Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора

Что мерить, чем мерить, как мерить. И, естественно - зачем мерить...

При поддержке компании ПРИСТ


Ответить
Аватара пользователя
gujjiver
Открыл глаза
Сообщения: 66
Зарегистрирован: Пт окт 21, 2016 06:50:07

Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора

Сообщение gujjiver »

Доброго времени суток, уважаемые форумчане! Помогите пожалуйста, объясните на пальцах как при помощи осциллографа измерить заряд затвора IGBT ? Дело в том, что я пишу магистерскую работу и хочу так сказать произвести входной контроль выбранного транзистора, а то сегодня очень много подделок. Ну и собственно, нашел статьи в которых люди это делают, но я не понимаю четкой последовательности, что и как подключать. Вот пример одной из статьи https://power-e.ru/components/chto-neob ... vera-igbt/ заранее благодарен.
Реклама
Аватара пользователя
Gudd-Head
Друг Кота
Сообщения: 20092
Зарегистрирован: Чт сен 18, 2008 12:27:21
Откуда: Столица Мира Санкт-Петербург

Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора

Сообщение Gudd-Head »

Измеряете ток, ток·время = заряд.
В чём проблема?
[ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ]
Реклама
Аватара пользователя
Alex-lab
Потрогал лапой паяльник
Сообщения: 308
Зарегистрирован: Ср ноя 20, 2013 11:29:26
Откуда: Манчестер
Контактная информация:

Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора

Сообщение Alex-lab »

Нужно найти площадь под кривой тока заряда. Померьте напряжение на затворном резисторе, пересчитайте в ток и вычислите площадь.
При решение наиболее сложных задач, большинство, как правило, ошибается...
Аватара пользователя
gujjiver
Открыл глаза
Сообщения: 66
Зарегистрирован: Пт окт 21, 2016 06:50:07

Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора

Сообщение gujjiver »

Снимок.JPG
(35.62 КБ) 75 скачиваний
Объясните пожалуйста, по какому принципу выбраны точки 1 и 2 в руководстве Infinion при расчёте потерь для IGBT транзистора.
Реклама
Эиком - электронные компоненты и радиодетали
Аватара пользователя
Alex-lab
Потрогал лапой паяльник
Сообщения: 308
Зарегистрирован: Ср ноя 20, 2013 11:29:26
Откуда: Манчестер
Контактная информация:

Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора

Сообщение Alex-lab »

gujjiver, 1 - первая точка линейного участка, 2 - наиболее дальняя от первой, что бы точнее определить наклон.
При решение наиболее сложных задач, большинство, как правило, ошибается...
Реклама
Аватара пользователя
gujjiver
Открыл глаза
Сообщения: 66
Зарегистрирован: Пт окт 21, 2016 06:50:07

Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора

Сообщение gujjiver »

Спасибо Alex-lab всё получилось, разобрался как это работает. У меня есть ещё вопрос, как правильно записываются (обозначаются буквенно) потери управления для транзисторов?
Реклама
Аватара пользователя
Gudd-Head
Друг Кота
Сообщения: 20092
Зарегистрирован: Чт сен 18, 2008 12:27:21
Откуда: Столица Мира Санкт-Петербург

Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора

Сообщение Gudd-Head »

Никогда не видел такого параметра ни в одной документации на транзисторы.
Наверное, потому что это невозможно стандартизировать, поскольку есть куча нюансов.
[ Всё дело не столько в вашей глупости, сколько в моей гениальности ] [ Правильно заданный вопрос содержит в себе половину ответа ]
Аватара пользователя
Alex-lab
Потрогал лапой паяльник
Сообщения: 308
Зарегистрирован: Ср ноя 20, 2013 11:29:26
Откуда: Манчестер
Контактная информация:

Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора

Сообщение Alex-lab »

gujjiver, Не вполне понятно, что вы имели ввиду. Если потери на переключение, то они называются Turn-on/Turn-off energy.
При решение наиболее сложных задач, большинство, как правило, ошибается...
Аватара пользователя
gujjiver
Открыл глаза
Сообщения: 66
Зарегистрирован: Пт окт 21, 2016 06:50:07

Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора

Сообщение gujjiver »

Я спросил поскольку нашёл упоминания об этих потерях в книге "Силовая электроника от простого к сложному" Б.Ю Семенова, и хотел узнать как это обозначается в англоязычной литературе, конечно я сам лично не сталкивался с расчётом таких потерь и упоминаниях о них.
IMG_20231202_005940.jpg
(86.63 КБ) 43 скачивания
Также хочу ещё узнать, что подразумевает эта надпись в графике SOA для транзистора FGA25N120ANTD. Дословно она переводится так "Кривые должны быть снижены линейно с увеличением температуры" и как получается будет выглядеть SOA для температуры, скажем, 125 C.
Добавлено after 1 minute 13 seconds:
яок.JPG
(56.37 КБ) 38 скачиваний
Аватара пользователя
Alex-lab
Потрогал лапой паяльник
Сообщения: 308
Зарегистрирован: Ср ноя 20, 2013 11:29:26
Откуда: Манчестер
Контактная информация:

Re: Как измерить заряд Q затвора IGBT транзистора

Сообщение Alex-lab »

gujjiver писал(а):нашёл упоминания об этих потерях
Я думаю это идет из времен мощных биполярных транзисторов, где ток управления был значительным, т.к. усиление было очень низким.
Там же Семенов пишет, что для транзисторов с затворами этим можно пренебречь. Но формально ничто не мешает посчитать эти потери.
gujjiver писал(а):то подразумевает эта надпись в графике SOA
Точно сложно сказать, но выглядит так, как будто если температура повышается в 2 раза, ток должен быть в 2 раза меньше. Но тут возможно вариации. Там вообще не понятно, в основной таблице указано, что при 25С максимальный ток 50А, а на графике только 25 для DC.
При решение наиболее сложных задач, большинство, как правило, ошибается...
Ответить

Вернуться в «Измерения»