rustot писал(а):насколько помню теорию, тонкость базы не является неотъемлемым свойством транзистора обязательным для работы. базу делают тонкой чтобы повысить быстродействие, в связи с очень низкой скоростью движения носителей. а так по идее и база милиметровой толшины не помешает использовать транзистор в нч схемах, носители пролетят между коллектором и эмиттером несмотря на толщину
я тут два диода соединил, они транзистором не являются - за счет того что база вышла большая, И данный так сказать "транзистор" - не работает.
у него база не является общей. если выдерете из диода кристалы и слепите получится транзистор
yaotzin писал(а):т.е. по вашему база транзистора может быть равной по площаде эмиттера и коллектора и все равно это будит транзистор?
не понял вопроса. почему нет? коллектор побольше конечно по соображениям мощности но площадь одной стороны базы равна площади коллектора, с другой площади эмиттера
или вы про толщину а не площадь? так в первых точечных транзисторов база была гораздо больше эмиттера и коллектора. одна большая база и на ней точки эмиттера и коллектора
ток внесет в базу область p - свободные электроны из эмиттера который состояит из полупроводника типа N. А так как база тонкая то лишь небольшого количества этих электронов хватит для заполнения дырок области P.
Т.е. область P заполнена - барьера нет - и электроны пошли дальше(те которые зашли с эмиттера). Я по другому принцип транзистора не понимаю - если вы понимаете его по другому сам принцип - я слушаю.
там и карт инка есть где у базы (область P) все ковалентные связи заполнены(дырки) - электронами, поскольку они все заполнены в N области коллектора не может быть положительно заряженных ионов - соответственно барьера не будит!
yaotzin писал(а):Т.е. область P заполнена - барьера нет - и электроны пошли дальше(те которые зашли с эмиттера). Я по другому принцип транзистора не понимаю - если вы понимаете его по другому сам принцип - я слушаю.
в чем вы видите противоречие с тем что я говорю, не понимаю. ну тонкая база, это какое то абсолютное понятие что ли? потолще в 2 раза станет работаться перестанет? а в 4? базы же и в долях микрона были и в долях миллиметра и все работало и так и так. меняется в первую очередь быстродействие
не поручусь головой но думаю транзистор будет работать и с сантиметровой толщиной базы, с реакцией на изменение напряжения в десятые доли секунды и коэффициентом усиления меньше единицы, то есть на практике бесполезным. долет носителя это же дело вероятностное а не так чтобы вот 12 микрон пролетел а 12.01 ну никак
а какая принципиальная тут засада, поясните? концентрация неосновных носителей в базе будет убывать по экспоненциальному закону K/exp(толшина). никогда не достигая нуля, коэффициент усиления по току в какой то момент станет меньше 1 но я об этом сказал, но он и нуля не достигнет. принципиальная возможность изменить ток коллектора изменяя ток базы же останется? или нет и есть какая то принципиальная граница толщины базы?
про сантиметровую базу это так игра ума, первоначальный мой пост о другом был. начиная с какой-то достаточно большой (на порядки больше реально изготовляемых) толшины базы график распределения носителей в объеме базы становится очень пологим и дальнейшее утоньшение базы не имеет целью улучшить основное качество - усиление по току. зато напрямую увеличивает скорость реакции, быстродействие, частоту
Почему при добавлении акцептора Бора в Кремний, получается дырка ? Ведь 3 валентных электрона Бора ни куда грубо говря с орбиты не ушли, а лишь образовали ковалентную свзяь с кремением.
Почему дырка то появляется ? Дырка это положительный ион, в данном случаем атом Бора не становится положиьтельным ионом - а остается нейтральным атомом.
так он и остается электрически нейтральным, число электронов равно числу протонов независимо от типа проводимости. меняется только количество потенциальных ямок в его структуре, а средний потенциал остается нулевым. 'лишними' или 'недостающими' являются не электроны, а как раз эти ямки. если их слишком мало, то часть электронов вне их и свободно катается по плоской потенциальной поверхности. если их слишком много то все электроны всегда в своих ямках, но легко перескакивают в соседнюю свободную ямку (между ними почти нет барьера, перескочить в соседнюю гораздо проще чем выбраться на плоскую поверхность). если число ямок строго равно числу электронов, то все сидят на своих местах и не двигаются
Lander писал(а):Почему при добавлении акцептора Бора в Кремний, получается дырка ? Ведь 3 валентных электрона Бора ни куда грубо говря с орбиты не ушли, а лишь образовали ковалентную свзяь с кремением.
Почему дырка то появляется ? Дырка это положительный ион, в данном случаем атом Бора не становится положиьтельным ионом - а остается нейтральным атомом.
Объясняю, у кремния 4 валентных, у бора 3 валентных, может ли 4й валентный электрон с кремния занять дырку у бора ? безусловно может после перехода от кремния 4го электрона в ковалентную связь бора, материал стает P проводимости. т.е. появляется кремний атому (протону) которому не хватает электрона(положительный ион).
