Приветствую! Имеется ли у кого-нибудь опыт использования транзисторов в инверсных режимах? Если вкратце, то это когда коллектор используется как эмиттер, эмиттер как коллектор, а база... Как база, да. Родился тут давеча один довольно элегантный каскад, где транзистор работает совершенно в дурацких режимах. И всё бы хорошо, да не всё. В одну сторону срабатывает хорошо, а в другую фронт сильно завален. При подробном рассмотрении выяснилось, что фронт почти линейный, а не экспоненциальный. Ага, не хватает усиления по току! В инверсном режиме. И что делать, как выбрать транзистор? В документашке-то такого не пишут. Делать нечего, пошёл по соседям клянчить разнообразные транзисторчики. Вот некоторые типы транзисторов и их параметры. Часть данных из документации, коэффициент усиления инверсный получен измерением при напряжении эмиттер-коллектор 5 В, токе базы 100 мкА.
Нетрудно заметить, что самые высокие коэффициенты усиления при инверсном включении получились у транзисторов, где напряжение на базе в насыщении заявлены самые большие. В итоге выбрал PBHV8115T из-за низкого напряжения насыщения К-Э. Работает хорошо. Собственно, вопрос: по каким косвенным признакам можно оценить такой коэффициент усиления? Насколько этот параметр стабилен от экземпляра к экземпляру, от партии к партии?
Нетрудно заметить, что самые высокие коэффициенты усиления при инверсном включении получились у транзисторов, где напряжение на базе в насыщении заявлены самые большие. В итоге выбрал PBHV8115T из-за низкого напряжения насыщения К-Э. Работает хорошо. Собственно, вопрос: по каким косвенным признакам можно оценить такой коэффициент усиления? Насколько этот параметр стабилен от экземпляра к экземпляру, от партии к партии?
Усложнять просто. Упрощать сложно.
