Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора
Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора
Доброго времени суток, уважаемые форумчане! Помогите пожалуйста, объясните на пальцах как при помощи осциллографа измерить заряд затвора IGBT ? Дело в том, что я пишу магистерскую работу и хочу так сказать произвести входной контроль выбранного транзистора, а то сегодня очень много подделок. Ну и собственно, нашел статьи в которых люди это делают, но я не понимаю четкой последовательности, что и как подключать. Вот пример одной из статьи https://power-e.ru/components/chto-neob ... vera-igbt/ заранее благодарен.
- Реклама
- Gudd-Head
- Друг Кота
- Сообщения: 20092
- Зарегистрирован: Чт сен 18, 2008 12:27:21
- Откуда: Столица Мира Санкт-Петербург
Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора
Измеряете ток, ток·время = заряд.
В чём проблема?
В чём проблема?
[ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ]
- Alex-lab
- Потрогал лапой паяльник
- Сообщения: 308
- Зарегистрирован: Ср ноя 20, 2013 11:29:26
- Откуда: Манчестер
- Контактная информация:
Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора
Нужно найти площадь под кривой тока заряда. Померьте напряжение на затворном резисторе, пересчитайте в ток и вычислите площадь.
При решение наиболее сложных задач, большинство, как правило, ошибается...
Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора
Объясните пожалуйста, по какому принципу выбраны точки 1 и 2 в руководстве Infinion при расчёте потерь для IGBT транзистора.
- Alex-lab
- Потрогал лапой паяльник
- Сообщения: 308
- Зарегистрирован: Ср ноя 20, 2013 11:29:26
- Откуда: Манчестер
- Контактная информация:
Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора
gujjiver, 1 - первая точка линейного участка, 2 - наиболее дальняя от первой, что бы точнее определить наклон.
При решение наиболее сложных задач, большинство, как правило, ошибается...
- Реклама
Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора
Спасибо Alex-lab всё получилось, разобрался как это работает. У меня есть ещё вопрос, как правильно записываются (обозначаются буквенно) потери управления для транзисторов?
- Gudd-Head
- Друг Кота
- Сообщения: 20092
- Зарегистрирован: Чт сен 18, 2008 12:27:21
- Откуда: Столица Мира Санкт-Петербург
Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора
Никогда не видел такого параметра ни в одной документации на транзисторы.
Наверное, потому что это невозможно стандартизировать, поскольку есть куча нюансов.
Наверное, потому что это невозможно стандартизировать, поскольку есть куча нюансов.
[ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ]
- Alex-lab
- Потрогал лапой паяльник
- Сообщения: 308
- Зарегистрирован: Ср ноя 20, 2013 11:29:26
- Откуда: Манчестер
- Контактная информация:
Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора
gujjiver, Не вполне понятно, что вы имели ввиду. Если потери на переключение, то они называются Turn-on/Turn-off energy.
При решение наиболее сложных задач, большинство, как правило, ошибается...
Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора
Я спросил поскольку нашёл упоминания об этих потерях в книге "Силовая электроника от простого к сложному" Б.Ю Семенова, и хотел узнать как это обозначается в англоязычной литературе, конечно я сам лично не сталкивался с расчётом таких потерь и упоминаниях о них.
Также хочу ещё узнать, что подразумевает эта надпись в графике SOA для транзистора FGA25N120ANTD. Дословно она переводится так "Кривые должны быть снижены линейно с увеличением температуры" и как получается будет выглядеть SOA для температуры, скажем, 125 C.
Добавлено after 1 minute 13 seconds:
Также хочу ещё узнать, что подразумевает эта надпись в графике SOA для транзистора FGA25N120ANTD. Дословно она переводится так "Кривые должны быть снижены линейно с увеличением температуры" и как получается будет выглядеть SOA для температуры, скажем, 125 C.
Добавлено after 1 minute 13 seconds:
- Alex-lab
- Потрогал лапой паяльник
- Сообщения: 308
- Зарегистрирован: Ср ноя 20, 2013 11:29:26
- Откуда: Манчестер
- Контактная информация:
Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора
Я думаю это идет из времен мощных биполярных транзисторов, где ток управления был значительным, т.к. усиление было очень низким.gujjiver писал(а):нашёл упоминания об этих потерях
Там же Семенов пишет, что для транзисторов с затворами этим можно пренебречь. Но формально ничто не мешает посчитать эти потери.
Точно сложно сказать, но выглядит так, как будто если температура повышается в 2 раза, ток должен быть в 2 раза меньше. Но тут возможно вариации. Там вообще не понятно, в основной таблице указано, что при 25С максимальный ток 50А, а на графике только 25 для DC.gujjiver писал(а):то подразумевает эта надпись в графике SOA
При решение наиболее сложных задач, большинство, как правило, ошибается...


