[uquote="As",url="/forum/viewtopic.php?p=4584402#p4584402"][uquote="stoun",url="/forum/viewtopic.php?p=4584346#p4584346"]...Но тут есть важное условие - нельзя перегружать такой УНЧ длительное время, чтобы УНЧ работал продолжительное время в режиме ограничения сигнала по питанию. В противном случае УНЧ перегреется и произойдет пробой выходных транзисторов. Это условие не сложно обеспечить подбором оптимального коэффициента усиления (или аттенюатора) усилителя так, чтобы сигналом источника стандартного уровня (например, 2 В) нельзя было загнать УНЧ в опасный режим работы...[/uquote]...Создается впечатление, что человек усилители видел только в симуляторе... 
Максимум рассеиваемой мощности на транзисторе - совсем не при максимальной выходной мощности усилителя! Более того, транзистор - не лампа, тепловая инерция у него ничтожна, поэтому при превышении мощности шнурование тока и прогар кристалла происходят практически мгновенно... Поэтому транзисторы выбираются таким образом, чтобы они не выходили из ОБР при любом уровне сигнала и реактивности нагрузки, а нештатные режимы должна отсечь система защиты... 
[/uquote]
ОБР определяется не по мгновенным значениям температуры кристалла, а по усредненной температуре корпуса транзистора или радиатора вблизи от транзистора. Кристалл может нагреваться и до 150-200 град. И посмотрите на досуге даташиты на мощные транзисторы. Там есть параметр долговременного тока и импульсного тока. Импульсный ток у транзисторов обычно в 1,5-2 раза выше долговременного. А у диодов эта разница может быть и в 5-7 раз. Выходные транзисторы микросхем в этом плане ничем не отличаются от отдельных транзисторов. Поэтому, если не "парить микросхемы" , чтобы радиатор разогревался до 80-100 град., то в коротких импульсах, на звуковом сигнале, с них можно снимать мощность, в коротких импульсах, примерно в 1,5 раза больше, чем в схеме по даташиту и без больших искажений сигнала.
Максимум рассеиваемой мощности на транзисторе - совсем не при максимальной выходной мощности усилителя! Более того, транзистор - не лампа, тепловая инерция у него ничтожна, поэтому при превышении мощности шнурование тока и прогар кристалла происходят практически мгновенно... Поэтому транзисторы выбираются таким образом, чтобы они не выходили из ОБР при любом уровне сигнала и реактивности нагрузки, а нештатные режимы должна отсечь система защиты... [/uquote]ОБР определяется не по мгновенным значениям температуры кристалла, а по усредненной температуре корпуса транзистора или радиатора вблизи от транзистора. Кристалл может нагреваться и до 150-200 град. И посмотрите на досуге даташиты на мощные транзисторы. Там есть параметр долговременного тока и импульсного тока. Импульсный ток у транзисторов обычно в 1,5-2 раза выше долговременного. А у диодов эта разница может быть и в 5-7 раз. Выходные транзисторы микросхем в этом плане ничем не отличаются от отдельных транзисторов. Поэтому, если не "парить микросхемы" , чтобы радиатор разогревался до 80-100 град., то в коротких импульсах, на звуковом сигнале, с них можно снимать мощность, в коротких импульсах, примерно в 1,5 раза больше, чем в схеме по даташиту и без больших искажений сигнала.
