Мелкие вопросы по питанию.

[AlexS4]

Отнюдь. Интегрировать напряжение одной полярности - будет неограниченно возрастать. Хотя мы в быту привыкли называть интегратором фильтр НЧ.
Для получения действующего напряжения надо усреднять квадрат амплитуды (квадрат от полярности не зависит).

тоесть если нам нужен интеграл модуля некой функции то единственный способ - интегрировать ее квадрат, интегрировать модуль мы не можем ?

действующее значение - да связано с квадратом ... но по другой причине, потому что на постоянном сопротивлении нагрузки мощность пропорциональна именно квадрату напряжения или тока (по закону Ома).

интеграл положительной периодической функции будет всегда неограниченно возрастать c ростом времени интегрирования, независимо от того квадрат это, 222 степень или просто модуль понятно что речь о значении интеграла за период рассматриваемого сигнала, и отнесенном к этому периоду, если мы хотим получить какуюто эквивалентную вменяемую размерность.

[Wiking007]

Есть бесперебойник SENDON UPS-500, шим sg3524, в целом работает, но вот на выходе странный сигнал, в отличии от других бесперебойников такого типа там не модифицированный синус а пила какая то. В чем может быть причина?

[Бомбандил]

Привет всем.
Подскажите пожалуйста, есть ли такая возможность изменить напряжение заряда- до 3,7В, на плате зарядки TP4056.

[Nranddek]

Только какой-то внешней схемой, которая при достижении на батарее 3.7 В отключит TP4056 через вход управления CE. Иначе никак, в TP4056 "Preset 4.2V Charge Voltage with 1.5% Accuracy" - 4.2 В предустановлено...

[AlexS4]

есть аналогичные чипы c пресетом для железофосфата.
напр CN3058E
вот прям рецептик)
https://mysku.club/blog/aliexpress/41233.html

[prizrack*]

Добрый день, Возникла необходимость коммутации 300В и 100А(~300А в пике) постоянки после блока конденсаторов. Коммутация нужна по "+" (верхнему плечу) 1 раз в 3 минуты и отключение при привышении 100А(защита по току и от КЗ) Нагрузка: ванна для плазменной полировки. Собственно вопрос какие ключи лучше выбрать? в наличии есть сборки дарлинктона на 200А, IGBT на 60А(в параллель штуки 3 поставить) и мосфеты 20-30А(собственно тоже в параллель зарядить с запасом по токам), драйвера верхнего плеча.
Мои соображения: На дарлинктонах будут большие потери, IGBT надо точно подбирать по падению напряжения КЭ, мосфетов надо много(Если не прав-поправьте)
На чем лучше реализовать такую задачу с минимальными потерями или может есть современные ключи с подходящими параметрами за вменяемые деньги?
И если параллелить, то как лучше с отдельными драйверами на каждый ключ или с одним с большими токами.

[AlexS4]

prizrack*

- если параллелить затворные то конечно 1 общий мощный драйвер

- параллелить igbt как и bjt похорошему можно только с резисторами (на bjt - в эмиттер на igbt - почти пофиг куда)
это нужно независимо от подбора транзисторов потому что возникает положительная обратная связь по температуре которую можно только ослабить общим радиатором и хорошим контактом с ним но не полностью устранить.

- падения у igbt и дарлингтона сравнимые, нет принципиальной разницы, по сути igbt это дарлингтон с fet в качестве 1го звена.

можно n-fet c бутстрепным питанием затвора, тогда наверно будет немного в параллель.

[главный колбасист]

реле поставить

[Stepan22]

prizrack*, https://aliexpress.ru/item/100500927240 ... 18f9CNNO67

[prizrack*]

реле слишком медленное да и контакты горят неплохо при разрыве, тестовый автомат(50A) на 10А установке после трех выключений сдох.
[uquote="AlexS4",url="/forum/viewtopic.php?p=4764042#p4764042"]prizrack*
- если параллелить затворные то конечно 1 общий мощный драйвер...[/uquote]
Спасибо за информацию!
[uquote="Stepan22",url="/forum/viewtopic.php?p=4764079#p4764079"]prizrack*, https://aliexpress.ru/item/100500927240 ... 18f9CNNO67[/uquote]
Вот эта штука то, что надо, закажу её, главное чтобы китайцы не намахали с 300А

И еще вопрос ir2127 потянет этот модуль (900nC полный заряд затвора)?
Включение будет без нагрузки, главное отключить побыстрее.
Или можно просто мощный мосфет(ампер на 10) поставить и тянуть им затвор к минусу, а открывать чем-нибудь слабеньким с доп. питанием выше рабочего на 12В?

[AlexS4]

оч вероятно хватит такого MSG120T65 650V 120/380A
врядли он хуже китайского модуля
https://www.chipdip.ru/product/msg120t6 ... 9001335615


или IRFP4332 250V 35mOhm штучки 2..4 в параллель, только надо будет проверить экземпляры по напряжению (если 300V без запаса взято) нагреть до 100С и померить ток утечки на расчетном напряжении +10% через 100к подержав часок .
155руб в чипе https://www.chipdip.ru/product/irfp4332 ... 9001729090

[prizrack*]

[uquote="AlexS4",url="/forum/viewtopic.php?p=4764164#p4764164"]оч вероятно хватит такого MSG120T65 650V 120/380A
врядли он хуже китайского модуля
https://www.chipdip.ru/product/msg120t6 ... 9001335615[/uquote]
По характеристикам тоже красивые, 300В максимум, рабочее обычно 250-280В. Но что-то я как то не доверяю такому корпусу до 100А постоянно будут идти через такие выводочки... у меня там 50кв. мм кабель заложен на электрод. и входное 3-х фазное по 16кв.мм на 20кВт транс..... и все это по выходу через один такой транзисторик пойдет.... Модуль как-то посолидней выглядит, да и тепло лучше отдавать будет.
1,8Вх100А это 180Вт во включенном состоянии, не считая переходных процессов при отключении....
Этот вариант на другой проект пойдет, там как раз пиковые токи большие нужны, а время работы маленькое.

[AlexS4]

толстые квадраты в проводах нужны чтоб сопротивление приемлемое было и отвод тепла от него, по плотности тока нет проблем и при 100+A/mm2 при длине в неск мм.

можно залить компаундом для лучшего теплоотвода, если будут отгарать чаще чем хотелось

внутри модуля кстати тож проводочки тонюсенькие по сравнению с 16mm2
а к кристаллу вообще пучек из нескольких ничтожно тонких волосков ~d0.2..0.3mm идет.

[prizrack*]

[uquote="AlexS4",url="/forum/viewtopic.php?p=4764178#p4764178"]внутри модуля кстати тож проводочки тонюсенькие по сравнению с 16mm2 .[/uquote]
Тоже верно, но лучше с запасиком взять, проект коммерческий нет смысла экономить.
А вариант с отключением: подтягивание затвора на "-", с учетом, что колектор на "+" висит прокатит? или можно слишком большое отрицательное напряжение на затворе получить, если транзистор будет не успевать закрываться?

[AlexS4]

главн не ухудшить параметры черезмерным усердием
по моему скромному лучше побольше денег потратить на тщательные испытания чем на тупой перезаклад

[prizrack*]

[uquote="AlexS4",url="/forum/viewtopic.php?p=4764186#p4764186"]главн не ухудшить параметры черезмерным усердием
по моему скромному лучше побольше денег потратить на тщательные испытания чем на тупой перезаклад[/uquote]
так то это и будет экпериементальная на 20кВт, мелкая на 2 кВт работает, у себя потестим потом может в мелкую серию пойдет.

[AlexS4]

а затворов если будет слишком много по С то взять простенький бутстрепный чип ( L6388E напр) + двухтактный повторитель на комплементарной паре средних bt или fet.

[prizrack*]

[uquote="AlexS4",url="/forum/viewtopic.php?p=4764196#p4764196"]а затворов если будет слишком много по С то взять простенький бутстрепный чип ( L6388E напр) + двухтактный повторитель на комплементарной паре средних bt или fet.[/uquote]
я имею ввиду ситуацию когда у меня igbt подключен колектором к +, эмитер к нагрузке(электроду), можно ли закрывать транзистор подтягивая затвор к - питания а не к эмитеру?
1. вариант :нагрузка при падении напряжения будет давать почти короткое на минус.(когда электрод в ванне, ванна подключена к "-" питания, а элетролит имеет низкое сопротивление)
2 вариант: парралельно нагрузке висит резистор на 10кОм. а основная нагрузка имеет оч. большое сопротивление.(электрод "в воздухе")
Не получиться ли ситуация когда скорость падения напряжения на затворе будет намного быстрее скорости падения напряжения на эмитере при закрывании транзистора и на затворе будет отрицательное напряжение относительно эмитера.

[AlexS4]

ну поскольку npn igbt - надо подтягивать затвор на эмиттер при закрытии а для полного открытия - нужно на 10-15V больше текущегомгновенного +V
но если применяем бутстрепный драйвер то вся эта работа на нем, незавмисимо усиливаем его повторителем или нет (повторитель естественно запитывается от летающего конденсатора как и h-driver)

верхний драйвер таких iс все делает сам, относительно эмиттера/истока верхнего транзистора и никакого отрицательного напряжения на его затворе не будет, независимо от динамики потенциалов на концах верхнего ключа.


а вот чтоб надежно зарядить за период отдыха летающий конденсатор снизу - может потребоваться либо какаято доп нагрузка (мощный резистор, и возможно нужен меньше 10k) либо может лучше даже нижнее плече из слабенького fet ~300V 1A который будет управляться нижней секцией полумостового драйвера. иначе при длительной холостой паузе с разомкнутыми электродами бутстрепный конденсатор будет разряжен и драйвер будет не готов открыть транзистор.

бутстрепный конденсатор должен быть x10+ больше емкости затворов ну и сопротивление нижнего плеча должно надежно успеть зпрядить его за паузу до ~15+V.

[prizrack*]

[uquote="AlexS4",url="/forum/viewtopic.php?p=4764219#p4764219"]ну поскольку npn igbt - надо подтягивать затвор на эмиттер при закрытии а для полного открытия - нужно на 10-15V больше текущегомгновенного +V[/uquote]
С бутстепом все понятно, но мне можно открывать транзистор достаточно медленно, т.к. включаться он будет только при поднятом электроде(10кОм нагрузке), затем ток будет плавно расти при опускании электрода в ванну, дополнительно сделать питание не проблема (намотать доп. обмотку на транс мост+кондеры) и подключить ее к + основного питания, и спокойно открывать транзистор через оптопару с резистором.
а вот отключать надо быстро и под нагрузкой, причем при падении напряжения на 30-40В на электроде сопротивление(электрод-ванна) резко уменьшется раз в 5-10(особенность процесса) соответственно токи увеличатся, ну и при увеличении токов больше заданных надо будет резко отключить питание дабы не сжечь блок питания(аварийное отключение).
отсюда и идея закрывать IGBT мосфетом ампер на 10-20 подтягивая затвор к - для быстрого закрытия транзистора.
То есть в начале закрытия на затворе может возникнуть отрицательное напряжение, что ускорит закрытие транзистора. Вопрос в том сможет ли там возникнуть отрицательное напряжение больше порогового, не пробьет ли его.