Это специально так сделано в программе чтобы осцилограф не смог вмещать в экран всю синусоиду 220В?
в меню компонентов, в разделе modelling primitives есть инструменты VCVS и CCVS позволяют прицепить осциллограф для измерения не только напряжения, но и тока, так-же позволяют задать множитель и измерять разность потенциалов (разность потенциалов осцилл может измерять и сам, но он расходует для этого 2 щупа)
Пример: H1 измеряет ток E1 напряжение на резисторе E2 напряжение на конденсаторе, кроме того у него множитель 0,1 т.к. напряжение на конденсаторе высокоеСпойлер забыл указать - генератор 310V 50Hz
_________________ Просто не учи физику в школе, и вся твоя жизнь будет наполнена чудесами и волшебством Безграмотно вопрошающим про силовую или высоковольтную электронику я не отвечаю, а то ещё посадят за участие в (само)убиении оболтуса...
Так вот есть проблема запустить симуляцию в протеусе 8.17 Выдает такую ошибку: make: *** No rule to make target `../PDC210 disassembler code.asm', needed by `Release.HEX'. Stop. Error code2
Мне нужна диаграмма логических уровней на портах P1.x - P3.х Вообшем вот схема, дизассемблированный код, hex и весь проект 111.rar
В приложении Proteus 8.17 SP4 Pro пароль: ru-board
ВАЖНО: После извлечения из архива переименовать .RAR в .ЕХЕ и запустить инсталляцию! Успехов!
make: *** No rule to make target `../PDC210 disassembler code.asm', needed by `Release.HEX'. Stop. Error code2
А вы прошивку в МК загрузили? А тактовую частоту задали? А почему у вас "сброс" на землю сидит? У меня в Р8-13 симуляция запучтилась, только я не рисовал непонятную цепочку R7 R5 C3. При её наличии МК будет работать только при нажатой кнопке, которая около R7. (по вашей схеме) Спойлер
А что вообще эта схема должна делать? При прохождении сигнала "сброс" дёргаются две лапки МК, и всё, на кнопку, к которой подведено 12 вольт схема не реагирует, да и не должна этого делать- (имхо) у вас нет цепочки разряда конденсатора
make: *** No rule to make target `../PDC210 disassembler code.asm', needed by `Release.HEX'. Stop. Error code2
А вы прошивку в МК загрузили? А тактовую частоту задали? А почему у вас "сброс" на землю сидит? У меня в Р8-13 симуляция запучтилась, только я не рисовал непонятную цепочку R7 R5 C3. При её наличии МК будет работать только при нажатой кнопке, которая около R7. (по вашей схеме) Спойлер
Вложение:
Снимок.PNG
И ещё- кварц в протеусе не работает, его даже рисовать не обязательно, нужно просто в свойствах МК задать тактовую частоту Спойлер
Вложение:
Снимок2.PNG
А что вообще эта схема должна делать? При прохождении сигнала "сброс" дёргаются две лапки МК, и всё, на кнопку, к которой подведено 12 вольт схема не реагирует, да и не должна этого делать- (имхо) у вас нет цепочки разряда конденсатора
Приветствую АлександрЛ
1. Да загрузил в МК. 2. ТЧ именноо 4МГц. 3. Потому что это правильный "Сброс для 89с2051 МК. Дело в том что все выводы сбрасываются в 1, как только сигнал RST становится высоким. Держание ножки RST в высоком состоянии в течение двух машинных циклов при работающем генераторе сбрасывает МК. Каждый цикл МК занимает 12 тактов генератора 4МГц. 4. Да я в курсе про кварц в протеусе. ТЧ = 4МГц уже заданная в редакторе компонентов. В данном случае АТ89С2051. 5. Схема вообщем-то, часть проекта ловца статики «Таврида» и анализа полярностей зарядов на очень-очень большие расстояния. Оба входа внутрисхемного компаратора используются при измерении параметров сигнала. Схема точная а прошивка уже проверенная в стимуляторе MCU 8051 IDE v1.4.9. Но увы, хотелось бы посмотрет на логическом анализаторе в протеусе 8.17. Но как-то не получается. Вот почему поискал помощь на радиокоте.
эыж: Так вот раскрою маленький секрет. Направленное ИК излучение, очень хороший проводник статике а именно зарядовых кластеров на большие расстояния. Вроде как золотая ниточка для электричества.
Использование модульных источников питания открытого типа широко распространено в современных устройствах. Присущие им компактность, гибкость в интеграции и высокая эффективность делают их отличным решением для систем промышленной автоматизации, телекоммуникационного оборудования, медицинской техники, устройств «умного дома» и прочих приложений. Рассмотрим подробнее характеристики и особенности трех самых популярных вариантов AC/DC-преобразователей MW открытого типа, подходящих для применения в промышленных устройствах - серий EPS, EPP и RPS представленных на Meanwell.market.
эыж: Дело осталось за малым - присобачить МК зарядочувствительный предусилитель, ионную камеру, инфракрасную лазерную указку и всё это безобразие слепить в железе.
• Initially OFF OFF (-) Как и для диода начальное состояние (изменяется кликом по знаку вопроса: вопрос – не определено, пусто – выкл., галочка – вкл.). Параметры из раскрывающегося списка: • Ideal forward beta BF (100) Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ; • Saturation Current IS (1e-016) Ток насыщения при температуре 27°С (А); • Forward emission coefficient NF (1) Коэффициент эмиссии (неидеальности) для нормального режима; • Forward Early voltage VAF (∞) Напряжение Эрли в нормальном режиме (В); • Forward beta roll-off corner current IKF (∞) Ток начала спада зависимости BF от тока коллектора в нормальном режиме (А); • B-E leakage saturation current ISE (0) Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер (А); • B-E leakage emission coefficient NE (1.5) Коэффициент эмиссии тока утечки эмиттерного перехода; • Ideal reverse beta BR (1) Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ; • Reverse emission coefficient NR (1) Коэффициент эмиссии (неидеальности) для инверсного режима; • Reverse Early voltage VAR (∞) Напряжение Эрли в инверсном режиме (В); • Reverse beta roll-off corner current IKR (∞) Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме (А); • B-C leakage saturation current ISC (0) Ток насыщения утечки перехода база-коллектор (А); • B-C leakage emission coefficient NC (2) Коэффициент эмиссии тока утечки коллекторного перехода; • Zero bias base resistance RB (0) Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база-эмиттер (Ом); • Minimum base resistance at high currents RBM (RB) Минимальное сопротивление базы при больших токах (Ом); • Current for base resistance=(rb+rbm)/2 IRB (∞) Ток базы, при котором сопротивление базы уменьшается на 50 % полного перепада между RB и RBM (А); • Emitter resistance RE (0) Объемное сопротивление эмиттера (Ом); • Collector resistance RC (0) Объемное сопротивление коллектора (Ом); • Zero bias B-E depletion capacitance CJE (0) Емкость эмиттерного перехода при нулевом смещении (Ф); • B-E built in potential VJE (0.75) Контактная разность потенциалов перехода база- эмиттер; • B-E junction grading coefficient MJE (0.33) Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода; • Ideal forward transit time TF (0) Время переноса заряда через базу в нормальном режиме (сек); • Coefficient for bias dependence of TF XTF (0) Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база-коллектор; • Voltage giving VBC dependence of TF VTF (∞) Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база-коллектор (В); • High current dependence of TF ITF (0) Ток, характеризующий зависимость TF от тока коллектора при больших токах (А); • Excess phase PTF (0) Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора f=1/2π*TF; • Zero bias B-C depletion capacitance CJC (0) Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении (Ф); • B-C built in potential VJC (0.75) Контактная разность потенциалов перехода база- коллектор; • B-C junction grading coefficient MJC (0.33) Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода; • Fraction of B-C cap to internal base XCJC (1) Доля барьерной емкости, относящаяся к внутренней базе; • Ideal reverse transit time TR (0) Время переноса заряда через базу в инверсном режиме (сек); • Zero bias C-S capacitance CJS (0) Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении; • Substrate junction built in potential VJS (0.75) Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка (В); • Substrate junction grading coefficient MJS (0) Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка; • Forward and reverse beta temp. exp. XTB (0) Температурный коэффициент BF и BR; • Energy gap for IS temp. dependency EG (1.11) Ширина запрещенной зоны (эВ); • Temp. exponent for IS XTI (3) Температурный экспоненциальный коэффициент для тока IS; • Forward bias junction fit parameter FC (0.5) Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещенных переходов; • Flicker Noise Coefficient KF (0) Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликер-шума; • Flicker Noise Exponent AF (0) Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликер-шума от тока через переход. Как я и предупреждал, количество параметров в раскрывающемся списке для транзистора очень большое, и в него попали почти все параметры модели за исключением следующих: • Initial B-E voltage ICVBE (-) Начальное (стартовое) напряжение база-эммитер; • Initial C-E voltage ICVCE (-) Начальное (стартовое) напряжение коллектор-эммитер; • Area factor AREA (1) Множитель для коэффициентов, используемый при моделировании мощных транзисторов; Ну и два, уже известных нам температурных коэффициента. • Instance temperature TEMP (27) • Parameter measurement temperature TNOM (27)
Доброго времени суток, вопрос конечно некорректный от слова совсем, но он есть. Есть геймпады от GameStic - Куча эмуляторов в старых игр в одной куче. 1 передатчик и 2 геймпада к нему привязаны с завода У них питание две батарейки ААА, которые садятся весьма шустро. Есть идея переделать их на литий, да и история не нова и это делают, но по сути поставить понижалку DC-DC до 3V, но хочется ее исключить. Естественно все маркировки затерты, поэтому вопрос - как думаете - можно ли на вход по дать напряжение до 5V и не навредит ли данное напряжение устройству? Спойлер
Как найти в библиотеке Proteus шим-контроллер LNK363PN или если такого нет то что нибудь приближенное?
Добавлено after 11 minutes 55 seconds: Можно ли где то как то найти объясняющую информацию по всем компонентам библиотеки, чтобы понять что они из себя представляют и как выглядят ?
Кидайте конечно. А то 8.17 поставил, а из него глюки полезли.
Если это ответ мне, то видимо, я неясно выразился. Я сам прошу, чтобы мне скинули рабочую ссылку на Протеус. Пока пробую Симулид. Глюки есть, но с небольшими схемами работать можно. К тому же бесплатно и есть русский язык.
Ну, нафиг.. У меня была прекрасно работающая версия 8.6 (вроде бы), поставил дополнительно 8,13, так она у меня не только сама какая-то "трухлявая", она ещё мне и П8,6 запорола..
Сейчас этот форум просматривают: нет зарегистрированных пользователей и гости: 6
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете добавлять вложения
Вход
Регистрация
Правила
FAQ
Поиск
