отказаться потому что в ней весь ток дает gpio. тоесть делаем схему fet-pos, R2=100ohm но Q2=npn (как в схеме jbt-pos) в базу Q2 R4=1k, R1-ненужен.
ps и на твоей схеме перепутан местами исток и сток.
[uquote="den2",url="/forum/viewtopic.php?p=4389621#p4389621"]метчик найду....нет опыта в нарезке,[/uquote]
Тогда одного комплекта мало, бери четыре, когда метчики сломаешь - не вытаскивай, сверли новые дыры.
Нарезайте воротком (а не шуруповертом), обязательно смазывать маслом и не торопитесь. Не больше пол оборота за раз (потом реверс). Иначе гарантированно сломаете.
Ничего вы не "испортите" - даже если сверло выйдет/попадет в ребро, вы просто не должны сверлить дальше. Вообще, это верный способ сломать сверло, и потом его не_вынуть. Подумайте, если ребра позволяют и сможете купить сверло такой длины - сверлите со стороны ребер.
А вообще, если абстрагироваться от конкретики к важному, то всё определяется тем, нужно ли изолировать сток транзистора от металла радиатора. Если нужно, то придется делать иначе - прикреплять транзистор к пластине и эту пластину через прокладку сажать на радиатор. Иначе транзистор перегреется.
Метчиков должно быть ДВА, первый и второй. На первом на хвостовике маркировка- поперечная черта. Есть еще машинные, длинные, они заменяют оба, но ими нарезать хуже, больше вероятность сломать. Для больших диаметров их по три шт. Бывает . Маркируются двумя чертами , одной и без черты. Такими проще нарезать, резьба более высокого класса точности, не закусывает при нарезке.
Последний раз редактировалось сэм Ср мар 22, 2023 16:13:01, всего редактировалось 1 раз.
В алюминии часто достаточно пройти черновым метчиком, при втором проходе чистовым резьба прослабляется. После первого прохода попробовать завернуть винт, если завернется то и достаточно.
[uquote="Di123",url="/forum/viewtopic.php?p=4388952#p4388952"]electroget, проблема мне кажется в присутствии лишних элементов[/uquote]
Проблема "лишних элементов" в схеме, это проблема которая решается в последнюю очередь. На этапе разработки, в схеме всегда есть "лишние элементы". Но вначале добиваются полнофункциональной работы схемы, а уже потом убирают из неё все "лишние элементы".
electroget, а я просматриваю будущее
взял за основу несколько предложеных вариантов тут и расписал себестоймость каждой схемы далее сделал трасировку всех и сравнил какая меньше занимает места и при этом смотрится гармонично и эстетично
в итоге остановился на подороже варианте с двумя полевиками
я предположил что в теории отпирающий полевик будет подавать всё напряжение на затвор 3,3в а если биполярник брать то на нём упадёт 0,7в и получим 2,6в
да и тесты показали что 8574 при подаче напряжения выставляет все порты в 1 по умолчанию и сброс питания и ресет не влияют на неё
и работать придётся с нулём что в данном случае удобно он у неё имеет почти силовой порт
AlexS4, ток устоявшийся 0,4а
в общем я посмотрел диоды там влазиют
транзисторы закажу что нибудь из серии АО34 там напряжение повыше на пробой
на Q2 на затвор разве не нужен токоограничительный резистор в 100 ом ?
при включении у меня все 24 отпирающих транзистора мгновенно откроются по вашей схеме а начальный импульс у них же большой несгорит ли амска от них ?
[uquote="Di123",url="/forum/viewtopic.php?p=4389763#p4389763"]electroget, а я просматриваю будущее
взял за основу несколько предложеных вариантов тут и расписал себестоймость каждой схемы[/uquote]
Делайте как знаете, только экономику проекта считают когда есть уже рабочий прототип изделия. А пока рабочего прототипа изделия нет, вы считаете именно что экономику вариантов схем.
Di123, 0.4A это норм, неслишком много если AO3413 но R2 наглазок должен быть порядка 1k, и тогда схемы с общим затвором/базой нежелательны потому что будет порядка 12mA нагрузка на gpio что хорошо не для всех mcu. если хочешь 2 полевика то нужна вточности схема fet-pos где Q2 усиливает и ток тоже. R2=510..2k R1- необходимости в нем нет, импульс тока через емкость затвора менее 1nF для мелких fet небольшой (а всхемах об/оз он ограничен работой транзистора Q2 и напряжение 12v не попадает на gpio если я правильно понял беспокойство). c точки зрения тока включения по питанию - тож смешно потому что блокировочные конденсаторы на порядки больше емкости затвора. тем не менее R1 можно поставить для того чтоб понизить ток управления потому что транзистору не нужно все 12V на затворе, чтоб полностью гарантированно открыть AO3413 надо около 4V и тогда R2=510 R1=1k ток через Q2 уменьшаем в 3 раза до 8mA при той же хорошей скорости разрядки затвора Q1. еще раз, это важно при выключении индуктивной нагрузки чтоб не повредить Q1 тепловым импульсом в процессе закрытия. именно по этому R2 должен быть небольшого сопротивления. резистор последовательно затвору Q2 не нужен совсем но и не испортит ничего если будет 1..10k.
