u37 писал(а):Прибор (BJT, FET, IGBT) без защитного диода сгорает от обратного напряжения.
если быть совсем точным то у BJT, в обратную сторону "обязательно установлен
" встроеный зенер, как и у дискретного FET с индуцированным каналом "встроенный диод" . это неотьемлемая часть структуры, в одном случае это высоколегированный эмиттерный переход с напряжением обратного электрического пробоя обычно в пределах 15..40V у больших транзисторов и 6..15 у маленьких, в другой - канальный pn переход сток-подложка, для которого обратка является прямым падением и ток начинается с 550..650mV обычно при 25С.
а сгорит или нет - это отдельный вопрос, связанный с допустимым тепловым импульсом или с возможностью отведения тепловой мощности от области эмиттера или канала, обычно напрямую в дэйташите не указывается но есть народные приметы позволяющие довольно точно их угадать по косвенным из дэйташитов
что касается конкретного случая - с BJT, IGBT обратная полуволна осцилляций на первичке будет ограничена ~30..35V
а у FET ~ 15V. насколько это существенно для мощности искры - врядли ктото качественно исследовал
диод - да, вполне, сам хотел предложить, но поленился
... но судя по реальным пром схемам от bosh и hitachi - никто на эту тему не парится
