Чем IGBTлучше мосфетов

Levontay

Обзаведшись мощными мосфетами, я задался вопросом - а почему, типично, в мощных импульсных преобразователях, используются IGBT? - ведь у мосфетов меньше падение напряжения открытого канала - 0,25 против 2,5 (В)!? - прошу просветить.

Реклама

Martian

Google, в строке запроса напишите, или скопируйте и вставьте: MOSFET vs IGBT

Реклама

vlasovzloy

Игбт в очень большие токи умеет

Martian

Скорее, напряжения. Свыше киловольта, например.

Реклама

vlasovzloy

И в напряжения тоже да. Подозреваю подстанции на стотыщмилионов вольт на игбт сделаны ключи

Реклама

Martian

Именно так. А затворами управляет какой-нить дроссель или конденсатор, ну, чтоб без драйверов и транзисторов, иначе на спирт, игбт протирать, не хватит

Добавлено after 2 minutes 17 seconds:
я вообще думаю, что те технологии, где не требуется периодическая протирка спиртом, не имеют права на существование. не нужны нам такие технологии.

Реклама

Базилюк

А еще IGBT сжигать гораздо прикольнее, чем мосфеты

Потому что IGBT, особенно в сборках, стоят подороже мосфетов

HochReiter

Levontay, вместо "типично" приведите для примера какую-нибудь конкретную пару. На большие токи и напряжения.

Николай_С

[uquote="Levontay",url="/forum/viewtopic.php?p=4639058#p4639058"]почему, типично, в мощных импульсных преобразователях, используются IGBT? - ведь у мосфетов меньше падение напряжения открытого канала - 0,25 против 2,5 (В)!?[/uquote]
Потому, что кроме статических, в схеме ИИП огромное значение имеют динамические характеристики драйвера. В частности, время переключения. У IGBT - оно минимальное, т.к. в нём используется биполярный транзистор.

Martian

Поэтому здесь https://kit-e.ru/igbt-ili-mosfet/ рекомендуется применять при низких частотах переключения, а здесь https://toshiba.semicon-storage.com/ap- ... t-002.html прямо говорят, что IGBT - медленнее (не говоря уж о биполярном)?

Господа, прежде чем выдумывать свои какие-то теории, ознакомьтесь с существующей информацией. Пример запроса для гугла я написал в первом ответе.

Николай_С

[uquote="Martian",url="/forum/viewtopic.php?p=4639914#p4639914"]Поэтому здесь https://kit-e.ru/igbt-ili-mosfet/ рекомендуется применять при низких частотах переключения, а здесь https://toshiba.semicon-storage.com/ap- ... t-002.html прямо говорят, что IGBT - медленнее (не говоря уж о биполярном)?[/uquote]
Ну очень смешно. Зачем тогда IGBT производят?
В качестве ликбеза: IGВT - составной транзистор, состоящий из полевика на входе и биполярника на выходе. У него высокое входное сопротивление, но время рассасывания заряда очень небольшое.
А то, что пишут диванные эксперты (маркетологи, экономисты и пр.), которые не имеют НИКАКОГО технического образования и представления о физике, протекающей в кристалле, мне неинтересно. Как-то так.

Martian

Забавно это слышать от диванного эксперта, не видевшего IGBT в разрезе. Как-то эдак. Про образование не могу сказать. Не настолько экстрасенс. В TI и Infineon тоже, получается, дурачки сидят.

Николай_С

[uquote="Martian",url="/forum/viewtopic.php?p=4640492#p4640492"]Забавно это слышать от диванного эксперта, не видевшего IGBT в разрезе.[/uquote]
Если это намёк на меня, то у меня образование иженера-конструктора-техногога радиоэлектронной аппаратуры и 25 лет стажа в профессии. А чем можете похвастаться Вы?

Martian

А я ничем не хвастаюсь. Лучше вовсе не иметь образования, чем подобное. Так что, я в выигрыше - у меня нет никакого.

Николай_С

[uquote="Martian",url="/forum/viewtopic.php?p=4640492#p4640492"]В TI и Infineon тоже, получается, дурачки сидят.[/uquote]
В них сидят маркетологи и пишут статейки насколько выгодно покупать их продукцию.

Добавлено after 1 minute 4 seconds:
[uquote="Martian",url="/forum/viewtopic.php?p=4640496#p4640496"]А я ничем не хвастаюсь. Лучше вовсе не иметь образования, чем подобное. Так что, я в выигрыше - у меня нет никакого.[/uquote]
Оно и заметно.
А чем Вам не нравится в/о радиоинженера?