p-n Переход (электронно-дырочный переход)

[Gudd-Head]

Вот если соединить две батарейки Сила поля увеличивается?

Как соединить? Что ещё за Сила?

[yaotzin]

Сила электромагнитного поля - которая создается в проводнике, если между двумя точками есть разность потенциалов.

[Kotische]

Речь видимо идет про напряженность.
Просто человек из Одессы, Русский язык (да и язык физики) для него не родные, вот и путается в терминах...

[yaotzin]

какая такая напряженность, на электроны действует электрическое поле, что бы они двигались. Если два поля сложить(параллельно) как это делается в обратном соединении диода и батарейки. Сила электромагнитного поля увеличивается и не дает силе диффузии - распространять электроны.

[yaotzin]

Разность потенциалов при этом будит одинаковая.

[Kotische]

Такого понятия как "сила электромагнитного поля" в физике нет!
Есть понятие напряженность электрического поля, меряется в [В/м]

Если ты про ЭДС (электродвижущая сила) - то это то же самое напряжение, меряется в [В]

[yaotzin]

Ну вот электроны движутся под действием электромагнитного поля, в нашем случае при подключении к диоду обратного напряжения создается электромагнитное поле вокруг диода направленное обратно диффузионной силе, но прямо направленно силе электромагнитного поля самого диода.
Еще скажи что вдоль проводника не образуется электромагнитное поле - которое заставляет двигаться электроны.

[RadioTexas]

Нету таких понять-"диффузионна сила", " сила электромагнитного поля"! Есть диффузия электронов. А "сила эм поля"-НАПРЯЖЕННОСТЬ Е.
Подключим к диоду батарейку "-" к n, a "+" к p, тода между n и p появиться эм поле, созданное батарейкой (внешнее). Оно имеет "силу"-НАПРЯЖЕННОСТЬ Е1
Но p-n переход диода имеет собственное эм поле с НАПРЯЖЕННОСТЬЮ Ео (внутренее). Это поле направлено от n до p. Внешнее Е1 ослабит внутрен. Ео и электрон. дрейфуют свободно

[yaotzin]

Нету таких понять-"диффузионна сила", " сила электромагнитного поля"! Есть диффузия электронов. А "сила эм поля"-НАПРЯЖЕННОСТЬ Е.
Подключим к диоду батарейку "-" к n, a "+" к p, тода между n и p появиться эм поле, созданное батарейкой (внешнее). Оно имеет "силу"-НАПРЯЖЕННОСТЬ Е1
Но p-n переход диода имеет собственное эм поле с НАПРЯЖЕННОСТЬЮ Ео (внутренее). Это поле направлено от n до p. Внешнее Е1 ослабит внутрен. Ео и электрон. дрейфуют свободно

Я это себе именно так и представляю, просто как вы говорите наверное правильней, но мне больше нравится так говорить - потому как (для меня) так понятнее.

[yaotzin]

кто бы рассказал еще про биполярный транзистор а то как прозвонить знаю лет 20, а как там чего внутри происходит не знаю

[yaotzin]

Подскажите книгу с сундука радиокота (https://sunduk.radiokot.ru/?id=1279794479) или просто название - которая бы хорошо объясняла куда там электроны куда дырки движутся, ато как прозвонить и схемы подключения транзистора знаю лет 20 а что там внутри происходит не знаю

[rustot]

ну не с учебника же копипастить главу для практического понимания достаточно такого объяснения, как мне в свое время объяснили:

три слоя, средний (база) не проводящий, но есть в него втолкнуть один носитель, то он долетит до одного из слоев, мало того он по пути выбьет из материала базы еще 100 (коэффициент усиления) свободных носителей и если к ним приложить силу (разность потенциалов между крайними слоями) то они тоже долетят

[yaotzin]

ну не с учебника же копипастить главу для практического понимания достаточно такого объяснения, как мне в свое время объяснили:

три слоя, средний (база) не проводящий, но есть в него втолкнуть один носитель, то он долетит до одного из слоев, мало того он по пути выбьет из материала базы еще 100 (коэффициент усиления) свободных носителей и если к ним приложить силу (разность потенциалов между крайними слоями) то они тоже долетят

ничего не понял, кто куда ултит

[rustot]

носители заряда которых база сама не имеет, электроны или дырки, кусочки тока, наноамперчики серьезно, достаточно такого утрированного объяснения для понимания сути. а влезать в теории со всеми этими бариерами и рекомбинациями никакого большого смысла, уясните только более правильную терминологию

вот рядом тема про pn переход, там как раз все поподробнее, если охота вдаваться

[Kotische]

Айсберг - Транзистор - это очень просто.djvu
там: http://svetlana-06-89.mylivepage.ru/file/946/2527_Айсберг_-_Транзистор_-_это_очень_просто.djvu

[aen]

вот рядом тема про pn переход, там как раз все поподробнее, если охота вдаваться

Вот я их и объединил.
Вот еще.

viewtopic.php?p=456782#p456782

viewtopic.php?p=56668#p56668

[yaotzin]

ааа какой ужас - транзисторы с диодами объединили

[aen]

транзисторы с диодами объединили

Название темы читайте.
Где там написано, что тема про диод?

[rustot]

барьер не самая очевидная вещь, ему вроде и взяться то не с чего. есть n область, которая представляет из себя положительно заряженую неподвижную кристаллическую решетку и отрицательно заряженые подвижныные частицы в ней, что важно в сумме нейтральная, заряды строго компенсированы. есть аналогичная p область из непожвижной отрицательно заряженной структуры и положительных частиц.

вот тут обычно говорят что на границе p и n подвижные частицы отталкиваясь от одноименно заряженой заграничной кристалической структуры бегут от границы. но это совсем неочевидно. на первый взгляд никуда они бежать не должны, ведь обе области нейтральны в сумме, отрицательно заряженая решетка компенсируется положительными частицами в ней и в сумме никакого поля не создает. допустим мы внезапно склеили p и n, некоторое время, сколько позволит теория вероятности, ничего не меняется. потом допустим в n области хаотически двигаясь несколько лишних отрицательных зарядов приближается к границе. у границы возникает избыточный отрицательный потенциал притягивающий положительные частицы с другой стороны, но перейдя на чужую сторону положительные заряды создают дисбаланс, n область становится в целом положительно заряженой, а p отрицательно заряженой и обе начнут оттягивать заряды своего типа обратно домой, то есть это состояние неустойчиво и стремится вернуться обратно к нейтрали. теперь представим что наоборот случайно у границы с одной стороны оказалось частиц чуть меньше обычного. область приобретает избыточный потенциал кристалической решетки отталкивающий частицы чужого типа. из за этого те отлетев от границы также создают несбалансированный потенциал кристаллической решетки, отталкивающий чужаков

и вот с этого места мне непонятно. ну разлетелись они, образовав полоски из голых кристалических решеток у границы. ну отталкиваются они от чужой кристалической решетки. типа барьер. но своя то опустевшая ближе! ее притягивающая сила больше чем отталкивающя более далекой чужой. и они должны вернуться обратно. непонятно.

включение рекомбинации в рассмотрение ясности не добавляет. допустим часть частиц на границе встретились и рекомбинировали. n область в целом станет слегка положительной а p слегка отрицательной. обе начнут отталкивать чужие частицы от границы. но! пары частиц как легко аннигилируют при встрече также легко и самозарождаются парами. самозародившись они тут же будут растащены разницей потенциалов по домам и опять сделают обе области нейтральными

[SERJ]

а то как прозвонить и схемы подключения транзистора знаю лет 20 а что там внутри происходит не знаю

И зачем все это нужно в радиолюбительской практике?
Я когда то знал, когда учился и сдавал экзамены, а сейчас благополучно забыл, т.к. на практике это мне не пригодилось.

они тут же будут растащены разницей потенциалов по домам и опять сделают обе области нейтральными

Ну бегают там электроны с дырками и ладно.
Лучше почитать и четко понимать например работу транзистора в разных включениях, что бы вот такого не было, когда на частоте 30 мгц пытаются сунуть эмиттерный повторитель.

Я рассчитываю резонансный УПЧ на биполярных транзисторах, рабочая частота 30 МГц
1. Так как нагрузка низкоомная, то оконечный каскад - эмиттерный повторитель. Пытаюсь его посчитать.