Схема у меня каскад с общим эмиттером. На вход подаю синус с амплитудой 10 В (можно и меньше), главное чтобы на выходе 20В получилось. заранее спасибо)
- Вложения
-
- 1.JPG
- (8.53 КБ) 11957 скачиваний
Где это Вы такое прочитали?samuel писал(а): Я думал, что только схема эммитерного повторителя позволяет усильти напряжение.
Вы меня не правильно поняли. я имел ввиду, свойство эмиттерного повторителя. да ладно. короче проехали.Света писал(а):Эмиттерный повторитель не усиливает напряжение, на то он и "повторитель"...![]()
Напряжение усиливают каскады с общим эмиттером и с общей базой.
Так ток же задается относительно резистора на эмиттере? Почему Вы сказали при заданном токе коллектора? это 1мА для того примера получается?Сэр Мурр писал(а): Если в цепи эмиттера установлен резистор, то нужно для расчёта делителя, вместо 0,7В , использовать сумму 0,7В +падение напряжения на эмиттерном резисторе при заданном токе коллектора.
А как узнать напряжение рабочей точки в делителе базы если в цепи эмиттера нет резистора? получается при любом раскладе 0,7В. и относительно этой рабочей точки будет происходить усиление? Если входной сигнал с амплитудой 2В, то как он пройдет? 0,7-2=-1,3...Света писал(а):Нужно просто представлять себе, как работает транзистор, хотя бы на уровне начинающего.
Если на базу ничего не подавать, то транзистор будет закрыт, при подаче напряжения между коллектором и эмиттером, на пути тока будут два встречно включённых диода, которые не пропустят ток. Чтобы ток КЭ пошёл, нужно открыть переход база-эмиттер, то есть, для n-p-n транзистора подать на базу положительное напряжение. Если просто подключить переменное напряжение к базе, то тогда в положительный полупериод на базе будет плюс и транзистор откроется, через КЭ потечёт ток, при отрицательном полупериоде на базе будет минус и транзистор будет заперт. Кстати, этот режим транзистора называется режимом С и часто используется в усилителях мощности радиопередатчиков.
Если мы хотим усиливать и положительную полуволну переменного напряжения, и отрицательную, нужно на базу заранее подать постоянное положительное (для n-p-n транзистора) напряжение, транзистор будет открыт, будет идти какой-то ток КЭ. Теперь, если на базу подать переменное напряжение, то при положительной полуволне транзистор откроется сильнее, потечёт бОльший ток КЭ, при отрицательной полуволне транзистор будет прикрываться, но не до конца, колекторный ток будет уменьшаться. То есть, в цепи КЭ будет постоянно изменяться ток синхронно с сигналом.
никак не пройдет если не делать обратную связь, которая уменьшит размах напряжений эмиттер-база до приемлемых единиц-десятков милливольт, установит приемлемый средний ток базы и скомпенсирует нелинейность вах транзистора. резистор в цепи эмиттера и есть самый простой вид такой обратной связи. стоит до конца разобраться зачем он там нужен, почему без заведения в явном виде какого то проводка на базу он тем не менее является не тупым потребителем энергии, а самой настоящей обратной связью и все остальное становится гораздо понятнее.samuel писал(а):А как узнать напряжение рабочей точки в делителе базы если в цепи эмиттера нет резистора? получается при любом раскладе 0,7В. и относительно этой рабочей точки будет происходить усиление? Если входной сигнал с амплитудой 2В, то как он пройдет? 0,7-2=-1,3...
Вы, наверное, уже много раз слышали, что транзистор это токовый прибор. Рабочая точка у него задаётся током базы, а не напряжением на базе. Напряжение на базе - это уже вторичный параметр. Чтобы это понять, нужно хорошо представлять, как работает обычный диод (p-n переход).samuel писал(а):А как узнать напряжение рабочей точки в делителе базы если в цепи эмиттера нет резистора? получается при любом раскладе 0,7В. и относительно этой рабочей точки будет происходить усиление? Если входной сигнал с амплитудой 2В, то как он пройдет? 0,7-2=-1,3...
Без резистора в цепи эмиттера вот так задается и стабилизируется рабочая точка.samuel писал(а): без резистора в цепи эмиттра
И параметров входного сигнала?Света писал(а):А рабочая точка транзистора расчитывается исходя из параметров транзистора и его нагрузки.